Browsing by Author "Похмурська, Г. В."
Now showing 1 - 2 of 2
- Results Per Page
- Sort Options
Item Нестійкості плоского фронту кристалізації при лазерній епітаксії і легуванні напівпровідників(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Бончик, О. Ю.; Загіней, А. О.; Кияк, С. Г.; Паливода, І. П.; Похмурська, Г. В.Описано механізми формування нестійкостей плоского фронту кристалізації, які виникають при лазерній епітаксійній кристалізації напівпровідникових шарів. Запропоновано чотири основні механізми, що зумовлюють виникнення таких нестійкостей, які, в свою чергу, призводять до формування на поверхні напівпровідників комірчастої структури різної природи. Mechanisms of a planar interface instability initiation during laser epitaxy solidification of semiconductor layers are described in present paper. The main four mechanisms that determine such interface instability initiation have been proposed. These mechanisms set conditions for cellular structure of different nature formation on the semiconductor surface.Item Трибологічні властивості електродугових покриттів із порошкових дротів (tribological properties of electric arc coatings made by powder wires)(Видавництво Львівської політехніки, 2018-10-01) Назарук, Р.; Похмурська, Г. В.