Browsing by Author "Malyk, O. P."

Now showing 1 - 3 of 3

The local heavy-hole interaction with crystal lattice defects in indium antimonide
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.
The processes of heavy-hole scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain and ionized impurities in zinc blende p-InSb samples with carrier concentration ~ 5 x 1013 + 2 x 1019 cm~3 are considered. The temperature dependences of heavy-hole mobility and Hall factor in the range 11 — 520 K are calculated. Рассмотрены процессы рассеяния тяжелых дырок на близкодействующем потенциале, обусловленном взаимодействием с полярными и неполярными оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами. полем статической деформации, заряженной примеси в образцах р-1пЗЬ с концентрацией носителей ~ 5 х 1013 ^ 2 х 1019 см-3. Рассчитаны температурные зависимости подвижности и Холл-фактора тяжелых дырок в интервале 11—520 К. Розглянуто процеси розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими домішками в зразках р-ІпЗЬ з концентрацією носіїв ~ 5 х 1013 ^ 2 х 1019см_3. Розраховано температурні залежності рухливості та Холл-фактора важких дірок в інтервалі 11—520 К.
The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride
(Видавництво Львівської політехніки) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”
Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в зразку ІпМ зі структурою вюртциту та з концентрацією електронів ~ 6 х 1017см_3. Розраховано температурну залежність рухливості електронів в інтервалі 4.2 — 560 К.
Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Petrovych, I. V.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розглядаються моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками в широкозонному CdxHg1-xTe (x=0.52; 0.59; 1.0). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 – 300 К.