Browsing by Author "Ваків, М. М."

Now showing 1 - 20 of 23

Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.
Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.
Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних шарах InAs, отриманих РФЕ з індієвих розплавів, легованих кремнієм
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.
Досліджено залежність концентрації електронів та дірок в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих розплавів легованих кремнієм, в інервалі температур 880–820 °С та 780–630 °С. Встановлено, що у високотемпературному інтервалі кристалізуються епітаксійні шари InAs р- типу провідності, а в низькотемпературному n-типу провідності. Цей ефект пояснюється амфотерною поведінкою кремнію в шарах InAs. The dependence of concentration of electrons and holes in InAs epitaxial layers, obtained from indium melts dopped by silicon in the temperature range of 880–820 °C and 780–630 °C was investigated. It was found that in high-temperature range InAs epitaxial layers of p-type conductivity are intended to crystallize, and in low-temperature – of n-type conductivity. This effect is explained by amphoteric behavior of silicon in InAs layers.
Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних щарах InAs отриманих РФЕ із індієвих розплавів легованих кремнієм
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.
Вплив відпалів у вакуумі та атмосфері водню на люмінесцентні властивості монокристалів LINBo3
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Сугак, Д. Ю.; Лучечко, А. П.; Сольський, І. М.; Ваків, М. М.
До питання про кінетику ізотермічної деградації напівпровідникової терморезисторної кераміки Cu0.1Nio.8Co2 2Mn1.904
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Шпотюк, О. Й.; Ваків, М. М.; Балицька, В. О.; Буткевіч, Б.; Пехньо, В. І.; Науково-виробниче підприємство “Карат”; Політехніка Варшавська; Институт загальної та неорганічної хімії ім. В. І. Вернадського НАН України
Обговорюються результати дослідження термічної деградації терморезисторів на основі керамічних напівпровідникових композитів CuojNio.sCoo^Mni.ijO^ Встановлено, що аналітичним виразом кінетики цього процесу є релаксаційна функція ДеБаста - Джіларда або Уїльямса - Уотса. Отриманий результат підтверджує той факт, що в дисперсно-розпорядкованих системах ізотермічна деградація того чи іншого парам етра носить експоненціально-степеневий характер.
Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSb
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.
Експериментально, методом термо-гравітаційного аналізу, досліджено лінію ліквідуса в системі Bi-InSb в інтервалі температур 450–300 °С. Експериментальні дані по розчинності стібіуму у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються із розрахунковими, визначеними згідно з методом, який базується на строгій термо-динамічній моделі конденсованого стану.Experimentally, using thermal-gravity analysis, liquidus line in Bi-InSb system has been researched at 450–300 °С temperature range. Experimental data on the solubility of Sb in bismuth melts are relevant with estimates, obtained according to the method, based on accurate thermodynamic model of condensed state.
Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InAs
(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Круковський, Р. С.
Експериментально, за методом термо-гравітаційного аналізу, досліджено лінію ліквідуса в системі Bi-InAs в інтервалі температур 750–600 °С. Експериментальні дані з розчинності арсену у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються із розрахунковими, визначеними згідно з моделлю регулярно асоційованих розчинів. Experimentally, using thermal gravity analysis, liquidus line in the system Bi-InAs at the temperature range 750-600 °C is researched. Experimental data on the solubility of arsenic in bismuth melts are relevant with estimates set by regular associated melts model.
Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InAs
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.; Круковський, С. І.
Залежність показників заломлення плівок оксидів металів від тиску кисню в процесі електронно- променевего розпилювання
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Гайдучок, В. Г.; Кузьмак, Р. М.; Крупич, О. М.; Ільїна, О. С.; Сугак, Д. Ю.; Сиворотка, І. М.; Ваків, М. М.
Збудження об’ємних акустичних хвиль зустрічно-штирковим перетворювачем у кристалах
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Винник, Д. М.; Решотка, О. Г.; Сугак, Д. Ю.; Ваків, М. М.
