Browsing by Author "Осадчук, О. В."
Now showing 1 - 4 of 4
- Results Per Page
- Sort Options
Item Вологочутливий ємнісний сенсор для вимірювання вологості нафтопродуктів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2010) Осадчук, О. В.; Звягін, О. С.; Крилик, Л. В.Розроблено математичну модель ємнісного сенсора вологості, яка описує залежність електричної ємності від зміни кількості вологості нафтопродукту. Розбіжність теоретичних та експериментальних результатів – 3%. The mathematical model of the capacitive humidity sensor which describes the dependence of the capacity on the amount of the petroleum products humidity is developed. Discrepancy between the theoretical and experimental results is 3%.Item Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.Розглянуто математичну модель фотореактивного ефекту у структурі метал-діелектрик-напівпровідник, яка описує залежність повного опору каналу структури від частоти сигналу і потужності оптичного випромінювання. Показано, що характер опору каналу змінюється від ємнісного до індуктивного залежно від потужності випромінювання. Експериментальні дослідження підтвердили справедливість теоретичних розрахунків у межах 5 %. The mathematical model of photoreactive effect in structure of metal-insulator- semiconductor that which describes dependence of full resistance of structure channel on signal frequency and oprical radiation power is considered in this paper. It is shown that channel resistance changes from capacitive to inductive and it depends on radiation power. Experimental tests confirm theoretical calculations in limit of 5 %.Item Мікроелектронний частотний магнітний перетворювач з активним індуктивним елементом(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Осадчук, О. В.Розглянуто математичну модель частотного магнітного перетворювача на основі магніточутливої транзисторної структури з від’ємним опором. Числовим методом проведено розрахунки функції чутливості і перетворення. Подані експе- риментальні дослідження, які підтвердили справедливість теоретичних поло- жень, розходження теоретичних і експериментальних кривих не перевищує 5%. The mathematical model of a frequency magnetic converter on the basis of magnetically sensitive transistor structure with a negative resistance is considered. The calculations of the functions of sensitivity and conversion using numerical method are carried out. There are given experimental researches, which confirmed the correctness of theoretical positions, the discrepancy of theoretical and experimental curves does not exceed 5%.Item Реалізація операцій трійкової логіки за допомогою двопорогових нейронів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009) Осадчук, О. В.; Семенова, О. О.; Войцеховська, О. О.; Семенов, А. О.Розроблено математичні моделі двопорогових нейронів для випадку трійкового подання інформації. Запропоновано три нейронні мережі на лінійних та двопорогових нейронах. Перша функціонує як трійковий елемент мінімуму, друга – як елемент трійкового мінімуму, а третя – трійкової інверсії. In this work the mathematical models of two-threshold neurons for ternary information presentation are developed. Three neural networks on linear and two-threshold neurons are proposed. The first operates as a ternary maximum element, the second does as a ternary minimum element, the third does as a ternary inversion element.