Browsing by Author "Клим, Г. І."

Now showing 1 - 17 of 17

Автоматизована система моніторингу кліматичних параметрів навколишнього середовища
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Варава, А. С.; Новосілець, Т. Л.
The automatized microprocessor system is projected with the use of the developed nanostructured multilayer film sensors for monitoring of such microclimate parameters as temperature and relative humidity. The technological features of nanostructured sensor preparation are represented. The block diagram of this system is proposed.
Деградаційні процеси в мультирівневих товстоплівкових структурах
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Клим, Г. І.; Балицька, В. О.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.
Деградаційні процеси в температурно-чутливих товстоплівкових структурах
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Клим, Г. І.; Балицька, В. О.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.
Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в одно- та мультирівневих температурно-чутливих товстоплівкових структурах на основі змішаних манганітів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності) та Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності). Встановлено, що в досліджуваних товстих плівках р- та p+-типу активуються процеси вигорання залишків органічної зв'язки між зернами шпінелі та одночасне проникнення в простір металевого срібла. Такі процеси описуються стисненою експоненціально-степеневою релаксаційною функцією. Для товстоплівкових р+-р структур характерні власні деградаційні процеси, які проявляються у збільшенні електричного опору, а кінетика їх термоіндукованого старіння адекватно описується розширеною експоненціально-степеневою функцією. The kinetics dependences of thermoinducational drift of electrical resistance in single-and multilayered temperature-sensitive thick-film structures based on mixed manganices Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) are investigated. It is established, that two interconnected processes are activated during degradation test in p- and p+-type thick film - the burning-out of remainders of organic binder between contacting spinel grains with simultaneous Ag penetration into appeared free-volume space. The own degradation processes in thick-film р+-р structures show up in the increase of electric resistance. Their degradation kinetics are adequately described by the extended exponential-power-like relaxation function.
Ефекти монолітизації структури оксиманганошпінельної кераміки Cu0.1Ni0.8Co0.2Mn1.9O4
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Клим, Г. І.
Ефекти монолітизації структури термочутливої кераміки CU0.1NI0.8CO0.2MN1.9O4
(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Клим, Г. І.
Вивчено особливості структури нової технологічно-модифікованої напівпровідникової кераміки Cu0.1Ni0.8Co0.2Mn1.9O4 для сенсорів температури методом позитронної анігіляційної спектроскопії. Встановлено, що вміст додаткової фази NiO поблизу меж зерен має вирішальне значення в процесах монолітизації структури кераміки і відображається в інтенсивності компонент анігіляційного спектра. Виявлений ефект зумовлений значною кількістю енергії, термічно переданої досліджуваній кераміці під час спікання. The structural features of new semiconducting transition-metal manganite Cu0.1Ni0.8Co0.2Mn1.9O4 ceramics for temperature sensors with improved functional reliability are studied with positron annihilation lifetime spectroscopy. It is established that the amount of additional NiO phase in these ceramics extracted during sintering play a decisive role. This effect is well revealed only in ceramics having a character fine-grain microstructure, while the monolithization of ceramics caused by great amount of transferred thermal energy reveals an opposite influence.
Комбінований метод корекції нелінійності дводіапазонних АЦП
(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Кочан, Р. В.; Кочан, О. В.; Клим, Г. І.; Гоц, Н. Є.
Розроблено метод формування тестових точок для визначення та корекції інтегральної нелінійності багаторозрядних АЦП, що використовують багаторезисторний подільник напруги з усередненням спадів напруги на всіх резисторах. Досліджено вплив похибки опору резисторів багаторезисторного подільника та випадкової похибки АЦП на невиключену похибку корекції інтегральної нелінійності. There is developed method of testing points generation for identification and correction of integral nonlinearity of high performance ADC. The developed method is based on averaging all voltages of multi-resistors voltage divider. It is investigated influence of resistors’ error and random error of ADC on residual error of integral nonlinearity correction for method based on multi-resistor divider.
Кристалізаційні процеси в стеклах 80GeSe2-20Ga2Se3
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Клим, Г. І.; Інграм, А.; Шпотюк, О. Й.
Метод корегування нелінійності дводіапазонних АЦП з безпосереднім вимірюванням спадів напруги на резисторах багаторезисторного подільника напруги
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Кочан, Р. В.; Кочан, О. В.; Клим, Г. І.
