Browsing by Author "Петрович, Ігор"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Transport Phenomena in Copper Doped Cadmium Telluride: Calculation from the First Principles
    (Видавництво Львівської політехніки, 2022-04-04) Малик, Орест; Петрович, Ігор; Кеньо, Галина; Malyk, Orest; Petrovych, Ihor; Kenyo, Halyna; Lviv Polytechnic National University
    У роботі розглянуто метод визначення енергетичного спектра, хвильової функції важкої дірки та кристалічного потенціалу в CdTe за довільно заданої температури. За допомогою цього підходу в межах методу суперкомірки розраховано температурні залежності енергій іонізації різних типів дефектів, спричинених впровадженням домішки міді в телурид кадмію. Також запропонований метод дає змогу визначити температурну залежність оптичного та акустичного потенціалів деформації, а також залежність від температури параметрів розсіювання важких дірок на іонізованих домішках, полярних оптичних, п’єзооптичних та п’єзоакустичних фононах. У межах близькодіючих моделей розсіяння розглянуто температурні залежності рухливості важких дірок і коефіцієнта Холла.
  • Thumbnail Image
    Item
    Рухливість електронів у CdSe0.35Te0.65: поєднання Ab Initio підходу з принципом близькодії
    (Видавництво Львівської політехніки, 2023-02-28) Малик, Орест; Петрович, Ігор; Кеньо, Галина; Юркевич, Юрій; Вашкурак, Юрій; Malyk, Orest; Petrovych, Ihor; Kenyo, Halyna; Yurkevych, Yurii; Vashkurak, Yurii; Lviv Polytechnic National University
    У роботі розглянуто проблему впливу точкових дефектів на явища перенесення у кристалах CdSexTe1-x (x=0,35). Вперше виконано розрахунок електронного спектра, хвильової функції та потенціальної енергії електрона в зразках CdSe0.35Te0.65 за заданої температури. За допомогою методу суперкомірки встановлено типи точкових дефектів, а також температурну залежність їх енергій іонізації в досліджуваному інтервалі температур. Виявлено температурні залежності констант деформації оптичного та акустичного потенціалів розсіяння, а також розраховано температурні залежності констант розсіяння електронів на різних кристалічних точкових дефектах. На основі моделей розсіювання із короткодіючим потенціалом встановлено температурні залежності рухливості та холлівського фактора електронів.