Browsing by Author "Макіло, О. Ю."

Now showing 1 - 2 of 2

Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inas
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Большакова, І. А.; Гумен, І. С.; Ковальова, Н. В.; Макіло, О. Ю.; Маслюк, В. Т.; Мегела, І. Г.; Шуригін, Ф. М.
Виконано дослідження впливу температури опромінення сенсорів на основі гетероструктур n-InSb/i-GaAs та n-InAs/Al2O3 високоенергетичними електронами в діапазоні від 0 до 200 °С, а також впливу ізохронного відпалу у вакуумі на параметри опромінених зразків. Показано, що під час опромінення в гратку InSb та InAs вводяться радіаційні дефекти як донорного, так і акцепторного типів. Встановлено, що ефективність впливу радіаційних дефектів на властивості досліджених структур залежить від рівня легування епітаксійних плівок та температури опромінення. Методом ізохронного відпалу зразків, опромінених при різних температурах, доведено, що точкові радіаційні дефекти, які виникають під час опромінення високоенергетичними електронами, зазнають часткового відпалу під час високотемпературного опромінення. The impact of temperature of n-InSb/i-GaAs and n-InAs/Al2O3 heterostructure-based sensors’ irradiation with high-energy electrons in the range from 0°C up to 200°C, as well as the influence of isochronous annealing in vacuum upon the parameters of irradiated samples have been investigated. It has been demonstrated that radiation defects of both donor and acceptor types are input into InSb and InAs lattice during irradiation process. It has been determined that the effectiveness of radiation defects’ impact on the characteristics of structures under research depends upon the level of epitaxial films’ doping and irradiation temperature. It has been proved with the help of samples’ isochronous annealing method (applied to the samples irradiated at different temperatures) that point radiation defects appearing at irradiation with high-energy electrons sustain partial annealing in the course of high-temperature irradiation.
Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-xSbx, вирощених методом транспортних реакцій
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макіло, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Показана можливість вирощування мікрокристалів твердих розчинів InAs1-хSbх методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. В інтервалі температур 77–450 К виконано дослідження кінетичних параметрів вирощених мікрокристалів – коефіцієнта Холла, питомого опору і рухливості електронів. Показано, що результати цих досліджень можна узгодити між собою, якщо припустити, що у досліджуваних твердих розчинах ефективна маса вільних носіїв заряду зростає з температурою за степеневим законом m ~ T0,25. Встановлено, що за високих температур в процесах розсіювання вільних носіїв заряду домінують оптичні фонони з деякою добавкою розсіювання на акустичних фононах. Визначена ширина забороненої зони досліджуваних мікрокристалів і оцінено їхній хімічний склад, який відповідав значенню х ≈ 0,15. The possibility of growing InAs1-хSbх solid solution microcrystals with the help of chemical-transport technique in hydrogen chloride atmosphere has been shown. Kinetic parameters of grown microcrystals – Hall coefficient, resistivity, and electron mobility – have been investigated in the temperature range of 77-450 K. It has been demonstrated that the results of these investigations can be agreed with each other, assuming that effective mass of free charge carriers grows with temperature according to power law m ~ T0,25 in solid solutions under research. It has been determined that at high temperatures, in the processes of free charge carrier scattering, optical phonons dominate with some addition of scattering on acoustical phonons. The breadth of band gap in microcrystals under research has been determined, and their chemical composition estimated as the one corresponding to the value of х ≈ 0.1.