Розроблено метод формування тестових точок для визначення та коригування інтегральної нелінійності багаторозрядних АЦП, що використовують багаторезисторний подільник напруги з усередненням спадів напруги на усіх резисторах. Проведено дослідження впливу похибки опору резисторів багаторезистивного подільника та випад- кової похибки АЦП на невиключену похибку коригування інтегральної нелінійності. There is developed method of testing points generation for identification and correction of integral nonlinearity of high performance ADC. The developed method is based on averaging all voltages of multi-resistors voltage divider. It is investigated influence of resistors’ error and random error of ADC on residual error of integral nonlinearity correction for method based on multi-resistor divider.
Метод корекції нелінійності АЦП на базі джерела підвищеної напруги
(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Кочан, Р. В.; Кочан, О. В.; Клим, Г. І.; Гоц, Н. Є.
Розроблено метод формування тестових точок для визначення та корекції інтегральної нелінійності АЦП, який використовує багаторезисторний подільник напруги з усередненням спадів напруги на резисторах, що живиться напругою, значно вищою, ніж діапазон тестованого АЦП. Досліджено вплив похибки опору резисторів багаторезисторного подільника та випадкової похибки АЦП на невиключену похибку корекції інтегральної нелінійності. There is developed method of testing points generation for identification and correction of integral nonlinearity of high performance ADC. The developed method is based on averaging all voltages of multi-resistors voltage divider, which is powered by reference voltage source with output voltage higher than range of tested ADC. It is investigated influence of resistors’ error and random error of ADC on residual error of integral nonlinearity correction for proposed method.
Модель багатоканальної позитронної анігіляції в діелектричній кераміці MGAL2O4
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Клим, Г. І.; Ваків, М. М.
Узагальнено багатоканальну модель позитронної анігіляції для діелектричної кераміки MgAl2O4 шпінельного типу. Показано, що ця модель об’єднує канали захоплення позитронів об’ємними дефектами та розпад атомів орто-позитронію. У межах розвинутого підходу перша компонента часів життя позитронів відображає мікроструктурні особливості шпінельної структури, друга компонента відповідає об’ємним дефектам біля міжзеренних границь, а третя – процесу «pick-off» анігіляції орто-позитронію в наповнених вологою нанопорах кераміки. Показано, що процеси вологопоглинання в кераміці MgAl2O4 каталітично впливають на захоплення позитронів дефектами. The multi-channel model of positron annihilation for humidity-sensitive dielectric spinel-type MgAl2O4 ceramics is generalized. It is shown that this model unifies the channels of positron trapping and ortho-positronium decay modes. In terms of developed approach, the first component in the lifetime spectra reflects microstructure specificity of the spinel structure, the second component responsible to extended defects near grain boundaries and the third component corresponds to “pick-off” annihilation of ortho-positronium in the water-filled nanopores of ceramics. It is shown that the water-sorption processes act catalytically on positron trapping in MgAl2O4 ceramics.
Нанострукторовані мульти-функціональні сенсорні елементи як складові кібер-фізичних систем
(НВФ «Українські технології», 2015) Клим, Г. І.
Одержано та досліджено мульти-функціональні температурно- та волого-чутливі наноструктурно-оптимізовані сенсорні елементи в об’ємному та товстоплівковому виконанні для застосування в якості компонент кібер-фізичних систем. Спроектовано прототип системи контролю та реєстрації мікрокліматичних параметрів середовища з використанням розроблених наноструктурованих сенсорних елементів. The multifunctional temperature- and humidity-sensitive nanostructured and optimized sensor elements in bulk and thick-film performance were prepared and studied for application as components of cyber-physical systems. The prototype of system for control and registration of microclimate environmental parameters with use of the developed nanostructured sensor elements was proposed.
Наноструктуровані температурно- та вологочутливі сенсорні структури на основі шпінельної кераміки
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.
