Електроніка. – 2002. – №455
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка" – Львів : Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002. – № 455 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 224 с. : іл.
Browse
Browsing Електроніка. – 2002. – №455 by Issue Date
Results Per Page
Sort Options
Item Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Експериментально досліджено властивості зразків полікристалічного кремнію р- типу провідності на діелектричних підкладках в температурному діапазоні 4,2-300 К і магнітних полях 0-14 Тл, а також вплив деформації на опір та температурний коефіцієнт опору. Вимірювання проводились на тестових структурах з рекристалізованими і нерекристалізованими полікремнієвими резисторами. Показано, що найкращу чутливість до деформації і оптимальний температурний коефіцієнт опору для застосування в п'єзорезистивних сенсорах механічних величин мають рекристалізовані шари полі-Si, леговані бором до концентрацій >1x 10 19 см"3. Одночасно такі структури є найбільш стабільними до впливу сильних магнітних полів до 14 Тл. Тестові структури з порівняно слабколегованими нерекристалізованими полікремнієвими резисторами мають високий температурний коефіцієнт опору, який монотонно змінюється в діапазоні 4,2-300 К, і можуть бути рекомендовані для використання як високочутливі терморезистори. The electrical properties of p-type polycrystalline silicon on dielectric substrates were studied experimentally in the range 4,2-300 K and in magnetic fieldss 0-14 T, as well as the strain influence on their resistance and temperature coefficient of resistance. The measurements were carried out on the test structures containing as-deposited fine-grained poly-Si and after microzone laser recrystallization. It was shown that the recrystallized test structures doped by boron up to concentrations >1x 10 19 cm3 posess the highest strain sensitivity combined with the best temperature coefficient of resistance for sensor application. At the same time such structures are the most stable in high magnetic field up to 14 T. The structures containing relatively slightly doped polysilicon resistors have a high temperature coefficient of resistance that is monotonous in the range 4,2-300 K. They may be recommended for application as high-sensitive thermoresistors.Item Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Копцев, П. С.; Макідо, О. Ю.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікрокристалів InAs та InSb з використанням комплексного металургійного легування під час їх росту за методом хімічних транспортних реакцій в закритій йодидній системі. Визначено рівноважний склад газової фази систем InA s-Sn-I2 та InSb-Sn-I2. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваних систем та встановлено вплив домішок Sn і Сг на рівноважний склад газової фази базових систем. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів InAs та InSb, які підтверджені експериментально. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs and InSb microcrystals with the use of complex metallurgical doping during their growth by means of chemical transport reactions in the closed iodide system was performed. Equilibrium compositions of gas phase for InA s-Sn-I2 and InSb-Sn-I2 systems were determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied systems was performed and influence of Sn and Cr impurities was determined upon the equilibrium composition of gas phase for the basic systems. Experimentally confirmed optimal technological modes for InAs and InSb microcrystal growth were determined.Item Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSb(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Національний університет "Львівська політехніка"Визначені основні кінетичні параметри росту за методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодидній системі нелегованих та легованих ізовалентною домішкою Ві ниткоподібних кристалів InSb. Визначена енергія кристалізації, яка для кристалів InSb <Ві> становить 177,3 кДж/моль, а для нелегованих мікрокристалів InSb - 150 кДж/моль. Одержана залежність швидкості росту ниткоподібних кристалів від радіуса, яка дає можливість отримувати кристали необхідних розмірів при визначеній температурі кристалізації. Встановлено вплив температури кристалізації на аксіальну та радіальну швидкість росту мікрокристалів. Визначено, що введення ізовалентної домішки Ві в InSb приводить до збільшення як діаметрів мікрокристалів, так і їх довжини, а також до зростання кінетичного коефіцієнту кристалізації. Main kinetic growth parameters according to the method of chemical transport reactions in the closed iodide system of InSb whiskers, undoped and doped with the isovalent impurity Bi are determined. Crystallization energy for InSb whiskers is 177.3 kilojoules per mole, and for the undoped InSb whiskers - 150 kilojoules per mole. Dependence of the growth speed of the whiskers on the radius was obtained that permits to obtain crystals of the necessary size when crystallization temperature is determined. The influence of crystallization temperature on the axial and radial growth speed of the whiskers is set. It is found that introducing isovalent impurity Bi in InSb leads to increasing both whisker diameters and their length as well as to increasing kinetic crystallization coefficient.Item Двійникування у плівках CdHgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Вірш, І. С.; Фружинський, М. С.; Національний університет "Львівська політехніка"Методом імпульсного лазерного осадження отримано плівки CdHgTe на різних підкладках. Методами електронографії та трансмісійної електронної мікроскопії досліджували початкові стадії росту плівок. Проаналізовані можливі причини двійникування в плівках та запропоновані методи уникнення двійникування на початкових стадіях формування плівок. The films of CdHgTe on alternative substrates were grown by a pulsed laser deposition technique. Study of initial stages of CdHgTe films by electron-difraction investigation and transmission electron microscopy was carried out. It is analysed the causes of the twinning effect in thin films CdHgTe. The methods of reducing the defect densities of initial stages of nucleation films were developed.Item Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.; Дорош, Н. В.