Browsing by Author "Кеньо, Г. В."

Now showing 1 - 14 of 14

The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride
(Видавництво Львівської політехніки) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”
Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в зразку ІпМ зі структурою вюртциту та з концентрацією електронів ~ 6 х 1017см_3. Розраховано температурну залежність рухливості електронів в інтервалі 4.2 — 560 К.
Акустична захищеність виділених приміщень у світлі статистичної та хвильової теорій
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Кеньо, Г. В.; Хома, В. В.
Викладено суть статистичної та хвильової теорій поширення звукових хвиль. Показано переваги хвильової теорії при розрахунку основних параметрів акустичного поля та перспективи застосування сучасних систем фізико-технічного моделювання для оцінювання захищеності виділених приміщень. The essence of statistical and wave theories of sound-waves distribution is shortly expounded. The wave theory advantages for calculating the acoustic field basic parameters are described. Also application prospect of the modern physicotechnical simulation systems for the estimation of the security protected workrooms is accentuated.
Дериватографічні дослідження шихти системи SiO2-B2O3-R2O3 твердих планарних джерел бору на термостійких підкладках
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Кеньо, Г. В.; Богдановський, Ю. М.; Гасько, Л. З.; Полюжин, І. П.; Мищишин, В. М.
Досліджено кінетичні параметри синтезу боросилікатних сполук загального складу (SiO2)x(B2O3) y (H2O)n дериватографічним методом в температурному інтервалі 20–1500оС. На основі цих кінетичних параметрів здійснено вибір температури та часу синтезу шихти твердих планарних джерел (ТПД) бору . Для моделювання оптимальних умов роботи ТПД бору можна використати дані з втрати маси, що отримні гравіметричним методом під час випаровування (950–1050oC) оксиду бору з поверхні джерел. Main kinetiks parameters was investigated for synthesis of boron silica glass of general composition as (SiO2)x(B2O3)y(H2O)n by derivatographical method in temperature range 20–1500оC. On these kinetiks data the selection of temperature and time was made for synthesis of raw mixture for boron solid planar sources (B-SPS) obtaining. For modeling optimal conditions of B-SPS operation the mass loss, which was investigated by gravimetric method at evaporation (950-1050 oC) of boron oxide from B-SPS surface, can be used.
Дослідження резонансних явищ у захищених приміщеннях
(Національний університет "Львівська політехніка", 2012) Кеньо, Г. В.; Ляшенко, М. О.
За допомогою системи фізико-технічного моделювання Comsol Multiphysics 3.5а змодельоване акустичне поле в закритому приміщенні в ділянці низьких частот. Розраховано резонансні частоти змодельованого приміщення та досліджено моди, що їм відповідають. Досліджено закономірності виникнення акустичних резонансів, отримано частотні залежності рівнів звукового тиску в точках розташування джерела та приймача звуку. Using the physical and technical simulation system Comsol Multiphysics 3.5а distribution of acoustic field in the area of low frequencies in a closed room has bin simulated. Resonance frequencies of the simulated room have been calculated and eigenmodes that they represent have been studied. Patterns of acoustic resonances have been investigated. Freqenсy dependence of sound pressure levels at points location of the source and receiver were obtained.
Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.
Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated.
Контроль параметрів структур “кремній-на-ізоляторі” за даними вольт-фарадних характеристик
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Кеньо, Г. В.; Кошель, С. Ф.
Подано теоретичнi високочастотнi вольт-фараднi характеристики МДНДН-структури. Показано характер впливу параметрів структури (рiвнiв легування пiдкладки та напiвпровiдникового шару i товщин дiелектричних шарiв) на залежність ємності від напруги. Виконана оцiнка впливу вбудованих зарядiв у дiелектриках на величини змiщення ВФХ по осi напруг. Показана можливість отримання інформації про параметри шарів і стан меж розділу напівпровідник-діелектрик в структурі “кремній–на–ізоляторі” за даними реальних ВФХ. In this work the theoretical high-frequency C – V characteristics of MISIS structure is presented. The character of influence of the structure parameters (dopant level of substract and semiconductor layer, dielectric layers thicknesses) on the volt-capacitance dependence is shown. The influence of dielectric fixed charges on the shift value of C–V characteristic along voltage axes estimated. The possibility of obtaining the information about the layers parameters and semicondutor – insulator interface state in the “silicon-on-insulator” structure according to experimental C–V characteristics is shown.
