Browsing by Author "Собчук, І. С."

Now showing 1 - 7 of 7

Апріорні методи розрахунку електронної енергетичної структури напівпровідників і діелектриків
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Собчук, І. С.; Кинаш, Ю. Є.; Національний університет “Львівська політехніка”
Аналізуються сучасні апріорні методи розрахунку електронного енергетичного спектра напівпровідників і діелектриків. Порівняні можливості різних підходів щодо точності отримання зонних енергій, можливостей застосування їх до складних кристалів. Зроблений висновок про перспективність змішаного базису для застосування в розрахунках енергетичних зон напівпровідників і діелектриків на основі порівняння результатів розрахунку з отриманими за іншими методиками та експериментом. The contemporary ab initio approaches for energy band structure evaluation in semiconductors and dielectrics have been analyzed. The comparison of possibilities of different methods from point of view of calculating the reliable band energies and of application them to complex crystals is made. The conclusion about prospective of the mixed basis approach for energy band evaluation in semiconductors and dielectrics has been made on base of comparison of obtained results with those evaluated by another approaches and experiment.
Елементи нетрадиційної кінетичної теорії термодинамічних та кінетичних властивостей матеріалів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Буджак, Я. С.; Собчук, І. С.; Національний університет “Львівська політехніка”
Альтернативно до методу кінетичного рівняння Больцмана обґрунтовуються розрахункові алгоритми важливих термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів з довільними законами дисперсії та довільними механізмами розсіювання носіїв заряду в омічній області провідності і в неквантуючому магнітному полі. To the method of the kinetic Boltsman equation alternativly the calculating algorithms of important thermodynamic and kinetic properties of crystals with arbitrary dispersion laws and arbitrary mechanisms of scattering of charge carriers in ohmic conductivity range and in non-quantumed magnetic field are considered.
Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2007) Малик, О. П.; Собчук, І. С.
Розглянуто моделі розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами іонізованими домішками в HgTe. Розраховані температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 4.2-300К.
Пасивний захист інформації від лазерного зондування
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дудикевич, В. Б.; Собчук, І. С.; Ракобовчук, В. О.
Для захисту приміщення від витоків по оптико-електронному каналі застосовують як активні, так і пасивні методи захисту. Активні методи використовують різні генератори шуму і датчики, які здатні генерувати завади. Однак використання цих засобів не завжди доцільне, оскільки вони потребують своєчасної перевірки та контролю роботи, прецизійності регулювання. Саме тому робота стосується захисту приміщень з використанням пасивних методів. To protect the building from leaks in opto-electronic channels are used as active and passive methods of protection. The active methods include various noise generators and sensors that can generate noise. However, the use of these features is not always appropriate because they require timely inspection and control work, precision adjustment. That is why the work is devoted to defending buildings by using passive methods.
Побудова точного розв’язку стаціонарного рівняння Больцмана
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Собчук, І. С.
Запропоновано метод побудови сукупності точних розв’язків стаціонарного рівняння Больцмана для однорідного напівпровідника з ізотропним законом дисперсії у випадку ефекту Холла та електропровідності. Визначено критерій відбору фізичних розв’язків серед сукупності математичних розв’язків рівняння Больцмана. The way of construction of totality of the exact solutions of a stationary Boltzmann equation for the homogeneous semiconductor with the isotropic dispersion law is proposed in case of Hall effect and electrical conductivity. The criterion of selection of the physical solutions from totality of the mathematical solutions of Boltzmann equation is determined.
Розрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функцій
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Собчук, І. С.; Сиротюк, С. В.; Sobchuk, I. S.; Syrotyuk, S. V.; Національний університет “Львівська політехніка”
Запропоновано новий ефективний підхід до інтегрування електронного енергетичного спектра за зоною Бріллюена за допомогою наближення поліномами Чебишова. Метод використовується для розрахунку електронної густини в кремнії. Порівняння отриманих результатів з виявленими експериментально показує ефективність вибраного підходу.
Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Сиротюк, С. В.; Собчук, І. С.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.
Електронний енергетичний спектр простого кубічного кристала у наближенні сильного зв’язку апроксимований за допомогою поліномів Чебишева у першій зоні Брилюена. Точність апроксимації визначається для різних порядків поліномів. Отримані апроксиманти використані для розрахунку густини електронних станів. Проаналізована придатність отриманих апроксимацій для виявлення особливостей Ван Хова густини електронних станів. The energy band spectrum of simple cubic crystal within a tight binding model has been approximated by a Chebyshev polynomials over first Brillouin zone. The precision of approximation is evaluated for different degrees of polynomials. The obtained approximations have been applied in evaluation of electronic density of states. The validity of obtained approximations to show Van Hove singularities of electronic density of states has been analyzed.