Browsing by Author "Прокопчук, О. Л."

Now showing 1 - 3 of 3

Еліпсометричні дослідження поверхонь кристалів GaAs i CdTe опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазону
(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Данилов, А. Б.; Кособуцький, П. С.; Прокопчук, О. Л.
Досліджено зміну оптичних сталих та товщин модифікованих шарів на поверхнях кристалів GaAs та CdTe, опромінених потужним ІЧ-лазером. Проведено аналіз поверхневої плівки з метою підбору адекватної моделі для розв’язання прямої та оберненої задач еліпсометрії. Отримано мікрофотографії поверхонь опромінених кристалів, та знято спектри ІЧ-пропускання. В результаті розв’язання оберненої задачі визначено величини показників заломлення поверхневих плівок та їх товщини в радіальному напрямі від центра лазерної плями. In the present paper the study of changes in the values of optical constants and thicknesses of modificated layers at GaAs and CdTe crystal surfaces, irradiated by powerful IR-laser was carried out. The analysis of surface films with the aim of suitable model selection to solve the direct and inverse problems of ellipsometry was performed. Microphotos of irradiated crystal surfaces were received and IR-spectra measured. As a result of inverse problem solution the values of surface film refraction indices as well as film thicknesses in radial direction from the center of laser spot were determined.
Контроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Прокопчук, О. Л.; Національний університет “Львівська політехніка”
Методом рентгенівського мікроаналізу та низькотемпературної екситонної спектроскопії відбиття досліджено взаємодію імпульсного випромінювання ІЧ лазера з кристалом p-CdTe, Виявлено сублімацію атомів кадмію з поверхні та певну періодичність концентраційних розподілів атомів Cd і Те в опроміненій ділянці.
Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Кособуцький, П. С.; Данилов, А. Б.; Прокопчук, О. Л.
Проаналізовано поверхневий шар монокристалів GaAs, опромінених лазерами інфрачервоного діапазону. Проаналізовано результати застосування різних моделей розрахунку параметрів плівки. На підставі проведеного аналізу визначено профіль показника заломлення та товщини поверхневих шарів.