Browsing by Author "Матковський, А."

Now showing 1 - 3 of 3

Моделювання мікрочіпового лазера з пасивною модуляцією добротності на основі генеруючого середовища YB:YAG
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Бурий, О.; Мельник, С.; Убізський, С.; Матковський, А.
Розглядається мікрочіповий лазер з пасивною модуляцією добротності на основі експериментально отриманих монокристалічних середовищ Yb:YAG. За допомогою числового моделювання процесу імпульсної генерації показано, що використання генеруючого середовища Yb:YAG порівняно з традиційним Nd:YAG, дає змогу отримати більші значення енергії в імпульсі. The passively Q-switched microchip laser on the experimentally obtained crystalline media Yb:YAG is considered. As it is shown by means of the laser action numerical simulation, the usage of the Yb:YAG generating medium using allows to reach higher values of the laser pulse energy in comparison with traditional Nd:YAG one.
Радіаційно-індуктовані дефекти в лазерних кристалах на основі Gd3Ga5O12
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Матковський, А.; Сугак, Д.; Убізський, С.; Потера, П.; Сольський, І.; Григорьева, Л.; Міллер, Д.; Панкратов, В.; Сухоцький, А.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут матеріалів НВП “Карат”; Інститут фізики Жешувського університету; Інститут фізики твердого тіла Латвійського університету; Інститут фізики ПАН
Досліджено стабільні центри забарвлення (ЦЗ), що виникають у кристалах ГГГ під впливом опромінення гамма-квантами (? = 1,25 Мев, поглинуті дози до 2*10 Гр), та короткоживучі ЦЗ, створені імпульсним електронним пучком (? =12 2= 250 КеВ, тривалість імпульсу 10 нс, флюенс 10 см"). Показано, що при даних режимах опромінення зміни оптичних властивостей ГГГ зумовлені радіаційним перезарядженням генетичних дефектів кристалів. На основі вивчення спектрів поглинання неопромінених та опромінених зразків ГГГ встановлено залежність між станом дефектної підсистеми свіжовирощених кристалів та типами центрів забарвлення, що індуковані радіацією. Запропоновано моделі стабільних та короткоживучих ЦЗ в кристалах ГГГ. Оцінено вплив індукованих радіацією ЦЗ на зміну генераційних властивостей монокристалів ГГГ :Nd. Stable color centers (CC), which appear in the GGG-crystals under the influence of the gamma-quanta irradiation (? = 1,25 MeV, absorbed dose less then 2*10 Gy), and transient CC, created by the impulse beam of electrons (?=250 KeV, duration of 12 2 the pulse 10 ns, fluence 10 cm ) were investigated in this work. It is shown, that the changes of the GGG optical properties at those irradiation conditions are connected with the recharge of the genetic defects of crystals. The radiation induced CC types depend on the state of the defect subsystem of as-grown crystals as it was established on the base of the absorption spectra studying. The models of the stable and transient CC in GGG crystals were proposed. The influence of the radiation induced CC on the GGG: Nd crystal lasing properties was estimated.
Штарківські підрівні ІОНА Тm3+ в кристалах YALO3
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Савицькнй, Д.; Мартинюк, Н.; Матковський, А.; Жидачевський, Я.; Сугак, Д.; Качкан, М.; Маліновський, М.
Досліджено спектроскопічні властивості кристалів YAlOj, легованих іонами Tm3+. Досліджено поляризовані спектри поглинання цих кристалів, а також спектр люмінесценції при збудженні мультиплету 'G4, що дозволило встановити енергетичні позиції та проаналізувати симетрію штарківських підрівнів мультиплетів 3F4, 3Н4, 3F3, 3F2, ^.і та !D2 іона тулію в кристалі YAlOj. Spectroscopic properties of Tm-doped YAP single crystals have been investigated. We have studied polarized absorption spectra of these crystals as well as luminescence spectrum at the excitation of G4 thulium manifold. This allowed us to find the energy positions and to analyze symmet YAIO3 crystals.