Browsing by Author "Краєвський, С. Н."

Now showing 1 - 7 of 7

Електронна енергетична структура кристала InN, розрахована на функціях Блоха і плоских хвилях
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.
Розраховані електронні енергетичні спектри кристала InN у наближенні функціонала локальної електронної густини. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який містить функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії в InN краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. The electronic energy bands in a crystal InN have been evaluated within the electronic density functional theory. The Hamiltonian matrix was derived on mixed basis, including the core Bloch states and plane waves. The obtained band energies show better agreement to experiment than those evaluated by means of ab initio atomic pseudopotentials.
Електронна енергетична структура твердих розчинів SixGe1-x
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Сиротюк, C. B.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Національний університет "Львівська політехніка"
Розраховано електронні енергетичні спектри Si, Ge і твердих розчинів SixGe1-x у наближенні функціонала локальної електронної густини. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдо- потенціалів. Виявлено, що в околі концентрації Si x=0,25 зонні енергії електронів провідності у долинах L1c та X1c відрізняються тільки на соті частки еВ, тобто отримується багатодолинний напівпровідник, у якому ширина забороненої зони менша від аналогічної у чистому Si, але більша від такої у чистому Ge. The electronic energy bands of Si, Ge and solid solutions SixGe1-x have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in Si and Ge obtained here are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach. We found that in the vicinity of Si concentration x=0.25 the band energies of conduction electrons at L1c and X1c differs each other by 10-2 eV, and therefore we deal with multivalley semiconductor, in which the band gap is less than in pure Si and greater than in pure Ge.
Залежність зонних енергій напівпровідника від глибини кулонової потенціальної ями
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.
Розраховані електронні енергетичні спектри алмазу за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціалу атома у прямому просторі. , що враховує скінченність Кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра в, що визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору величини в для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обгрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини. The electronic energy band spectra of diamond have been calculated by means of analytical approximant of the total atomic potential in a direct space. A latter is represented in a form, accounting a finite limit of a Coulomb well in a vicinity of atomic nuclear. The depth of Coulomb well depends only of a unique parameter в. The band energies have been evaluated in a wide range of it. The approximate criteria for choice of в for different atoms has been derived. The Hamiltonian matrix has been calculated within the mixed basis of one-particle states, consisting of core Bloch sums and plane waves. On base of obtained results is made an assumption, concerning the reasons of considerable dispersion of calculated band energies with different pseudopotentials, derived in the density functional theory.
Критерій вибору глибини кулонової потенціальної ями в кремнії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.; Syrotyuk, S. V.; Kraevsky, S. N.; Kynash, Yu. E.; Національний університет “Львівська політехніка”; Український державний лісотехнічний університет
Розраховані електронні енергетичні спектри кремнію за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціала атома у прямому просторі , яка враховує скінченність кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра β, який визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору значення β для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обґрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини.
Прискорені алгоритми розрахунку законів дисперсії на змішаному базисі в GaAs
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Різак, В. Л.; Національний університет "Львівська політехніка"
Виведені і реалізовані прискорені алгоритми розрахунку матриці гаміль-тоніана кристала на змішаному базисі одноелектронних станів. Доведена їхня перевага над традиційним підходом, що ґрунтується на розкладі кристалічного потенціалу в ряд Фур’є. The accelerated algorithms for crystal Hamiltonian matrix calculation within the mixed basis of single-particle states have been derived and implemented. Their advantage over traditional approach grounded on the Fourier series development of crystal potential has been proved.
Про важливість базисного врахування остовно-валентних кореляцій в задачі про електронний енергетичний спектр напівпровідників
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.
Розраховані електронні енергетичні зони GaP у наближенні функціоналу локальної електронної густини. Матриця гамільтоніану обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. Зроблений висновок про важливість врахування в розрахунках енергетичних зон напівпровідників остовновалентних кореляцій. The electronic energy bands of GaP have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies obtained here are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic normconserving ab initio pseudopotential approach. The conclusion about importance of the core-valence correlation accounting in the energy band calculations has been made.
Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Сиротюк, С. В.; Собчук, І. С.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.
Електронний енергетичний спектр простого кубічного кристала у наближенні сильного зв’язку апроксимований за допомогою поліномів Чебишева у першій зоні Брилюена. Точність апроксимації визначається для різних порядків поліномів. Отримані апроксиманти використані для розрахунку густини електронних станів. Проаналізована придатність отриманих апроксимацій для виявлення особливостей Ван Хова густини електронних станів. The energy band spectrum of simple cubic crystal within a tight binding model has been approximated by a Chebyshev polynomials over first Brillouin zone. The precision of approximation is evaluated for different degrees of polynomials. The obtained approximations have been applied in evaluation of electronic density of states. The validity of obtained approximations to show Van Hove singularities of electronic density of states has been analyzed.