Розглянуто теорію збудження зустрічно-штирковим перетворювачем (ЗШП) об’ємних акустичних хвиль з поверхні п’єзоелектричних кристалів . Одержані в явному вигляді вирази для величини зміщень і деформацій в об’ємних акустичних хвилях. З одержаних виразів випливає, що ЗШП можна розглядати як лінійну акустичну антену. З аналізу умов збудження об’ємних акустичних хвиль слідує, що у процесі збудження цих хвиль за допомогою ЗШП на високих частотах можуть виникати одночасно як об’ємні хвилі, що поширюються в глибину кристала, так і об’ємні хвилі (гармоніки), що розповсюджуються паралельно до поверхні кристала, а також поверхневі акустичні хвилі (гармоніки). Це слід враховувати під час конструювання таких пристроїв, які працюють на об’ємних акустичних хвилях. The paper presents the theory of excitation of interdigital transducer bulk acoustic waves from the surface of the piezoelectric crystal. The results obtained in explicit expressions for the displacements and strains in the excited bulk acoustic waves. From these expressions, it follows that the IDT can be regarded as a linear acoustic antenna. From the analysis of the excitation conditions of bulk acoustic wave is determined that the excitation of these waves by IDT at high frequencies can occur at the same time as bulk waves that propagate inside the crystal, as well as body waves (harmonics) that extend parallel to the surface of the crystal, as well as surface acoustic wave (harmonic). This fact should be taken into account in the design of devices, which run on bulk acoustic wave.
Конфігураційно-координатний опис кінетики зовнішньо-індукованих структурних перетворень в тонких плівках аморфних халькогенідів
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Ваків, М. М.; Балицька, В. О.; Шпотюк, О. Й.
Модель багатоканальної позитронної анігіляції в діелектричній кераміці MGAL2O4
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Клим, Г. І.; Ваків, М. М.
Узагальнено багатоканальну модель позитронної анігіляції для діелектричної кераміки MgAl2O4 шпінельного типу. Показано, що ця модель об’єднує канали захоплення позитронів об’ємними дефектами та розпад атомів орто-позитронію. У межах розвинутого підходу перша компонента часів життя позитронів відображає мікроструктурні особливості шпінельної структури, друга компонента відповідає об’ємним дефектам біля міжзеренних границь, а третя – процесу «pick-off» анігіляції орто-позитронію в наповнених вологою нанопорах кераміки. Показано, що процеси вологопоглинання в кераміці MgAl2O4 каталітично впливають на захоплення позитронів дефектами. The multi-channel model of positron annihilation for humidity-sensitive dielectric spinel-type MgAl2O4 ceramics is generalized. It is shown that this model unifies the channels of positron trapping and ortho-positronium decay modes. In terms of developed approach, the first component in the lifetime spectra reflects microstructure specificity of the spinel structure, the second component responsible to extended defects near grain boundaries and the third component corresponds to “pick-off” annihilation of ortho-positronium in the water-filled nanopores of ceramics. It is shown that the water-sorption processes act catalytically on positron trapping in MgAl2O4 ceramics.
Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.
Досліджено, що в галієвих розчинах із вмістом алюмінію ≈ 0,2 ваг. % забезпечується найкраща морфологія травленої поверхні кремнієвих підкладок. Показано, що додавання алюмінію від 0 до 1,6 ваг. % у галієвий розплав забезпечує можливість кристалізації сильно легованих шарів кремнію р-типу провідності в температурному інтервалі 750–650 ºС. It is investigated, that the best chemical etching morphology of silicon substrate is provided in gallium melts with content of aluminium ≈ 0,2 weight %. It is shown that extension of aluminium from 0 to 1,6 weight % into gallium melt provides crystallization capability of heavily doped silicon layers of p-type conductivity at 750–650 ºС temperature range.
Особливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію отримуваних методом РФЕ
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.
Особливості термодеградаційних ефектів в товстих плівках змішаних оксиманганітів перехідних металів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Кпим, Г. 1.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Брунець, І. М.; Шпотюк, О. Й.
Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одношарових товстоплівкових терморезисторних елементах на основі змішаних манганітів Cuo.1Nio.sCoo.2Mn1.9O4 та Cuo.sNio.1Coo.2Mn1.9O4. Виявлено ефект термічного “шоку”, який проявляється в різкому зростанні електричного опору плівок в першому циклі їх ізотермічної витримки при 170 °С з подальшим збереженням опору на встановленому рівні під час подальшого продовження деградаційного тесту. Припускається, що природа цього ефекту аналогічна до механізму термодеградації у масивних керамічних зразках вищевказаних складіа The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single¬layered thick-film thermistors basedon mixed manganices Cuo.1Nio.sCoo.2Mn19О4 and Cuo.sNio.iCoojMni 9О4 are investigated. The effect of thermal “shock” was disclosed. It is show in cutting increase of electrical resistance, in thick films on the initial stage of isothermal exposure at 170 °С with subsequent preservation of resistance on this level after continuation of degradation test. We suppose that the nature of this effect is similar to mechanism of thermodegradational in voluminous ceramic samples of analogous stores.
Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, С. І.; Тимчишин, В. Р.
Досліджено технологічні аспекти отримання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, методом РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану дозволяє кристалізувати епітаксійні p-i-n структури GaAs з шириною і-області з майже у два рази більшою товщиною, ніж при використанні технології «вологого водню». Technological aspects of obtaining of i-GaAs layers doped with Si by LPE method using disilane as alloying dismixture are investigated. It was determined that application of disilane leads to crystallization of epitaxial p-i-n structure of GaAs with width of i-region of two times lager thickness than in the case of the “damp hydrogen” technology usage.
Перетворення структури склоподібного селеніду миш’яку при фізичному старінні
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Ваків, М. М.; Шпотюк, М. В.; Головчак, Р. Я.
Методом диференціальної скануючої калориметрії досліджені ефекти коротко- (~6 місяців) та довготермінового (~20 років) фізичного старіння склоподібного селеніду миш’яку. Показано, що ці ефекти відрізняються кількісними параметрами (температура розм’якшення та площа ендотермічного піка в області фазового переходу склопереохолоджена рідина) та областями прояву на композиційній залежності. Отримані результати пояснені в межах так званої ланцюгової моделі за рахунок відмінності мікроструктурних механізмів коротко- та довготермінового старіння склоподібного селеніду миш’яку. Effects of short-term (~6 months) and long-term physical ageing (~20 years) studied in vitreous arsenic selenides using differential scanning calorimetry. It is shown that these effects differ by their numerical parameters (glass transition temperature and endothermic peak area near the glass transition) and by compositional dependences. The results obtained are explained within chain crossing model owing to sufficient difference in microstructural origin of short- and long-term physical ageing in vitreous arsenic selenides.
Процеси термохімічного забарвлення монокристалів ніобату літію
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Сугак, Д. Ю.; Сиворотка, І. І.; Бурий, О. А.; Сольський, І. М.; Ваків, М. М.
Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках. (Короткий огляд)
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Шпотюк, О. Й.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Головчак, Р. Я.; Кавецький, Т. С.; Ковальський, А. П.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
Представлено результати дослідження впливу високоенергетичних іонізуючих випромінювань на фізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників. Зроблено короткий історичний огляд наукових шкіл з проблеми. Детально проаналізовано радіаційно-індуковані ефекти, спричинені дією у-квантів. Запропоновано мікроструктурні, топологічні та математичні підходи для пояснення механізмів виникнення та релаксації вказаних явищ. Investigations of the effect of high-energetic ionizing irradiations on physical properties of chalcogenide vitreous semiconductors are presented. Short historical review of scientific teams, working in this field, is made. Radiation-induced effects caused by the influence of у-quanta are analyzed in details. Microstructural, topological and mathematical approaches to the explanation of the mechanisms of these phenomena appearance and relaxation are proposed.
Релаксація радіаційно-індукованого поглинання у склоподібних напівпровідниках на основі сульфідів Миш’яку та Германію
(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Балицька, В. О.; Буткевіч, Б.; Ваків, М. М.; Шпотюк, О. Й.
Обговорюються результати дослідження процесів часової деградації радіаційно-індукованих змін оптичних властивостей склоподібних напівпровідників системи (As2S3)x(Ge2S3)1-x при варіації середнього координаційного числа Z. Встановлено, що адекватна математична модель для опису даних процесів може бути розвинута на основі бімолекулярної релаксаційної функції, властивої для анігіляції структурних дефектів у формі протилежно заряджених аномально координованих атомів. На основі проведених розрахунків підтверджується висновок про екстремальність властивостей цих стекол при Z=2,67. The results on the time degradation of radiation-induced changes of optical properties in vitreous semiconductors of (As2S3)x(Ge2S3)1-x system at the average coordination number Z variation were discussed. It is established, that the adequate mathematical model for description of these processes could be developed at the basis of bimolecular relaxation function corresponded to annihilation of structural defects in the form of oppositively charged atoms with anomal coordination. The conclusion on the extremal character of the investigated glasses properties in the point of Z=2.67 was proved owing to fulfilled calculations.