Browsing by Author "Швед, В. М."

Now showing 1 - 5 of 5

Вплив локальних міжелектронних кореляцій на значення розрахованих зонних енергій у кристалі GaN
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Швед, В. М.
Розраховані парціальні густини електронних станів та електронні енергетичні спектри кристала GaN з градієнтними поправками у функціоналі обмінно-кореляційної енергії без і з урахуванням сильних локальних кореляцій напівостовних 3d-електронів Ga. Розрахунки виконані за методом проекційних приєднаних хвиль. Отримані результати вказують на важливість урахування локальних кореляцій, без яких розщеплені полем кристала 3d-рівні Ga розміщені у валентній зоні, що суперечить експерименту. Partial density of electronic states and electronic energy spectra of the crystal GaN with gradient corrections in the exchange-correlation energy functional without and with taking into account the strong local correlations of semicore 3d-electrons of Ga is calculated. Calculations are performed by the projector augmented waves method. The results indicate the importance of taking into account local correlations, without which 3d-levels of Ga, splitted by crystal field, appear in the valence band contrary to experiment.
Електроннa енергетичнa структура алмазу, кремнію та германію, отримана з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Швед, В. М.
Розраховані електронні енергетичні спектри кристалів C, Si та Ge у наближенні функціонала локальної електронної густини з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії C, Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. The electronic energy bands of C, Si and Ge have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in C, Si and Ge obtained herе are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach.
Електронні властивості алмазу з домішкою нікелю
(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Cиротюк, С. В.; Швед, В. М.
Розраховані густини електронних станів кристала алмазу та кристала алмазу з домішкою нікелю. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого нікелем кристала алмазу показує, що завдяки домішці нікелю вище від стелі валентної зони з’являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Алмаз з домішкою нікелю стає напівпровідником з рівнями акцепторного типу. The densities of states of diamond crystal with nickel impurity have been evaluated. The comparison of the state densities for pure crystal and for crystal with impurity shows that the hybridized states of p- and d-symmetry appear above the top of the valence band. Diamond with nickel impurity becomes the semiconductor with impurity levels of acceptor type.
Електронні і магнітні властивості алмазу з домішками перехідних металів
(Видавництво Львівської політехніки) Сиротюк, С. В.; Швед, В. М.; Syrotyuk, C. Y.; Shved, V. M.; Сиротюк, С. В.; Швед, В. М.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”
Розраховано повні й парціальні щільності електронних станів алмазу, легованого перехідними 3 d елементами, з градієнтними поправками в функціоналі обмінно-кореляційної енергії, з урахуванням сильних локальних кореляцій Зй-електронів. Розрахунки виконані методом проекційних приєднаних хвиль. Виявлено, що алмаз з домішками заміщення Сг, Мп та Ni є магнітним напівпровідником.
Розрахунок електронного енергетичного спектру кристала GAN за методом приєднаних проекторами хвиль з урахуванням локальних сильних міжелектронних кореляцій
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Швед, В. М.