Проаналізовано можливості одержання наноструктурованих температурно- та вологочутливих товстоплівкових структур на основі напівпровідникової та діелектричної кераміки різних хімічних складів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності) та діелектричної кераміки MgAl2O4 (і-тип). Показано, що температурночутливі товсті плівки мають чутливість на ділянці температур від 298 до 368 К, а вологочутливі – на ділянці відносних вологостей від 40 до 98 %. Одержані товстоплівкові структури можна успішно застосовувати для одержання інтегрованих температурно-, вологочутливих сенсорів моніторингу та контролю навколишнього середовища. Nanostructured temperature and humidity-sensitive thick-film structures based on spinel-type semiconducting and dielectric ceramics of different chemical composition Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with ptypes of electrical conductivity) and insulating (i-type) MgAl2O4 ceramics were fabricated and studied. It is shown that temperature-sensitive thick films possess sensitivity in the region from 298 to 358 K and humidity-sensitive thick films are sensitive from 40 to 98 %. Obtained thickfilm structures can be successfully applied for integrated temperature-humidity sensors of environmental monitoring and control.
Наноструктуровані температурно-вологочутливі сенсорні структури на основі шпінгельної кераміки
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Гадзаман, І. В.; Шпотюк, О. Й.
Система контролю температури та вологості на базі PSOC з використанням наноструктурованих давачів
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Клим, Г. І.; Варава, А. С.
Спроектовано спеціалізовану систему з мікропроцесорним обробленням сигналу на базі перепрограмованої системи на кристалі PSoC для контролю таких параметрів середовища, як температура та відносна вологість з використанням розроблених наноструктурованих давачів. Розроблено базу даних для реєстрації, зберігання та аналізу параметрів стану довкілля. The specialized microprocessor system based on PSoC was projected with use of the developed nanostructured sensors for environmental monitoring of such parameters as temperature and relative humidity. A database is developed for registration, storage and analysis of the state of environmental parameters.
Спеціалізована система визначення положення тіла людини у віртуальній реальності
(Видавництво Львівської політехніки, 2019-10-31) Ворончук, О.; Клим, Г. І.
Термодеградаційні ефекти у товстоплівкових елементах на основі шпінельної кераміки Cu- та Co-збагачених складів
(Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Клим, Г. І.; Klym, H. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
Досліджено кінетичні залежності термоіндукованого дрейфу електричного опору в тов- стоплівкових елементах на основі шпінельної кераміки Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (Co-збагачений склад) та Сu0,8Ni0,1Co0,2Mn1,9O4 (Cu-збагачений склад). Виявлено ефект термічного “шоку”, який проявляється у різкому зростанні електричного опору елементів у першому циклі ізотермічної витримки за 170 оС з подальшим збереженням опору на встановленому рівні під час подальшого продовження деградаційного тесту в Cu-збагачених складах, а також ефект плавного зменшення опору під час термоекспонування у зразках Co-збагаченого складу. Встановлено, що електричні параметри елементів Cu-збагачених складів вдається істотно застабілізувати попередньою ізотермічною витримкою за порівняно низької температури.
Термоіндуковані кристалізаційні процеси в халькогенідних стеклах Ge-Ga-Se
(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Клим, Г. І.; Шпотюк, О. Й.; Кулик, Б. Я.
Досліджено термоіндуковані кристалізаційні процеси в халькогенідних стеклах 80GeSe2- 20Ga2Se3 з використанням рентгенівської дифрактометрії, атомно-силової мікроскопії та позитронної анігіляційної спектроскопії. Показано, що спостережувані зміни в дефектній компоненті анігіляційного спектра під час відпалу свідчать про нуклеацію, яка супроводжується агломерацією пустот на початкових етапах термічного відпалу з подальшою структурною фрагментацією великих вільнооб’ємних пустот у більшу кількість пустот меншого розміру за одночасної кристалізації фаз GeGa4Se, Ga2Se3 та GeSe2. Зважаючи на відхилення значень часу життя позитронів tb від відповідних значень для компонентів GeSe2 та Ga2Se3, досліджувані стекла не можна класифікувати як типові псевдобінарні системи. Thermally-induced crystallization processes in 80GeSe2-20Ga2Se3 glass caused by annealing at 380 °C for 10, 25, 50, 80 and 100 h are studied using X-ray diffraction, atomic force microscopy and positron annihilation lifetime spectroscopy. It is shown that observed changes in defect-related component in the fit of experimental lifetime spectra for annealed glasses testifies in a favour of structural fragmentation of larger free volume entities into smaller ones at crystallization of GeGa4Se, Ga2Se3 and GeSe2 phases with preceding nucleation and void agglomeration in the initial stage of annealing. Because of strong deviation in defect-free bulk positron lifetime tb from corresponding additive values proper to boundary constituents, the studied 80GeSe2-20Ga2Se3 glasses cannot be considered as typical pseudo-binary systems.