Browsing by Author "Тиханський, М. В."

Now showing 1 - 14 of 14

Вплив параметрів керуючих імпульсів на стабільність роботи джозефсонівських елементів логіки “НЕ”
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Крисько, Р. Р.; Тиханський, М. В.
Вплив параметрів керуючих імпульсів на стабільність роботи джозефсонівських елементів логіки “НЕ”
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.
Запропоновано схему та принцип роботи цифрових логічних елементів “НЕ” на основі джозефсонівських кріотронів. Керування логічним станом таких елементів логіки здійснювалось за допомогою зовнішніх імпульсів магнітного потоку. Створено математичну модель перехідних процесів у джозефсонівських логічних елементах “НЕ” під час зміни їх логічного стану під дією керуючих сигналів та розраховано перехідні характеристики. Досліджено вплив параметрів імпульсів керуючих сигналів на швидкодію та стабільність роботи таких елементів логіки та оцінено час комутації для логічних переходів “1”→“0” та “0”→“1”. The scheme and the operational principle of digital logical elements “NOT” based on Josephson cryotrons were proposed in the given work. The control of the logical state of such logical elements was realized by means of external magnetic flux pulses. We developed a mathematical model of the transition processes in Josephson logical elements „NOT“ during the change of their logical state induced by controlling sygnals and calculated respective transition characteristics. We studied the influence of the controlling pulses’ parameters on the operational speed and stability of these logical elements and estimated the commutation time for logical transitions “1”→“0” and “0”→“1”.
Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.
Методами математичного моделювання досліджено вплив струму зміщення на перехідні процеси в джозефсонівських елементах пам’яті (кріотронах) на основі окремих джозефсонівських тунельних переходів (ДТП). Керування логічним станом кріотронів здійснювалось за допомогою імпульсів струму. За результатами моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів – часові залежності напруги під час зміни їх логічного стану і визначено час комутації. Розрахунки проводились для різних значень сили струму зміщення кріотрона, на отриманих залежностях часу комутації кріотронів від величини ємності та нормальної провідності ДТП виявлено інтервали стабільності роботи кріотронів та встановлено їх межі. In the present work, we studied a mathematical model of transitional processes in Josephson memory cells (cryotrons) based on individual Josephson tunneling junctions (JTJ). The logical state of the cryotrons was controlled by means of current impulses. From the results of the modeling we determined transitional characteristic of the cryotrons, i. e., time dependences of the voltage across a cryotron during the change of its logical state, and the commutation time. For different values of the bias current of the cryotrons, we derived the dependence of the commutation time on the capacitance and normal conductance of the JTJ and determined stable operational regimes of the cryotrons.
Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Партика, А. І.; Тиханський, М. В.
Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Тиханський, М. В.; Шуригін, Ф. М.; Національний університет "Львівська політехніка"
Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.
Математична модель процесів комутації в елементах логіки “або” на основі Джозефсонівських кріотронів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Крисько, Р. Р.; Тиханський, М. В.
Моделювання зворотних логічних переходів в кріотронах на основі сквідів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.
Використано математичну модель перехідних процесів у джозефсонівських кріотронах на основі двоконтактних СКВІДів. Для моделювання не тільки прямих логічних переходів “0” ® “1”, а також зворотних переходів “1” ® “0”, запропоновано комбінований спосіб керування логічним станом таких кріотронів. Показано, що переходи “0” ® “1” можна ефективно реалізувати за допомогою керуючих імпульсів магнітного потоку, а переходи “1” ® “0” – імпульсів струму через кріотрон-СКВІД. Розраховано перехідні характеристики кріотронів під час прямих і зворотних логічних переходів, досліджено вплив параметрів моделі на швидкодію кріотронів та стабільність їх роботи. In the present work, we use a mathematical model of transition processes in Josephson cryotrons based on two-contact SQUIDs. In order to model not only direct logical transitions “0” ® “1”, but also inverse transitions “1” ® “0” in these cryotron-SQUIDs, we have proposed a combined method of controlling their logical state. It has been shown that the transitions “0” ® “1” can effectively be realized by control impulses of magnetic flux, while the transitions “1” ® “0” can be realized by current impulses through the cryotron-SQUID. We have calculated the transitional characteristics of the direct and inverse logical transitions in the cryotrons and investigated the effect of the variation of the model parameters on the operating speed and stability of the cryotrons.
Оптимізація режиму роботи джозефсонівських кріотронів
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.
Запропоновано метод оптимізації режиму роботи джозефсонівських кріотронів (ДК) під час керування їхнім логічним станом імпульсами струму. Існуюча математична модель перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах дає можливість отримати перехідні характеристики під час зміни логічного стану. Проте оптимізувати режим роботи кріотронів через велику кількість параметрів у моделі є складним завданням. Запропонований нами метод оптимізації, який полягає в розрахунках не тільки перехідних характеристик кріотронів, а також і часових залежностей складових загального струму в кріотроні, дав змогу дослідити вплив кожної складової струму на перехідні процеси і визначити ті параметри моделі, які безпосередньо впливають на логічні переходи. In the paper, we propose a method of operation mode optimization of Josephson cryotrons (JC) during the regulation of their logic-state by current impulses. The existing mathematical model of transitional processes in Josephson cryotrons allows us to obtain transitional charachteristics during the change in cryotrons' logic-state. However, to carry out the operation mode optimization of cryotrons remains a hard task due to the large number of the model's parameters. The proposed optimization method consisting in calculating not only the transitional charachteristics of cryotrons, but also the timedependences of the total current components in a cryotron allowed us to investigate the influence of each current component on the transitional processes and determine those parameters, which have a direct influence on logic-state transitions.
Особливості керування логічним станом кріотронів імпульсами магнітного потоку
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.