Моделювання акустичного каналу витоку інформації через відчинене вікно в захищеному приміщенні
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Кеньо, Г. В.; Ляшенко, М. О.; Любчик, Ю. Р.
За допомогою системи фізико-технічного моделювання Comsol Multiphysics 3.5а змодельоване акустичне поле в системі “приміщення – вікно – відкритий простір”. Досліджено вплив відчиненого вікна на формування акустичного поля в приміщенні та вплив приміщення на поширення звукових хвиль через вікно у відкритий простір. Виявлено ймовірність перехоплення мовної інформації та показано залежність рівнів звукового тиску поза межами приміщення від розмірів досліджуваних об’єктів. Using physical engineering simulation system Comsol Multiphysics 3.5а, an acoustic field in the system ‘closed room/window/open space’ has been simulated. The influence of the open window on the acoustic field formation in the closed room and the effect of the room on sound waves propagation through the window into the open space have been studied. Probability of language information interception and dependence of sound pressure levels outside the closed room on the size of the research objects have been established.
Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Малик, О. Л.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехника”
Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.
Непружне розсіювання дірок на оптичних коливаннях кристалічної ґратки в HgTe
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет "Львівська політехніка"
Точним розв’язком стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду. В інтервалі температур 4,2-300 К розглянуто основні механізми розсіювання дірок з врахуванням непружної взаємодії дірок з оптичними коливаннями кристалічної ґратки. By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2-300 K the main hole scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic hole interaction with optical vibrations of the crystall lattice.
Побудова точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Собчук, І. С.
Запропоновано метод побудови сукупності точних розв’язків стаціонарного рівняння Больцмана для однорідного напівпровідника з ізотропним законом дисперсії у випадку ефекту Холла та електропровідності. Визначено критерій відбору фізичних розв’язків серед сукупності математичних розв’язків рівняння Больцмана. The way of construction of totality of the exact solutions of a stationary Boltzmann equation for the homogeneous semiconductor with the isotropic dispersion law is proposed in case of Hall effect and electrical conductivity. The criterion of selection of the physical solutions from totality of the mathematical solutions of Boltzmann equation is determined.
Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі”
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Кеньо, Г. В.; Малик, О. П.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розроблено математичну модель для розрахунку високочастотних вольтфарадних характеристик МОН-конденсаторів, виготовлених на структурах 44кремній-на-ізоляторі”. Проаналізовано залежність ємностей областей просторового заряду в напівпровідникових шарах поблизу меж розділу з діелектриком від їх зарядового стану. Оцінено зміну вкладу ємностей складових структури у загальну ємність залежно від прикладеної напруги.
Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Petrovych, I. V.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розглядаються моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками в широкозонному CdxHg1-xTe (x=0.52; 0.59; 1.0). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 – 300 К.
Суміщення засобів схемотехнічного та фізико-технічного моделювання в задачах захисту інформації
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Хома, В. В.; Кеньо, Г. В.
Висвітлено питання сумісного використання засобів схемотехнічного і фізико- технічного моделювання для вирішення завдань у галузі інформаційної безпеки. Як приклад наведено застосування програмних пакетів комп’ютерного моделювання (PSPISE і COMSOL Multiphisics) під час проектування системи радіочастотного розпізнавання (RFID). The paper discusses principles of combined use of circuits engineering and physical engineering simulations in the information security area. As an example, RFID system design based on CAD software (PSPICE and COMSOL Multiphysics) is presented.
Ударна і термостимульована іонізація в КНІ МОН транзисторах
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Кеньо, Г. В.; Мищишин, В. М.
Внаслідок проведеного фізичного моделювання некогерентних випромінювачів для фотополімеризації розглянуто можливості застосування стимуляційних режимів для підвищення ефективності цієї фототехнології. In result of seen out phisical modelling non coherent of radiators for photopolimerization are considered the management possibilities by application of stimulation for phototechnologies.