Browsing by Author "Ковалюк, З. Д."

Now showing 1 - 7 of 7

Динаміка політипів в кристалах GaSe та InSe
(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Ластівка, Г. І.; Хандожко, О. Г.; Ковалюк, З. Д.
Досліджена динаміка політипних структур у матеріалах GaSe та InSe методом ЯКР. Дослідження були проведені на свіжовирощених та відпалених кристалах. Тонка структура спектрів ЯКР дозволяє ідентифікувати політипні модифікації та їхній відносний вміст у кристалічній матриці. Зроблено висновок, що в досліджених монокристалах GaSe та InSe, вирощених за методом Бріджмена, для перших існують суміш ε і γ політипів з переважанням ε-політипу, а для InSe, відповідно, – γ-політипу. The dynamics of the polytypes structures in GaSe and InSe materials are investigated by NQR method. The researches were carried out on as-grown and annealed crystals. The thin structure of the NQR spectra allows to identify polytype modifications and their relative maintenance in the crystal matrix. It is concluded that the investigated GaSe and InSe single crystals grown by the Bridgman method are a mixture of different polytypes – the ε and γ ones with prevailing the ε – polytype in the first case whereas the γ – polytype is dominant for InSe.
Динаміка політипів у відпалених кристалах GaSe
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Ластівка, Г. І.; Хандожко, О. Г.; Ковалюк, З. Д.
Електричні властивості шаруватих кристалів In2Se3 легованих Cd, J та Cu
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заслонкін, А. В.; Ковалюк, З. Д.; Мінтянський, І. В.; Янчук, О. І.; Національний університет "Львівська політехніка"
У діапазоні 80-400 К досліджено електричні властивості спеціально нелегованих та легованих 0,1 мас. % кадмію, йоду чи міді монокристалів In2Se3 гексагональної фази. Значна зміна концентрації вільних електронів зафіксована лише при введенні домішки галогену: від 4,910 17 (In2Se3) до 1,6-101 8 см3 при 300 К. Отримана температурна залежність рухливості електронів вздовж шарів пояснена їх взаємодією з акустичними фононами і нейтральними домішками. Встановлено, що найбільш істотно при легуванні змінюється провідність впоперек шарів, зокрема, до 10 разів для In2Se3. Electrical properties of layered In2Se3 are investigated between 80 and 400 K for intentionally undoped and containing 0.1 wt.% of cadmium, iodine, or copper single crystals of the hexagonal phase. We have found that the essential change of electron density at 300 K from 4,9-1017 cm-3 for undoped In2Se3 to 1,6-1018 cm-3 takes place after doping with iodine. The obtained changes of the Hall mobility along the layers with temperature are explained by the interactions of electrons with acoustic phonons and neutral impurities. It is established that the conductivity across the layers is the most essentially affected by doping. In particular, for In2Se3 samples it is increased nearly by two orders of magnitude.
Електричні характеристики монокристалів n-InSe, опромінених електронами
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ковалюк, З. Д.; Мінтянський, І. В.; Савицький, П. І.
ЕПР І ЯКР у шаруватому кристалі GaSe:Gd
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Хандожко, О. Г.; Ластівка, Г. І.; Саміла, А. П.; Ковалюк, З. Д.
Досліджений вплив політипної структури GaSe на форму спектрів ЕПР домішки гадолінію у стані Gd3+. Показано, що під час концентрації домішки порядку 1018 см-3 у шаруватому кристалі існують, щонайменше, три типи парамагнітних центрів. Наявність нееквівалентних позицій іона Gd3+ пояснюється присутністю політипних модифікацій в GaSe. Виявлено, що введення парамагнітної домішки в кристал істотно уширює спектр ЯКР. The influence of the polytype structure of GaSe on the shape of the EPR spectra of gadolinium impurity in a state of Gd3+ were studied. Shown that when the impurity concentration of the order 1018sm-3 in a layered crystal, there are at least three types of paramagnetic centers. The presence of nonequivalent sites of Gd3+ is associated with the presence of polytypic modifications in GaSe. It was found that the introduction of paramagnetic impurities in the crystal is considerably broadened NQR spectra.
Походження мкльтиплетності спектрів ЯКР у шаруватому кристалі InSe
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Ластівка, Г. І.; Хандожко, О. Г.; Ковалюк, З. Д.
ЯМР 7Li в інтеркальованому кристалі GaSe:Li
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Хандожко, О. Г.; Ластівка, Г. І.; Ковалюк, З. Д.
За допомогою ядерного магнітного резонансу (ЯМР) встановлено, що в міжшаровому просторі інтеркальованої Li шаруватої сполуки GaSe існують два стани літіюрухомі іони Li+ та фіксовані, жорстко пов’язані з граткою. Спостереження ЯМР в градієнтному магнітному полі дало можливість отримати інформацію про просторовий розподіл інтеркалянту в об’ємі зразка GaSe. By means of the nuclear magnetic resonance method (NMR) was established, that in an intercalated GaSe there are two condition of an impurity Li – mobile and fixed. The spatial distribution of an intercalated Li impurity in GaSe samples is considered. Observation of NMR spectra in gradient magnetic field enables to receive information about distribution of lithium ions in a volume of a sample of layered compound GaSe.