Browsing by Author "Невзоров, В. В."

Now showing 1 - 5 of 5

Взаємозв’язок конструктивних параметрів і електричного опору мікроконтактного з’єднання в ІС
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Дячок, Д. Т.; Смеркло, Л. М.; Невзоров, В. В.
Наведено математичний аналіз залежності електричного опору мікроконтактного з’єднання (МКЗ) від його геометричних розмірів і перехідного опору. Розроблено програми розрахунку. Встановлено, що у запропонованій моделі ширина і товщина плівкового провідника здебільшого не істотно, а зміна діаметра дроту – істотно впливають на опір МКЗ. Для малих розмірів МКЗ його опір визначається, переважно, перехідним контактним опором. The mathematical equations for analysis of dependence of electric resistance of microcontact connection (MCC) on its dimension and intermediate resistance are considered. The computation software is designed. It is established that in proposed model the width and thickness of film conductor layer do not influence on MCC resistance and change of wire diameter impacts greatly on MCC resistance. For small MCC dimension its resistance is determined by intermediate contact resistance.
Вибір оптимальної форми комірки та варіанта їх розміщення на кристалі при проектуванні ДМОН ПТ
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.
Розглянуто вплив форми комірок та їх розташування на опір потужного ДМОН транзистора у відкритому стані. Показано, що трикутні комірки мають перевагу над комірками квадратної та гексагональної форми. Considered the influence of cell’s form and their disposition on resistance of powerful MOS transistor in open state. It is shown, that three-cornered cells get advantage in compare of square and hexagonal forms.
Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.
Показано вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Досліджено гетерування дефектів за допомогою іонної імплантації вольфраму. Запропоновано засоби зменшення дефектоутворення при проведенні технологічних операцій. The influence of imperfections and dislocation on the electrical parameters of power DMOS transistors is presented in this paper. The imperfection gettering by W ions implantation is investigated. Methods for reduction of imperfection at technological process are proposed.
Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.; Дорош, Н. В.; Національний університет "Львівська політехніка"
Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.
Принцип побудови основних компонентів САПР для потужних МОН ПТ
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001-03-27) Смеркло, Л. М.; Невзоров, В. В.; Беген, В. І.; Невзорова, Т. В.; Галкіна, Л. В.; Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститут; Національний університет "Львівська політехніка"
Розглянута структура та принципи побудови САПР для проектування потужних МОН ПТ. Розглянуті особливості МОН ПТ, які заважають прийняттю оптимальних конструкторсько-технологічних рішень. Показано, що САПР для потужних МОН ПТ повинна сприяти забезпеченню високих техніко-економічних показників транзисторів, які проектуються.