Browsing by Author "Островський, І. П."

Now showing 1 - 20 of 30

Eлектричні характеристики ниткоподібних кристалів кремнію в околі переходу метал-діелектрик
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, Р. М.; Яцухненко, С. Ю.
Досліджено люмінесценцію дистильованої води з різним вмістом газів та хімічно активних радикалів. Встановлено, що люмінесценція зумовлена низкою процесів: випромінюванням електронно-збудженого радикалу ОН●, продуктів реакції іонів та радикалів з синглетним киснем O2(a1Δg), випромінюванням димера з молекул O2(a1Δg), дезактивацією коливально-збудженої Н2О, неконтрольованими органічними домішками. Зростання вмісту газів збільшує інтенсивність люмінесценції води. Імовірною причиною цього є специфічні властивості межі розділу фаз вода-газова суміш. The luminescence of distilled water with different content of gases and chemically active radicals was investigated. Its was established that luminescence is caused by several processes: radiation of electron-excited radical ОН●, reaction products of ions and radicals from singlet oxygen O2(a1Δg), emission from the dimer molecules O2(a1Δg), deactivation vibrationallyexcited Н2О, uncontrollable organic impurities. Increase in gas content increases the luminescence intensity of water. The probable reason for this is the specific properties of the interfacial water-gas mixture.
Mагнетофононний резонанс у ниткоподібних кристалах германію
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях-Кагуй, Н. С.; Вуйцик, А. М.
Досліджено магнетофононні осциляції магнетоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах Ge n-типу провідності з концентрацією домішки, що відповідає переходу метал-діелектрик, в інтервалі температур 4,2–70 К у неперервних та імпульсних магнітних полях з індукцією 14 Тл та 35 Тл, відповідно. Вивчено вплив одновісної деформації стиску та розтягу на магнетофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнетоопору, визначено міждолинні переходи, оцінено енергії фононів та ефективні маси важких та легких електронів в НК n-Ge.
Автоматизація вимірювання показників заломлення плоскопаралельних пластин оптичних матеріалів антерферометрично-поворотним методом
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Тибінка, Б. В.; Островський, І. П.; Андрущак, А. С.
Створена автоматизована установка для вимірювання показників заломлення оптичних матеріалів інтерферометрично-поворотним методом. Установка апробована на прикладі одновісного кристалу LiNbO3. Внаслідок проведених вимірювань одержані такі параметри: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (для довжини світлової хвилі =0,6328 мкм), які добре узгоджуються з літературними даними. Automatizational equipment for refractive indices measurement of optical materials by interferometric-turning method was designed. The equipment is approbated on example of uniaxial crystal LiNbO3. As a result of measurements the following parameters were obtained: nо=2.28650.0007, ne = 2,20340,0007 (for wavelength =0,6328 m), which are in good agreement with literature data.
Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Нічкало, С. І.; Єрохов, В. Ю.; Островський, І. П.
Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Нічкало, С. І.
Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Нічкало, С. І.
Вивчено особливості росту ансамблю нанодротин кремнію методом хімічної газофазової епітаксії у відкритій транспортній системі. Згідно з ПРК-механізмом ріст нанодротин відбувався з використанням реагуючих речовин SiCl4 та H2 і золота як ініціатора росту. Проведено моделювання кінетики росту ниткоподібних кристалів кремнію. The paper deals with a study of growth peculiarities of Si nanowires array by CVD method in open system. The wires were grown from SiCl4 and H2 precursources using Au as the initiator of growth according to VLS mechanism. Mathematical simulation of silicon nanowires growth kinetics was performed.
Вирощування ниткоподібних кристалів 8і-Се<=п> В закритій бромідній системі
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Дружинін, А. О.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.
У цій роботі досліджено умови вирощування ниткоподібних кристалів (НК) Si].xGex (х=0,01^0,15), легованих домішкою Zn, в закритій бромідній системі. Встановлено залежність питомого опору від концентрації легуючої домішки та від діаметру кристалів. Наведені залежності механічних параметрів кристалів від складу твердого розчину. Подаються рекомендації щодо застосування даних НК як чутливих елементів сенсорів механічних та теплових величин. Growth conditions of Sii_xGex (x=0,01^0,15) whiskers doped with Zn impurity in closed bromide system were studied. Dependencies of resistivity on impurity concentration and whisker diameter were obtained. Dependencies of whisker mechanical parameters on composition of solid solution were provided. Recommendations of whisker application in sensors of mechanical and thermal values have been proposed.
Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет "Львівська політехніка"
У роботі вивчено вплив деформації на електропровідність ниткоподібних кристалів (НК) GexSii-x (x = 0,01-0,03) в інтервалі температур 4,2-300 К. НК вирощували методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі з використанням домішок Au і B. Досліджували сильнолеговані кристали з питомим опором р = 0,005-0,025 Омсм, який відповідає близькості зразків до переходу метал-діелектрик. Деформація зразків здійснювалася їх закріпленням на спеціально підібрані підкладки (мідь, алюміній, кварц) з відмінним від матеріалу Ge-Si коефіцієнтом термічного розширення. Виявлений гігантський п’єзорезистивний ефект в НК при кріогенних температурах. Визначений коефіцієнт тензочутливості К<111> = Ар/(р0є) становить 10,000-30,000 при 4,2 K в НК з питомим опором р = 0,012-0,018 Омсм, відповідно. З кривих а = f(1/T) були розраховані енергії активації стрибкової провідності. Обговорюються можливі причини виявленого ефекту. The present paper deals with studies of deformation influence on GexSi1-x (x = 0,01-0,03) whisker conduction in the temperature range 4,2-300 K. The whiskers were grown by chemical vapour deposition method in a sealed bromide system with use of Au and B dopants. The whiskers with resistivity р = 0,005-0,025 Q cm were under investigation. The values of resistivity are corresponded to impurity concentrations closed to the metal-insulator transition. The strain was imposed by the whisker mounting on specially selected substrates (quartz, copper, aluminium) with thermal expansion coefficient different from that in Si-Ge material. The ‘giant’ piezoresistance was found in the specimens at cryogenic temperatures. Estimated longital gauge factor G<111> = Ар/(роЄ) is equal to 10,000-30,000 at 4,2 K in the whiskers with resistivity р = 0,012-0,018 Q cm respectively. From the curves а = f(1/T) the activation energies for the hopping conductance in the whiskers have been calculated. Possible reasons of the obtain phenomena are discussed.
Вплив домішки ініціатора росту на дефектоутворення в ниткоподібних кристалах кремнію
(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Островський, І. П.; Байцар, Р. І.; Троць, Т. Я.
Показано, що домішка золота, яка відіграє роль ініціатора росту ниткоподібних кристалів Si у закритій галоїдній системі, приводить до зменшення концентрації власних дефектів, входячи у кристал у незначній кількості. It has been shown that gold impurity serving as initiator of Si whisker growth in closed halogen system results in a decrease of self defect concentration, being slowly introduced into the crystal.
Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Мар’ямова, І. Й.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кутраков, О. П.; Когут, І. Т.; Лях-Кагуй, Н. С.
Досліджено вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність і магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД). Спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір і магнетоопір кристалів за кріогенних температур. Виконані вимірювання свідчать про радіаційну стійкість досліджених НК Si та Si1-xGex до дії опромінення високоенергетичними електронами з флюенсом Ф£1´1017ел/см2. Influence of electron irradiation on low temperature conductivity and magnetoresistance of р-type silicon and Si1-xGex (х=0,03) whiskers with boron concentration in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) have been studied. Correlation between influence of electron irradiation on crystal resistance and magnetoresistance at cryogenic temperatures was observed. These studies show the stability of investigated Si and Si1-xGex whiskers to irradiation by high energy electrons with fluencies Ф£1´1017еl/cm2.
Деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах твердого розчину Ge-Si
(Львівська політехніка, 2003) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.
Досліджено деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах (НК) твердого розчину GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) p-типу провідності в температурному діапазоні (4,2 ... 300 K). Досліджувався вплив деформації на термо-ЕРС та електропровідність НК. Встановлено залежність енергії активації домішок від деформації НК. Виявлено гігантські коефіцієнти п'єзо-Зеєбека та тензочутливості в НК Ge-Si поблизу переходу метал-діелектрик за гелієвої температури. Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки та температури. Обговорено поведінку коефіцієнта Зеєбека при деформації розтягу та стиску кристалів. Strain-inducted effects in p-type GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) solid solution whiskers in temperature range 4,2 ... 300 К were investigated. An influense of strain on thermo-e.m.f., conductance in the whiskers was studied. Dependency of impurity activation energy on strain was established. Giant piezo-Seebeck coeffitients and gauge factors in Ge-Si whiskers in the vicinity to metal-insuator transition at 4,2 K were found. Dependencies of gauge on temperature and impurity concentration in the whiskers were investigated. Seebeck coefitient behaviour at strain was discussed.
Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Островський, І. П.; Фружинський, М. С.; Рудий, І. 0.; Клімовська, А. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
Методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій галоїдній системі вирощені субмікронні ниткоподібні кристали (НК) Si на кремнієвих підкладках, попередньо покритих плівкою Au. Золото відігравало роль ініціатора росту НК. Температури зони джерела та кристалізації змінювалися в межах відповідно 650 - 930 °С та 400 - 700 °С. Показано, що зі зниженням температури кристалізації від 700 °С до 500 °С відбувається зменшення діаметрів НК від 0,2 - 5 мкм до 0,1 - 0,5 мкм та відповідне зменшення швидкості їх аксіального зростання. Проведено електронографічне дослідження кристалічної структури субмікронних НК. Встановлено ефект зменшення параметра гратки НК Si при зменшенні їх діаметрів від 0,5 до 0,15 мкм. Зміна параметра гратки у кристалах найменшого діамера 0,15 мкм становить 5 %. By chemical transport reaction (CTR) method in sealed halogen system submicron Si whiskers on Si substrate were grown. The substrate was previously covered with film of Au used as initiator of the whisker growth. The temperatures of evaporation zone and the temperatures of crystallization zone were 650 - 930 °С and 400 - 700 °С respectively. Reduction of the crystallization temperature from 700 °С to 500 °С was shown to cause the decrease of the whiskers’ diameter from 0,2 - 5 ^m to 0, 1 - 0,5 ^m respectively as well as correspondent reduction of the velocity of the whisker axial growth. Crystal structure of submicron whiskers was studied by use of electronograph. The decrease of the whisker lattice parameter with reduction of the whisker diameter from 0,5 to 0,1 ^m was observed. The value of the lattice parameter change in the whiskers of the least diameter 0,15 ^m was found to be 5 %.
Дослідження росту ниткоподібних кристалів PbTe
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Островський, І. П.; Варшава, С. С.
Досліджено особливості зростання ниткоподібних кристалів (НК) PbTe методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій йодидній системі. Вивчено вплив температури кристалізації на морфологію, кінетичні коефіцієнти кристалізації та електрофізичні властивості НК. Виявлені розмірні ефекти, зокрема залежність параметра ґратки та питомого опору від діаметра НК. Growth of PbTe whiskers by chemical transport reaction (CTR) method in closed jodide system was investigated. An influence of growth temperature on morphology, growth kinetics, and electrical properties of the whiskers was studied. Some size effects such as a dependence of lattice constant and specific resistance of the whiskers on their diameters were observed.
Електричні характеристики ниткоподібних кристалів кремнію в околі переходу метал-напівпровідник
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, В. М.; Яцухненко, С. Ю.
Електропровідність та магнетоопір ниткоподібних кристалів кремнію
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, Р. М.; Яцухненко, С. Ю.
На основі дослідження електропровідності ниткоподібних кристалів Si з діаметрами 5–40 мкм, легованих домішкою бору до концентрацій поблизу переходу метал-ізолятор (ПМД), у температурному інтервалі 4,2–300 К, частотному діапазоні 1–1×106 Гц та сильних магнітних полях до 14 Тл виявлено від’ємний магнетоопір (ВМО) у поперечному магнітному полі, абсолютна величина якого залежить від їх діаметра. На основі дослідження кристалів методом імпедансної спектроскопії визначено концентрації домішок у кристалах, які становлять 5,0×1018 см-3. та 5,2×1018 см-3 для зразків різного діаметра, що пояснює виявлені відмінності електропровідності зразків. Conductance investigations of Si whiskers with diameters 5-40 mkm doped with B impurity to concentration in the vicinity to metal-insulator transition (MIT) in temperature range 4,2¸300 К, frequency range 1¸1×106 Hz and magnetic fields with intensity up to 14 Т have showed negative magnetoresistance in transverseve magnetic field, value of which is dependent of the whisker diameter. Impedance investigations allowed us to determine the whisker concentrations of about of 5,0×1018 сm-3. and 5,2×1018 сm-3 in the samples of various diameters, which is correspondent on the observed differences in the whisker conductance.
Магнетоопір ниткоподібних кристалів Si
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, Р. М.; Яцухненко, С. Ю.
Магнетоопір ниткуватих кристалів Si-Ge з концентрацією домішки в околі концентраційного переходу метал-діелектрик за кріогенних температур
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Когут, Ю. Р.; Нічкало, С. І.
