Browsing by Author "Даньків, О. О."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Електронні та діркові стани у напруженій квантовій точці
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.
    У межах моделі деформаційного потенціалу досліджено вплив деформації, яка виникає на межі розділу квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів квантової точки на її електронний та дірковий спектри. Встановлено критерії виникнення електронних та діркових рівнів у сферичній квантовій точці з врахуванням та без врахування деформаційних ефектів. The influence of deformation, which is on border of the unit of a quantum dot and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum dot on its electrons and holes spectra is investigated within the framework of the electron-deformation model. The criterion of occurrence electron and hole levels in a spherical quantum dot is established with the account and without the account deformation effects.
  • Thumbnail Image
    Item
    Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs
    (2003) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.; Пелещак, Б. М.
    Побудована модель когрентно-напруженої квантової точки. Розраховано вплив неоднорідної деформації, яка є на межі розділення квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів КТ на глибину і профіль потенціальної ями для електронів і дірок у гетеросистемі з квантовими точками.The model of a coherent-strained quantum point is constructed. Influence of nonuniform deformation, which is on border of the unit of a quantum point and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum point on depth and a structure of a potential hole forelectrons and holes at heterostructure with quantum points, is designed.