Browsing by Author "Шпотюк, М. В."
Now showing 1 - 9 of 9
- Results Per Page
- Sort Options
Item Вплив γ-випромінювання на край фундаментального оптичного поглинання халькогенідних стекол системи As-S(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Шпотюк, М. В.Наведено дослідження впливу γ-опромінення на положення краю фундаментального оптичного поглинання халькогенідних стекол системи As-S. Показано, що залежно від складу і термічної передісторії зразків можуть спостерігатись явища оптичного потемніння або просвітління, зумовлені деструкційно-полімеризаційними перетвореннями та фізичним старінням, відповідно. Influence of γ-irradiation on the position of fundamental optical absorption edge is studied for chalcogenide glasses of the binary As-S system. It is shown that both optical darkening and bleaching effects could be observed in dependence on the glass composition and thermal prehistory of the specimens. These phenomena are explained in terms of destruction-polymerization transformations and physical ageing, respectively.Item Вплив γ-випромінювання на перший чіткий дифракційний пік трисульфіду миш'яку(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Шпотюк, М. В.; Шпотюк, О. Й.Item Моделювання та оптимізація характеристик оптоелектронного сенсора температури для роботи в умовах підвищеної радіації(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Чалий, Д. О.; Убізський, С. Б.; Шпотюк, М. В.Item Особливості радіаційно-індукованого фізичного старіння сульфідних та селенідних сіткових стекол(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Шпотюк, М. В.; Головчак, Р. Я.Радіаційно-індуковане фізичне старіння склуватих сульфідів миш'яку AsxS100-x (30 £ x £ 42) досліджено за методом диференціальної скануючої калориметрії та порівняно з попередньо отриманими даними для селенідів миш'яку. Показано, що γ-опромінення істотно пришвидшує ефект фізичного старіння у зразках AsxS100-x з x < 40, тоді як для селенідних стекол з цього самого інтервалу складів жодних істотних змін після γ-опромінення зафіксовано не було. Така відмінність ефектів радіаційно-індукованого фізичного старіння в сульфідах та селенідах миш'яку пояснена більшим часом життя γ-індукованих збуджень у сірковій матриці скла порівняно зі селенідною. Radiation-induced physical ageing of vitreous arsenic sulphides AsxS100-x (30 < x < 42) was studied using differential scanning calorimetry and compared with previous data of authors for arsenic selenides. It is shown that significant effect of γ-irradiation influence on the physical ageing of AsxS100-x is observed for the samples with x < 40, contrary to the selenide glasses, where no significant γ-induced changes were detected. Such difference between γ-nduced physical ageing effects of arsenic sulphides and arsenic selenides is explained by a higher lifetime of γ-induced excitations in sulphur network in comparison to selenide one.Item Особливості радіаційно-індукованого фізичного старіння сульфідних та селенідних сіткових стекол(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Шпотюк, М. В.; Головчак, Р. Я.Item Перетворення структури склоподібного селеніду миш’яку при фізичному старінні(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Ваків, М. М.; Шпотюк, М. В.; Головчак, Р. Я.Методом диференціальної скануючої калориметрії досліджені ефекти коротко- (~6 місяців) та довготермінового (~20 років) фізичного старіння склоподібного селеніду миш’яку. Показано, що ці ефекти відрізняються кількісними параметрами (температура розм’якшення та площа ендотермічного піка в області фазового переходу склопереохолоджена рідина) та областями прояву на композиційній залежності. Отримані результати пояснені в межах так званої ланцюгової моделі за рахунок відмінності мікроструктурних механізмів коротко- та довготермінового старіння склоподібного селеніду миш’яку. Effects of short-term (~6 months) and long-term physical ageing (~20 years) studied in vitreous arsenic selenides using differential scanning calorimetry. It is shown that these effects differ by their numerical parameters (glass transition temperature and endothermic peak area near the glass transition) and by compositional dependences. The results obtained are explained within chain crossing model owing to sufficient difference in microstructural origin of short- and long-term physical ageing in vitreous arsenic selenides.Item Структурна модель фізичного старіння халькогенідних склуватих навіпровідників системи As-Se(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Шпотюк, М. В.; Ваків, М. М.Item Структурна модифікація бінарних as-базованих халькогенідних склуватих напівпровідників(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Шпотюк, М. В.; Шпотюк, О. Й.Наведено числовий критерій структурної модифікації халькогенідних склуватих напівпровідників. Розділено вплив in-situ структурної модифікації та внеску від наступної структурної релаксації на кінцеву метастабільну in-situ структурну модифікацію. Внесок від структурної релаксації розділений на три різні канали (внески від переключення зв’язків, вільного об’єму та металічності). Числовий критерій структурної модифікації розрахований для As-базованих халькогенідних склуватих напівпровідників систем As-S і As-Se. Показано, що теоретично розраховані дані адекватно описують експериментально отримані результати інших авторів. Numerical criterion for structural modification of chalcogenide vitreous semiconductors was presented in this work. It was divided influences of the in-situ structural modification and follow structural relaxation input on the final metastable ex-situ structural modification. Structural relaxation input was divided on the three different channels (bond-switching, free volume and metallicity inputs). Numerical criteria of structural modification were calculated for As-based chalcogenide vitreous semiconductors of the As-S and As-Se systems. It was shown that theoretically calculated data are adequate describe experimentally obtained results of other authors.Item Структурна модифікація бінарних As-базованих халькогенідних склуватих напівпровідників(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Шпотюк, М. В.; Шпотюк, О. Й.