Наведено результати дослідження магнетоопору ниткуватих кристалів (НК) Si-Ge з вмістом Ge 1–5 ат.%, легованих домішкою В та комбінацією B+Hf до концентрацій 1017–5·1018 см-3, за низьких температур 4,2–77 К та сильних магнітних полів до 14 Тл. Показано, що характер залежностей магнетоопору від магнітного поля істотно відрізняється для зразків з різною концентрацією легуючої домішки. Висловлено припущення, що введення домішки Hf у ростову шихту сприяє очищенню НК Si-Ge від домішки бору, який входив в НК під час росту. The paper contains results of investigation of magnetoresistance (MR) for Si-Ge whiskers with 1–5 % Ge content doped with B and B+Hf impurities up to concentrations 1017–5·1018 cm-3 at low temperatures 4,2–77K in high magnetic field up to 14T. A character of MR dependency on magnetic field intensity was shown to differ substantially for samples with various doping impurities concentrations. It has been assumed that introducing of Hf impurity into the growth tube leads to purification of Si-Ge whiskers from doping impurity during the growth.
Магнітна сприйнятливість та намагніченість ниткоподібних кристалів Si-Ge
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Когут, Ю. Р.
Досліджено польові залежності намагніченості та магнітної сприйнятливості субмікронних (0,3-0,9 мкм) ниткоподібних кристалів (НК) Si0,95Ge0,05 при фіксованих температурах та в діапазоні температур 4,2-300K при напруженості магнітного поля 4 кЕ. Одержані експериментальні дані свідчать про магнітну взаємодію центрів в НК, яка ймовірно пов’язана з наявністю обірваних зв’язків у пористій оболонці кристалів. Magnetic field and temperature dependencies of magnetization and magnetic susceptibility of submicron (0,3-0,9 μm) Si0,95Ge0,05 whiskers at fixed temperatures and fixed magnetic field (4 kOe) respectively were studied in temperature range 4,2-300K. The results obtained indicate in magnetic interaction between centers, which is likely connected with danger bonds content in porous envelope of the whiskers.
Магнітні властивості ниткоподібних кристалів кремню
(Львівська політехніка, 2003) Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Цмоць, В. М.; Павловський, Ю. В.; Паньків, Л. І.
Досліджено магнітну сприятливість (МС; χ) ниткоподібних кристалів (НК) кремнію різного діаметра тп морфології. Для інтерпретації результатів, отриманих при вимірюванні залежності МС віл напруженості магнітного поля(0.3 - 4 кЕ), усі досліджені кристали розділені на чотири групи. До першої групи зараховані кристали діаметром 0,1-0,9 мкм, до другої - двійникові кристали діаметром 1-2 мкм, до третьої голкоподібні кристали діаметром від 5 до 1500 мкм, до четвертої - ізометричні кристали. У кристалів першої групи зі збільшенням діаметра НК їхній парамагнетизм переходить у діамагнетизм, а в кристалів третьої групи зі збільшенням діаметра - діамагнетизм переходить у парамагнетизм. На всіх цих кристалах виявлена нелінійність залежності МС від напруженості зовнішнього магнітного поля, що зростає зі збільшенням парамагнетизму зразків. Магнітна сприятливість двійникових кристалів діамагнітна, за своїм значенням близька до МС об'ємного кремнію і нелінійність залежності χ (Н) незначна. Виміряні значення МС ниткоподібних кристалів кременю пояснюються особливостями їхньої кристалічної структури і хімічним складом. In the present work magnetic susceptibili (MS, χ) of Si whiskers with various diameters and morphology are studied. For interpretation of the dependence of the whisker MS on magnetic-field intensity (0.3 - 4 kE) all the samples were divided on four groups. First group consists of submicron whiskers (d=0,1-0,9 µm), the second one contains twinned crystals with 1-2 µm in diameter, the third group consist of needle-like crystals with diameters 5-1500 µm, the forth one - isometric crystals. At increase of the whisker diameter paramagnetism of the whiskers of first group is shown to transit in diamagnetism, while in the whiskers of third group diamagnetism passes in paramagnetism again. In all these crystals the nonlinearity of dependence of a magnetic susceptibility on an external magnetic-field intensity is revealed. Magnetic susceptibility of twinned whiskers is close to MS of bulk silicon, nonlinearity of dependences χ (H) is small. The measured values of MS of Si whiskers are explained by peculiarities of their crystal structure as well as chemical composition.
Магнітоопір та намагніченість кремнієвих мікроструктур за низьких температур
(Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-18) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кучерепа, Н. І.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Khoverko, Yu.; Kucherepa, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал-діелектрик, та нікелем, що міститься у приповерхневій області кристала. Досліджено магнітні властивості до 4 кОе та магнітоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Детально проаналізовано результати теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнта від’ємного магнітоопору від намагніченості в ниткоподібних мікрокристалах кремнію.