Browsing by Author "Лабовка, Д. В."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Цмоць, В. М.; Хляп, Г. М.; Паньків, Л. І.; Лабовка, Д. В.; Петренко, В. В.; Новоставський, Р. В.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Досліджено польові характеристики (залежність струму від прикладеного електричного поля) контактів метал - напівпровідник на основі полі- і монокристалів кремнію n-типу провідності. Визначено домінуючі механізми струмопроходження і показано, що, як емісія Пула - Френкеля, так і степенева залежність струму від поля спостерігаються на структурах обох типів. Для структури метал - моно-n-Si реєструється залежність I ~ Fm, де m < 1 в усьому діапазоні прикладених полів. Field characteristics (current-applied electric field) of metal - semiconductor structures based on mono- and poly-n-Si crystals are investigated at room temperature. The dominant current mechanisms are determined. It is shown that Pool - Frenkel emission and power law current are registered for all structures. The samples metalmono- Si show the dependence I ~ F , m < 1 under all range of applied fields.
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив високотемпературної обробки на мехінізми струмопроходження в mono- i poly - n-Si
    (Видавництво Львівської політехніки, 2003) Паньків, Л. І.; Лабовка, Д. В.; Лучкевич, В. М.; Терлецька, А. М.; Хляп, Г. М.; Цмоць, В. М.
    Описані результати з вивчення впливу високотемпературної обробки при температурі 900° С (ВТО-900) на механізми струмопроходження в структурах на основі mono- та poly-n-Si вихідних зразків і зразків, що пройшли ВТО. Порівняння ВАХ показало, що високотемператрна обробка не впливає на механізми струмопроходження в цих структурах.Встановлено, що домінуючою компонентою струму, який спостерігається в експеременті є тунельний.The results of the influence of high-temperature treatment at 900° C (HTT-900) on current mechanism in intial and treated mono- and poly-n-Si-based structures are presented. Comparison of I-V characteristics showed that high-temperature treatment does not influence o current mechanism in these structures. It was turned out that tunneling current is the dominant component of experimentally observed current.