Browsing by Author "Нікіфоров, Ю. М."

Now showing 1 - 4 of 4

Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Яковина, В. С.; Нікіфоров, Ю. М.; Берченко, М. М.
Об'ємні монокристали Hg0.8Cd0.2Te n-типу обробляли лазерно-індукованими ударними хвилями (ЛУХ) без термічного впливу. Показано, що зміни концентрації носіїв заряду становлять до 120 %, а їх рухливості до 45 % від вихідної. Пропонується пояснення цих змін взаємною дією трьох механізмів взаємодії ЛУХ з дефектною підсистемою кристалів Hg1-XCdXTe. Bulk n- Hg0.8Cd0.2Te samples were treated using laser induced shock waves (LSW) without thermal effects. It is shown that the carrier density changes up to 120 % and their mobility changes up to 45 %. Three mechanisms of interaction between LSW and bulk Hg1-XCdXTe defect subsystem are given.
Дослідження початкової стадії накопичення дефектів у кремнієвих структурах з p-n переходом під дією лазерних ударних хвиль
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.
Експерментально досліджено процес генерації ЕРС під дією лазерних ударних хвиль малої амплітуди у кремнієвих структурах з p-n переходом на початковій стадії накопичення дефектів в інтервалі температур 295-345К за товщини товстого мідного екрана 1-4 мм. Густини потоку лазерного випромінювання регулювали в межах 108 –109 Вт/см2. Показано, що метод заснований на генерації ЕРС лазерною ударною хвилею в комплексі з вивченням явища фотоефекту, є ефективним інструментом дослідження початкової стадії змін електронних властивостей та дефектоутворення у напівпровідникових матеріалах за умови врахування фізико-технічних особливостей генерації лазерних ударних хвиль. The generation of the EMF in silicon structure with p–n junction protected with 1 – 4 mm heat screen at the temperature 295 – 345 K in Laser Shock Waves (LSW) processing was observed. Power density laser source was 108 – 109 Wt/sm2. The initial stage of the defects accumulation in under Laser Shock Waves action was investigated. The character of observed changes of the EMF generated by weak LSW was analyzed. The analysis show that the EMF generated by LSW together with photo-effect may be effective method for study of defect forming and electronic properties at the initial stage of LSW process in semiconductors.
ЕРС в структурах кремнію 3 p-n-переходом під впливом лазерних ударних хвиль
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Нікіфоров, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"
Досліджувалась генерація ЕРС в кристалах кремнію з р-п-переходом під впливом лазерних ударних хвиль малої амплітуди в двох схемних режимах. Оцінена концентрація та проаналізована природа появи нерівноважних носіїв, що викликають ЕРС. Electromotive force (EMF) génération by weak laser shock waves in silicon crystals with p-n-junction was observed. The concentration of non-equilibrium carriers, which induced EMF, was estimated and analyzed.
Особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та границі розділення твердих тіл
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Берченко, М. М.; Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.; Яковина, В. С.
Дослідження накопичення дефектів на поверхні кремнію, екранованого від теплової дії, залежно від густини потоку та сумарної поглинутої енергії лазерного випромінювання, в режимі генерації ударних хвиль. Виявлено утворення точкових дефектів, що відпалюються при 450 К. Показано, що електроопір та вольт-амперні характеристики границі розділення та поверхня твердих тіл можуть керовано змінюватися за допомогою лазерних ударних хвиль. Acumullation of defects as a function of the absorbed energy flow density resulting from LSW generation on a Si crystal surface, protected with a heat screen has been investigated. Formation and reduction of point defects at 450K was observed. It was demonstrated that LSW processing can selectively modify resistance IU characteristic of surface and interface layers in solids.