Використано еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП), залежність його критичного струму від прикладеного зовнішнього магнітного поля і його вольтамперні характеристики (ВАХ), розраховані для робочої температури T = 81,2 К. На основі ДТП запропоновано створити джозефсонівські кріотрони (джозефсонівські комірки пам’яті) і розроблено математичну модель перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах під час керування їх логічним станом імпульсами магнітного потоку. Методами математичного моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів та досліджено вплив параметрів кріотронів та варіацій критичного струму на логічні переходи. Досліджено також вплив імпульсів керуючого магнітного поля на стабільність режиму роботи кріотронів. In the present work, we explore the equivalent scheme of a Josephson tunneling junction (JTJ), in particular, the dependence of its critical current on the external magnetic field and its V-I diagrams calculated for the working temperature T = 81,2 К. We have proposed designing of JTJ-based Josephson cryotrons (Josephson memory cells) and developed a mathematical model of logical state transition processes in Josephson cryotrons drived by magnetic flux impulses. By means of mathematical modeling, we have simulated transition processes of the cryotrons and investigated the effect of the cryotrons’ parameters and the variation of the critical current on the logical transitions. We have also investigated the effect of the impulses of the controlling magnetic field on the cryotrons’ stability.
Перехідні характерисики джозефсонівських кріотронів при азотних температурах
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.; Tyhanskyi, M. V.; Krysko, R. R.; Partyka, A. I.; Національний університет “Львівська політехніка”
Математично змодельовано і досліджено перехідні процеси в джозефсонівських кріотронах (ДК) під час керування їх логічним станом імпульсами струму при азотних температурах. Показано, що керування логічним станом кріотронів імпульсами струму, форму яких можна описати часовою функцією e-1t, є більш ефективним, ніж керування імпульсами струму гауссівської форми.
Перехідні характеристики джозефсонівських елементів логіки “І”
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.
Розглянуто можливість реалізації елементів цифрової логіки “І” на базі джозефсонівських тунельних переходів і показано, що такі елементи можна створити і ефективно керувати їх логічним станом за допомогою зовнішніх сигналів електричного струму. Створено математичну модель перехідних процесів, що відбуваються в елементах логіки “І” під час зміни їх логічного стану, проведено математичне моделювання логічних переходів “0”®”1” та “1”®”0”, розраховано перехідні характеристики і визначено параметри моделі, за яких забезпечена висока швидкодія та стабільний режим роботи. In this work, we consider a possibility of the realization of the digital logic’s elements “and” on a basis of Josephson tunneling junctions. It was shown that such elements can be created and their logical state can be effectively controlled by means of external electrical current pulses. A mathematical model of the transition processes that take place in the logical elements “and” during the change of their logical state was developed. We carried out a mathematical modeling of the logical transitions “0”®”1” and “1”®”0” as well as calculated the transition characteristics and determined the model parameters that ensure the high operational speed and stability.
Перехідні характеристики джозефсонівських елементів логіки "І"
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Крисько, Р. Р.; Тиханський, М. В.
Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів під час керуванням їхнім логічним станом імпульсами струму гауссівської форми
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Тиханський, М. В.; Тиханська, К. М.
Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) та апроксимовані простими аналітичними функціями вольт-амперні характеристики ДТП при одноелектронному тунелюванні, проведено вдосконалення математичної моделі перехідних процесів у надшвидкодіючих елементах пам’яті - джозефсонівських кріотронах (ДК). Розраховувались перехідні характеристики кріотронів під час керування їхнім логічним станом за допомогою зовнішніх імпульсів струму гауссівської форми. Проведено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” ^ “1” та “1” ^ “0”. Досліджено як впливають на перехідні характеристики кріотронів амплітуда імпульсів, середня тривалість імпульсів та момент подачі імпульсів при зворотних логічних переходах “1” ^ “0”. In the paper a mathematical model of transitional processes in extra-quick memory cells-josephson criotrons (JC) - was improved using josephson tunneling junction (JTJ) equivalent scheme and I-V characteristics of JTJ approximated by simple analytical functions in the case of one-electron tunneling. For criotrons’ logical state control by external Gauss- form current impulses their transitional characteristics were calculated. We carried out the simulating of transitional processes and obtained transitional characteristics for logical transitions “0” ^ “1” and “1” ^ “0”. The influence of impulses’ amplitude, impulses’ mean duration and the moment of impulses’ supply in the case of reverse logical transitions “1” ^ “0” on transitional characteristics was investigated.
Перехідні характеристики кріотронів на основі сквідів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.
Використовуючи еквівалентну схему та принцип роботи двоконтактного надпровідного квантового інтерферометра (СКВІДа) як елемента комп’ютерної пам’яті, створено математичну модель перехідних процесів у таких елементах пам’яті. Розраховано перехідні характеристики квантових кріотронів під час керування їх логічним станом імпульсами магнітного потоку. Здійснено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” → “1” та “1” → “0”. Показано, що стабільно працювати такі кріотрони можуть тільки при логічних переходах “0” → “1”; досліджено вплив амплітуди керуючих імпульсів і середньої тривалості імпульсів на перехідні характеристики кріотронів та їх швидкодію. An equivalent scheme and the principles of operation of a double-contact superconducting quantum interference device (SQUID) used as a memory cell have been incorporated to create a mathematical model of transition processes in such memory cells called quantum criotrons. The transition characteristics of the quantum criotrons with their logical state controlled by impulses of magnetic flux have been calculated. For the logical transitions “0” → “1” and “1” → “0”, the transition processes have been modeled, and the transition characteristics have been obtained. It has been shown that the criotrons’ functioning is stabilized only during the logical transitions “0” → “1”. The dependence of the criotrons’ transition characteristics and speed on the amplitude and average duration of control impulses has been investigated.