Browsing by Author "Пелещак, Р. М."

Now showing 1 - 6 of 6

Електронні та діркові стани у напруженій квантовій точці
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.
У межах моделі деформаційного потенціалу досліджено вплив деформації, яка виникає на межі розділу квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів квантової точки на її електронний та дірковий спектри. Встановлено критерії виникнення електронних та діркових рівнів у сферичній квантовій точці з врахуванням та без врахування деформаційних ефектів. The influence of deformation, which is on border of the unit of a quantum dot and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum dot on its electrons and holes spectra is investigated within the framework of the electron-deformation model. The criterion of occurrence electron and hole levels in a spherical quantum dot is established with the account and without the account deformation effects.
Енергія зв’язку екситона в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Бах, І. Б.; Пелещак, Р. М.
Розраховано енергетичні рівні Ваньє екситонів в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS, товщина якої Lw менша від радіуса екситона a0. У площині, паралельній до площини контакту шарів у гетероструктурі, екситон веде себе як двомірний атом водню, а в напрямі, перпендикулярному до площини контакту, - як незалежні електрон і дірка в потенціальній ямі. Вплив скінченної товщини Lw знайдений за теорією збурень. Зображено залежність енергії зв’язку та енергії утворення екситона в механічно-напруженому шарі ZnSe/ZnS від товщини шару ZnSe. Energy levels of Wannier excitons in the strained quantum well ZnSe/ZnS whose thickness Lw is smaller than the size of the exciton a0 are calculated. The exciton is found to behave like a two-dimensional hydrogenic atom when projected onto a plane parallel to the contacting surfaces; it behaves like as independent particle and hole in a potential well in the direction normal to the contacting surfaces. The effect of the finite thickness of the Lw is calculated perturbatively. The еxciton binding and formating energies of a strained layer ZnSe/ZnS as a function of Lw are plotted.
Зміна енергії локалізованих електронних станів кристала з дислокацією під дією електричного поля
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Баран, М. М.; Пелещак, Р. М.
У межах електрон-деформаційної моделі показано, що енергія локалізованих електронних станів кристала з крайовою дислокацією зі зростанням електричного поля зростає у випадку, коли вектор напруженості електричного поля ε збігається з напрямком електрон-деформаційного дипольного моменту Pel-d. У разі коли напрямки ε і Pel-d не збігаються, існує протилежний ефект. In the framework of electron-deformation model it is shown, that the energy of localized electron states in crystal with edge dislocation increases with the growth of electric field in the case that directions of electric field vector ε and vector of electrondeformation dipole moment Pel-d coincide. Opposite effect takes place if these vectors do not coincide.
Колективні ефекти при формуванні громадської думки в межах моделі Ізінга–Вайдліха
(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Пелещак, Р. М.; Скотна, Н. В.
У межах моделі Ізінга–Вайдліха досліджено ступінь публічного визначення думок колективу відносно того чи іншого питання із врахуванням зовнішнього впливу партій чи засобів масової інформації на формування суспільної думки. Показано, що за зовнішнього впливу понад 10 % громадська думка переорієнтовується на протилежну, що корелює з результатами роботи з цієї тематики, отриманими на основі моделювання на суперкомп’ютерах. Within the framework of model of Ising–Vaydliha the degree of public determination of opinions of collective is described in relation to this or other issue taking into account external influence of parties or mass media on forming public opinion. It is shown that at external influence more than 10 % of the public opinion shifts to the opposite that correlates with the job performances on this subject, got on the basis of design on supercomputers.
Магнітні поля на ядрах Sn119 у твердих розчинах TiCo2.xSn (x=0,0...1,0)
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Бах, І. Б.; Пелещак, Р. М.
Розраховано енергетичні рівні Ваньє екситонів в напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS, товщина якої Lw менша від радіуса екситона a0. У площині, паралельній до площини контакту шарів у гетероструктурі, екситон веде себе як двомірний атом водню, а в напрямі, перпендикулярному до площини контакту, - як незалежні електрон і дірка в потенціальній ямі. Вплив скінченної товщини Lw знайдений за теорією збурень. Зображено залежність енергії зв’язку та енергії утворення екситона в механічно-напруженому шарі ZnSe/ZnS від товщини шару ZnSe. Energy levels of Wannier excitons in the strained quantum well ZnSe/ZnS whose thickness Lw is smaller than the size of the exciton a0 are calculated. The exciton is found to behave like a two-dimensional hydrogenic atom when projected onto a plane parallel to the contacting surfaces; it behaves like as independent particle and hole in a potential well in the direction normal to the contacting surfaces. The effect of the finite thickness of the Lw is calculated perturbatively. The еxciton binding and formating energies of a strained layer ZnSe/ZnS as a function of Lw are plotted.
Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs
(2003) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.; Пелещак, Б. М.
Побудована модель когрентно-напруженої квантової точки. Розраховано вплив неоднорідної деформації, яка є на межі розділення квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів КТ на глибину і профіль потенціальної ями для електронів і дірок у гетеросистемі з квантовими точками.The model of a coherent-strained quantum point is constructed. Influence of nonuniform deformation, which is on border of the unit of a quantum point and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum point on depth and a structure of a potential hole forelectrons and holes at heterostructure with quantum points, is designed.