Browsing by Author "Данилов, А. Б."

Now showing 1 - 8 of 8

Визначення оптичних характеристик тонкоплівкових структур за інтерференційними спектрами відбиття
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Данилов, А. Б.; Циган, О. В.
Еліпсометричні дослідження поверхонь кристалів GaAs i CdTe опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазону
(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Данилов, А. Б.; Кособуцький, П. С.; Прокопчук, О. Л.
Досліджено зміну оптичних сталих та товщин модифікованих шарів на поверхнях кристалів GaAs та CdTe, опромінених потужним ІЧ-лазером. Проведено аналіз поверхневої плівки з метою підбору адекватної моделі для розв’язання прямої та оберненої задач еліпсометрії. Отримано мікрофотографії поверхонь опромінених кристалів, та знято спектри ІЧ-пропускання. В результаті розв’язання оберненої задачі визначено величини показників заломлення поверхневих плівок та їх товщини в радіальному напрямі від центра лазерної плями. In the present paper the study of changes in the values of optical constants and thicknesses of modificated layers at GaAs and CdTe crystal surfaces, irradiated by powerful IR-laser was carried out. The analysis of surface films with the aim of suitable model selection to solve the direct and inverse problems of ellipsometry was performed. Microphotos of irradiated crystal surfaces were received and IR-spectra measured. As a result of inverse problem solution the values of surface film refraction indices as well as film thicknesses in radial direction from the center of laser spot were determined.
Максимально допустимі концентрації переносників NH4X (Х=Вг,С1) при вирощуванні CdxHgi-xTe методом хімічних транспортних реакцій
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Ільчук, Г. А.; Українець, В. О.; Данилов, А. Б.; Українець, Н. А.; Харамбура, С. Б.
На основі результатів розрахунку рівноважного складу парової фази системи CdxHgi_xTe-Hg-NH4Br при заданих тисках Hg в інтервалі температур 560-860К і надлишкових тисків Ар = 103-=-105 Па визначені речовини, які вносять основний вклад в масоперенесення кадмію, ртуті і телуру - CdBr2, Hg, Те2. Для телурової границі області гомогенності CdxHgi_xTe складів х = 0.2; 0.3; 0.4 та відхилень від неї в бік металічної границі твердого розчину (для різних тисків ртуті в системі) визначені максимально допустимі концентрації броміду амонію, що відповідають утворенню насичених парів диброміду кадмію в системі CdxHgi_xTe -Hg-NH4Br. При проведенні процесів росту CdxHgi_xTe в системі CdJlg,_vTe —Hg-NH4C1 у досліджуваному інтервалі температур і надлишкових тисків обмеження на використовувану концентрацію переносника NH4C1 практично не існує. The substances (CdBr2, Hg, Te2) that make main contribution into mass transfer of cadmium, mercury and tellurium are determined from the results of computation of vapor phase equilibrium composition of CdxHgi-xTe-Hg-NH4Br system in temperature range 560-860 K for excess pressure Ар = 103-=-105Pa and controlled pressures of mercury. Maximum allowable concentrations of ammonium bromide that correspond to formation of saturated vapor of cadmium dibromide in the system Cd,Hg,Te-Hg-NH4Вr were determined for CdxHgbxTe (with composition x = 0.2; 0.3; 0.4) homogeneity region limit from the tellurium side and for deviation of side to metallic limit of solid solution for different pressures of mercury in the system. It was shown that in the studied temperature and excess pressure ranges there is practically no limit on NHjCl concentration in the system CdxHgbxTe-Hg- NH4Br when CdxHg,.xTe is grown.
Особливості теплового розширення аргіродиту Ag2GeSe6
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Чекайло, М. В.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.; Данилов, А. Б.; Українець, В. О.
Вперше в неперервному режимі зміни температури та з використанням монокристалів потрійної напівпровідникової сполуки Ag8GeSe6 групи AIBIVCVI досліджені особливості теплового розширення (t=-30...+110C) вздовж кристалографічного напрямку [111] -фази. Виявлено існування на температурній залежності термічного коефіцієнта лінійного розширення =f(T) двох різко виражених і добре відтворюваних екстремумів з величезними значеннями  (макс=650010-6 град-1, мін =-2800 10-6 град-1, під час нагрівання, та макс=170010-6 град-1, мін =-1800 10-6 град-1, при охолодженні), які локалізовані в області температур -0,5°C і 48,2 °C та суттєво слабшого екстремуму при 72,7°C. Уточнені температури фазових переходів становлять -0,5°C, 48,2°C і 72,7°C. Показано, що перші два екстремуми зумовлені фазовими переходами першого роду. For the first time for continuous mode of temperature change (t=-30...+110C) end with the use of single-crystals of ternary semiconductor compound Ag8GeSe6 AIBIVCVI group thefeatures of thermal expansion along [111] -phase crystallography direction have been investigated. The existence of two sharply expressed and well reproduced extremums with the enormous values  (max=170010-6 deg-1, min =-1800 10-6 deg -1, for heating and max =170010-6 deg -1, min =-1800 10-6 deg -1, for cooling) localized in the temperatures range of -0,5°C and 48,2 °C as well as substantially weaker extremum at 72,7°C have been discovered on the temperature dependence of thermal coefficient of linear expansion =f(T). The refined temperatures of phase transitions are -0,5°C, 48,2°C and 72,7°C. It is shown, that the first twoextremums are conditioned by first order phase transitions.
Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Кособуцький, П. С.; Данилов, А. Б.; Прокопчук, О. Л.
Проаналізовано поверхневий шар монокристалів GaAs, опромінених лазерами інфрачервоного діапазону. Проаналізовано результати застосування різних моделей розрахунку параметрів плівки. На підставі проведеного аналізу визначено профіль показника заломлення та товщини поверхневих шарів.
Статистичний та змістовий аналіз результатів комп’ютерного сеансу тестування з фізики
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Данилов, А. Б.
Фотовольтаїчні варізонні структури в якості електричних джерел енергії для гідролізу водню
(Видавництво Львівської політехніки, 2019-10-31) Орлов, О.; Данилов, А. Б.; Когут, З. О.
Щодо можливості визначення оптичних параметрів тонких плівок методом еліпсометрії та оцінка їх кореляції
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Данилов, А. Б.; Danylov, A. B.; Національний університет “Львівська політехніка”
Встановлено кореляцію між показником заломлення плівки, її товщиною та коефіцієнтом поглинання підкладки для структури “прозора плівка на поглинальній підкладці” для довжини хвилі 632,8 нм. Проаналізовано кути падіння для меж поділу середовищ повітря–плівка та плівка–підкладка, за яких спектри відбиття в рполяризації не залежать від товщини плівки. Запропоновано новий підхід до визначення показника заломлення плівки з еліпсометричних вимірювань трьох зразків з різною товщиною плівки.