Browsing by Author "Панков, Ю. М."

Now showing 1 - 5 of 5

Ефект п’єзо-зеєбека в кремнії р-типу
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.
Представлені результати експериментальних досліджень ефекту Зеєбека під впливом деформації в кремнії р-типу. Леговані бором кремнієві мікрокристали вирощені з газової фази в поздовжньому [111] напрямку були використані для вимірювань як модельний матеріал. Отримане значення 40...50 поздовжнього коефіцієнта еласто-Зеєбека для кристалів кремнію р-типу з питомим опором ρ≈ 0,02 Ω×cm добре узгоджується з теоретичними оцінками. Порівняно ефект п’єзо-Зеєбека і п’єзорезистивний ефект для цих кристалів. Значення коефiцiєнта п'єзо-Зеєбека (еласто-Зеєбека) є в два рази меншим, нiж поздовжнiй коефіцієнт п'єзоопору (еластоопору) в цих кристалах. The results of experimental investigation of Seebeck effect under strain in p-type silicon are presented. Boron doped silicon microcrystals grown from the vapour phase with the longitudinal [111] crystallographic axes were used for measurements as a model material. The obtained value 40...50 of the longitudinal elasto-Seebeck coefficient for p-type Si crystals with ρ≈ 0,02 Ω×cm is in a good agreement with theoretical estimation. The comparison of piezo-Seebeck effect and piezoresistance effect in these crystals is carried out. The value of longitudinal piezo-Seebeck (elasto-Seebeck) coefficient is approximetely two times smaller,than the longitudinal piezoresistance coefficient (elastoresistance) in these crystals.
Моделювання сенсора тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Дружинін, А. О.; Панков, Ю. М.; Матвієнко, С. M.
Наведено комп’ютерну модель процесів, які відбуваються у сенсорі гідростатичного тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС у мікрокристалах кремнію р-типу провідності при нестаціонарних температурах та тисках. Результати можна використати для проектування напівпровідникових сенсорів механічних величин з оптиміальними параметрами при роботі в нестаціонарних режимах. The computer model of processes which occur in hydrostatic pressure sensor on the base intermittent of the piezo-seebeck effect in p-type silicon whiskers is presented. The results may be used for designing the semiconductor sensors of mechanical values with optimum parameters under nonsteady-state conditions.
Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням
(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар’ямова, І. Й.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.
Описується зміст теоретичних, експериментальних, технологічних науководослідних робіт із метою створення українського промислового мікроелект- ронного сенсора тиску. Обговорюється використання лазерної рекристалізації в технології сенсорів як метода покращання характеристик КНІ п’єзорезисторів. The content of R&D works (theory, experimental, design and technology) performed in the «Lviv Polytechnic» State University in order to develop commercial Ukrainian microelectronic SOI pressure sensors is presented. The use of the microzone laser recrystallisation in sensor technology as a method to obtain improved performances of SOI piezoresistor is discussed.
П’єзорезистивні сенсори механічних величин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристалів і КНІ структур
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Лавитська, О. М.; Кутраков, О. П.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет “Львівська політехніка”; Науково-дослідний центр “Кристал”
Описано розроблені напівпровідникові тензорезистори на основі вирощених з газової фази ниткоподібних кристалів (НК) кремнію, германію і сполук А В (антимоніду галію, арсеніду галію, фосфіду галію) та наведено їх характеристики. Розглянуто деякі типи розроблених п’єзорезистивних сенсорів тиску з тензо-резисторами на основі НК кремнію, зокрема, сенсори для вимірювання пульсацій тиску, сенсори з універсальним тензомодулем, високотемпературні сенсори, сенсори для кріогенних температур, для медичної діагностики, а також сенсори гідростатичного тиску на основі НК GaSb. Подано мікроелектронні сенсори тиску на основі шарів полікремнію-на-ізоляторі, рекристалізованих лазерним опроміненням. 35. Developed semiconductor strain gauges based on silicon, germanium and AB compounds (GaSb, GaAs, GaP) whiskers grown from the vapour phase are described, and their perfomance are presented. Some types of developed pressure sensors with strain gauges based on Si whiskers are presented, i.e. sensors to measure pressure pulsation, sensors with universal strain unit, high-temperature sensors, sensors for cryogenic temperatures, sensors for medical diagnostics, and sensors to measure hydrostatic pressure based on GaSb whiskers. Microelectronic sensors based on laser-recrystallized polysilicon layers-on-insulator are described.
Розробка системи обробки інформації з мікроелектронних сенсорів на основі КНІ-структур
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дружинін, А. О.; Матвієнко, С. М.; Панков, Ю. М.; Druzhinin, A. O.; Matviyenko, S. M.; Pankov, Y. M.; Національний університет “Львівська політехніка”
Описано тенденції розвитку сучасних вимірювальних пристроїв та перспективи використання систем збору та обробки інформації на базі мікроконтролерів фірми CYPRESS для розробки інтелектуальних сенсорів механічних величин. Наведено переваги реалізації сенсорів на основі цих систем над відомими сенсорами. Подано багатофункційний сенсор тиску-температури з цифровою оброкою вимірювальної інформації і передачею її на персональний комп’ютер. Як первинні перетворювачі використано КНІ-структури, які містять міст з чотирьох полікремнійових п’єзорезисторів і одного терморезистора.