Browsing by Author "Крисько, Р. Р."
Now showing 1 - 8 of 8
- Results Per Page
- Sort Options
Item Вплив параметрів керуючих імпульсів на стабільність роботи джозефсонівських елементів логіки “НЕ”(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Крисько, Р. Р.; Тиханський, М. В.Item Вплив параметрів керуючих імпульсів на стабільність роботи джозефсонівських елементів логіки “НЕ”(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.Запропоновано схему та принцип роботи цифрових логічних елементів “НЕ” на основі джозефсонівських кріотронів. Керування логічним станом таких елементів логіки здійснювалось за допомогою зовнішніх імпульсів магнітного потоку. Створено математичну модель перехідних процесів у джозефсонівських логічних елементах “НЕ” під час зміни їх логічного стану під дією керуючих сигналів та розраховано перехідні характеристики. Досліджено вплив параметрів імпульсів керуючих сигналів на швидкодію та стабільність роботи таких елементів логіки та оцінено час комутації для логічних переходів “1”→“0” та “0”→“1”. The scheme and the operational principle of digital logical elements “NOT” based on Josephson cryotrons were proposed in the given work. The control of the logical state of such logical elements was realized by means of external magnetic flux pulses. We developed a mathematical model of the transition processes in Josephson logical elements „NOT“ during the change of their logical state induced by controlling sygnals and calculated respective transition characteristics. We studied the influence of the controlling pulses’ parameters on the operational speed and stability of these logical elements and estimated the commutation time for logical transitions “1”→“0” and “0”→“1”.Item Математична модель процесів комутації в елементах логіки “або” на основі Джозефсонівських кріотронів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Крисько, Р. Р.; Тиханський, М. В.Item Особливості керування логічним станом кріотронів імпульсами магнітного потоку(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.Використано еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП), залежність його критичного струму від прикладеного зовнішнього магнітного поля і його вольтамперні характеристики (ВАХ), розраховані для робочої температури T = 81,2 К. На основі ДТП запропоновано створити джозефсонівські кріотрони (джозефсонівські комірки пам’яті) і розроблено математичну модель перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах під час керування їх логічним станом імпульсами магнітного потоку. Методами математичного моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів та досліджено вплив параметрів кріотронів та варіацій критичного струму на логічні переходи. Досліджено також вплив імпульсів керуючого магнітного поля на стабільність режиму роботи кріотронів. In the present work, we explore the equivalent scheme of a Josephson tunneling junction (JTJ), in particular, the dependence of its critical current on the external magnetic field and its V-I diagrams calculated for the working temperature T = 81,2 К. We have proposed designing of JTJ-based Josephson cryotrons (Josephson memory cells) and developed a mathematical model of logical state transition processes in Josephson cryotrons drived by magnetic flux impulses. By means of mathematical modeling, we have simulated transition processes of the cryotrons and investigated the effect of the cryotrons’ parameters and the variation of the critical current on the logical transitions. We have also investigated the effect of the impulses of the controlling magnetic field on the cryotrons’ stability.Item Перехідні характерисики джозефсонівських кріотронів при азотних температурах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.; Tyhanskyi, M. V.; Krysko, R. R.; Partyka, A. I.; Національний університет “Львівська політехніка”Математично змодельовано і досліджено перехідні процеси в джозефсонівських кріотронах (ДК) під час керування їх логічним станом імпульсами струму при азотних температурах. Показано, що керування логічним станом кріотронів імпульсами струму, форму яких можна описати часовою функцією e-1t, є більш ефективним, ніж керування імпульсами струму гауссівської форми.Item Перехідні характеристики джозефсонівських елементів логіки “І”(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.Розглянуто можливість реалізації елементів цифрової логіки “І” на базі джозефсонівських тунельних переходів і показано, що такі елементи можна створити і ефективно керувати їх логічним станом за допомогою зовнішніх сигналів електричного струму. Створено математичну модель перехідних процесів, що відбуваються в елементах логіки “І” під час зміни їх логічного стану, проведено математичне моделювання логічних переходів “0”®”1” та “1”®”0”, розраховано перехідні характеристики і визначено параметри моделі, за яких забезпечена висока швидкодія та стабільний режим роботи. In this work, we consider a possibility of the realization of the digital logic’s elements “and” on a basis of Josephson tunneling junctions. It was shown that such elements can be created and their logical state can be effectively controlled by means of external electrical current pulses. A mathematical model of the transition processes that take place in the logical elements “and” during the change of their logical state was developed. We carried out a mathematical modeling of the logical transitions “0”®”1” and “1”®”0” as well as calculated the transition characteristics and determined the model parameters that ensure the high operational speed and stability.Item Перехідні характеристики джозефсонівських елементів логіки "І"(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Крисько, Р. Р.; Тиханський, М. В.Item Перехідні характеристики кріотронів на основі сквідів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.Використовуючи еквівалентну схему та принцип роботи двоконтактного надпровідного квантового інтерферометра (СКВІДа) як елемента комп’ютерної пам’яті, створено математичну модель перехідних процесів у таких елементах пам’яті. Розраховано перехідні характеристики квантових кріотронів під час керування їх логічним станом імпульсами магнітного потоку. Здійснено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” → “1” та “1” → “0”. Показано, що стабільно працювати такі кріотрони можуть тільки при логічних переходах “0” → “1”; досліджено вплив амплітуди керуючих імпульсів і середньої тривалості імпульсів на перехідні характеристики кріотронів та їх швидкодію. An equivalent scheme and the principles of operation of a double-contact superconducting quantum interference device (SQUID) used as a memory cell have been incorporated to create a mathematical model of transition processes in such memory cells called quantum criotrons. The transition characteristics of the quantum criotrons with their logical state controlled by impulses of magnetic flux have been calculated. For the logical transitions “0” → “1” and “1” → “0”, the transition processes have been modeled, and the transition characteristics have been obtained. It has been shown that the criotrons’ functioning is stabilized only during the logical transitions “0” → “1”. The dependence of the criotrons’ transition characteristics and speed on the amplitude and average duration of control impulses has been investigated.