Browsing by Author "Ковальський, А. П."

Now showing 1 - 3 of 3

Вплив високоенергетичного у-випромінювання на оптичні властивості халькогенідних стекол системи As-Sb-S
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Ковальський, А. П.; Національний університет "Львівська політехніка"
Досліджено вплив високоенергетичного у-випромінювання на спектри оптичного пропускання халькогенідних склоподібних напівпровідників системи A s-Sb-S по псевдобінарному розрізу (As2S3)x(Sb2S3)i-x. Встановлено, що у всьому досліджуваному концентраційному діапазоні радіаційна обробка приводить до потемніння стекол в області краю поглинання та його просвітління в області прозорості. Зроблено висновок, що величина та характер спостережуваних змін оптичних властивостей визначаються співвідношенням концентрацій атомів As та Sb. Запропоновано механізм радіаційно-індукованого дефектоутворення. Influence of high-energetic y-radiation on the optical transmittance spectra of chalcogenide vitreous semiconductors of As-Sb-S system along of (As2S3)x(Sb2S3)1-x pseudobinary line was investigated. It was established that radiation treatment leads to the darkening of glasses near the optical absorption edge and their bleaching in the transmittance region for the whole investigated concentration range. It was concluded that the magnitude and the character of observed changes of optical properties are determined by the ratio of As and Sb concentrations. Mechanism of radiation-induced defect formation processes was proposed.
Композиційні особливості у-індукованих змін оптичних властивостей трикомпонентних систем халькогенідних склоподібних напівпровідників
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Ковальський, А. П.; Національний університет “Львівська політехніка”
Проведено порівняльний аналіз характеру композиційних залежностей статич¬ної складової у-індукованих змін оптичного пропускання Ат для різнотипних трик¬омпонентних систем халькогенідних склоподібних напівпровідників: квазібінарних; хімічно модифікованих зі слабко порушеною стехіометрією; нестехіометричних з широкою варіацією середнього координаційного числа. Встановлено, що особливос¬ті механізму радіаційно-індукованих змін визначаються розмірністю і стехіометрією структурної матриці скла, параметрами вільного об’єму та специфікою радіаційно- індукованого дефектоутворення. Comparative analysis of the pattern of compositional dependencies for the static component of у-induced changes of optical transmittance Ат in the different types of ternary systems of vitreous chalcogenide semiconductors: quasi-binary; chemically modified with weakly broken stoichiometry; non-stoichiometric, with wide variation of the average coordination number has been carried out. It has been established that the features of the mechanism of radiation-induced changes are determined by the dimensionality and stoichiometry of glass structural matrix, the free volume parameters and the specificity of radiation-induced defect formation.
Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках. (Короткий огляд)
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Шпотюк, О. Й.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Головчак, Р. Я.; Кавецький, Т. С.; Ковальський, А. П.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
Представлено результати дослідження впливу високоенергетичних іонізуючих випромінювань на фізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників. Зроблено короткий історичний огляд наукових шкіл з проблеми. Детально проаналізовано радіаційно-індуковані ефекти, спричинені дією у-квантів. Запропоновано мікроструктурні, топологічні та математичні підходи для пояснення механізмів виникнення та релаксації вказаних явищ. Investigations of the effect of high-energetic ionizing irradiations on physical properties of chalcogenide vitreous semiconductors are presented. Short historical review of scientific teams, working in this field, is made. Radiation-induced effects caused by the influence of у-quanta are analyzed in details. Microstructural, topological and mathematical approaches to the explanation of the mechanisms of these phenomena appearance and relaxation are proposed.