Browsing by Author "Загіней, А. О."

Now showing 1 - 3 of 3

Нестійкості плоского фронту кристалізації при лазерній епітаксії і легуванні напівпровідників
(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Бончик, О. Ю.; Загіней, А. О.; Кияк, С. Г.; Паливода, І. П.; Похмурська, Г. В.
Описано механізми формування нестійкостей плоского фронту кристалізації, які виникають при лазерній епітаксійній кристалізації напівпровідникових шарів. Запропоновано чотири основні механізми, що зумовлюють виникнення таких нестійкостей, які, в свою чергу, призводять до формування на поверхні напівпровідників комірчастої структури різної природи. Mechanisms of a planar interface instability initiation during laser epitaxy solidification of semiconductor layers are described in present paper. The main four mechanisms that determine such interface instability initiation have been proposed. These mechanisms set conditions for cellular structure of different nature formation on the semiconductor surface.
Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадмію
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Загіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.
Досліджено Оже-спектри і спектри фотолюмінесценції поверхні CdTe після імпульсного лазерного опромінення.Проаналізовано зміни густини дислокацій та величини мікротвердості на поверхні і по глибині модифікованих лазером шарів. Запропоновано використовувати модифіковані приповерхневі шари для гетерування неконтрольованих домішок. Auger spectrums and spectrums of photoluminescence of CdTe surface after pulsing laser irradiation have been explored. The changes of the dislocation density and quantity of microhardness on the surface and throught the depth of the layers modified by pulse laser have been analysed. We propose to use modified near surfase layers for gettering of uncontrollable impurities.
Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадмію
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Загіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.
Досліджено Оже-спектри і спектри фотолюмінесценції поверхні CdTe після імпульсного лазерного опромінення.Проаналізовано зміни густини дислокацій та величини мікротвердості на поверхні і по глибині модифікованих лазером шарів. Запропоновано використовувати модифіковані приповерхневі шари для гетерування неконтрольованих домішок. Auger spectrums and spectrums of photoluminescence of CdTe surface after pulsing laser irradiation have been explored. The changes of the dislocation density and quantity of microhardness on the surface and throught the depth of the layers modified by pulse laser have been analysed. We propose to use modified near surfase layers for gettering of uncontrollable impurities.