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.Item Вплив високоенергетичного у-випромінювання на оптичні властивості халькогенідних стекол системи As-Sb-S(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Ковальський, А. П.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив високоенергетичного у-випромінювання на спектри оптичного пропускання халькогенідних склоподібних напівпровідників системи A s-Sb-S по псевдобінарному розрізу (As2S3)x(Sb2S3)i-x. Встановлено, що у всьому досліджуваному концентраційному діапазоні радіаційна обробка приводить до потемніння стекол в області краю поглинання та його просвітління в області прозорості. Зроблено висновок, що величина та характер спостережуваних змін оптичних властивостей визначаються співвідношенням концентрацій атомів As та Sb. Запропоновано механізм радіаційно-індукованого дефектоутворення. Influence of high-energetic y-radiation on the optical transmittance spectra of chalcogenide vitreous semiconductors of As-Sb-S system along of (As2S3)x(Sb2S3)1-x pseudobinary line was investigated. It was established that radiation treatment leads to the darkening of glasses near the optical absorption edge and their bleaching in the transmittance region for the whole investigated concentration range. It was concluded that the magnitude and the character of observed changes of optical properties are determined by the ratio of As and Sb concentrations. Mechanism of radiation-induced defect formation processes was proposed.Item Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів телуридів свинцю і олова(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.; Слинько, С. І.; Хандожко, О. Г.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено експериментальні дослідження спектрів ЕПР кристалічних і порошкоподібних зразків p-Pb1-x-ySnyGdyTe (x = 0,2, y = 0,01). Вперше показано, що розтирання зразків досліджуваних матеріалів у порошок, а також ЇХ низькотемпературний відпал переводить іони домішки Gd з ЕПР неактивного стану Gd+ у ЕПР активний стан Gd3+, в той час як високотемпературний відпал гасить сигнал ЕПР іонів Gd. Одержані експериментальні результати інтерпретуються на основі моделі, згідно з якою зарядовий стан Gd3+домішки гадолінію в телуридах свинцю і олова є складовою частиною комплексу "домішка заміщення Gd - вакансія Те” EPR experimental study of both crystalline and powder p-Pb1-x-ySnyGdyTe samples (x = 0,2, y = 0,01) has been carried out. First it was shown, that grinding investigated materials into powder as well as their low-temperature annealing turns Gd impurity ions from EPR non-active Gd2+ state to EPR Gd3+ one, whereas high-temperature annealing quenches EPR signal from Gd ions. Obtained experimental results are discussed within the model, according to which Gd3+ charge state of the Gd impurity ions in lead and tin tellurides is the component part of the "substituting Gd impurity - Te vacancy" complex.Item Кристалічна структура smgao3 та твердих розчинів Ndi-xRExGaO3 (RE = Pr, Sm)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Василечко, Л. О.; Фадеев, С. В.; Редько, Н. В.; Берковський, М.; Національний університет "Львівська політехніка"Кристалічна структура SmGaO3 та твердих розчинів Nd1.xPrxGaO3 (х = 0,25; 0,5; 0,75) і Nd1-xSmxGaO3 (х = 0,25; 0,5) досліджена методом рентгенівської порошкової дифракції. При кімнатній температурі досліджені кристали мають ром- бічно-деформовану перовскитну структуру типу G dFe03 (просторова група Pbnm, Z = 4). Ізовалентне заміщення в ряду Sm - Nd - Pr веде до зростання середнього радіуса RE-катіонів, і в результаті до закономірного зростання об’єму елементарної комірки та зменшення деформації перовскитної структури. Crystal structures of SmGaO3 and N d1-xPrxGaO3 (x = 0,25; 0,5; 0,75), and Nd1-xSmxGaO3 (x = 0,25; 0,5) solid solutions has been studied by means of X-ray powder diffraction technique. The crystals investigated belong to orthorhombically distorted perovskite-like structure of GdFeO3 -type (space group Pbnm, Z = 4) at room temperature. Isovalence substitution in the series Sm - Nd - Pr led to increasing of the average ionic radii of RE-cations, and, consequently, to naturally rising of the cell volume and decreasing of the perovskite structure deformation.Item Ємнісні зв’язки в паралельних провідниках плівкових мікросхем(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Готра, З. Ю.; Віш, Б.; Сабат, В.; Національний університет "Львівська політехніка"Наведено результати теоретичного аналізу ємнісних зв'язків для системи провідного шару в гібридній мікросхемі. Розглянуто варіант, в якому два паралельні провідні канали різної ширини розташовані з одного боку діелектричної підкладки безмежної довжини. Розв’язується задача, яка спрощена до розв’язання одновимірної крайової задачі. Отримана система рівнянь, яка описує розподіл електричного заряду, розв'язується чисельними методами. З отриманих результатів розраховуються ємнісні зв'язки. Results of theoretical analysis of capacitive couplings for the conductive layer system in a hybrid microcircuit have been presented. In the considered case two parallel conductive paths of different width are located on the same side of dielectric substrate of infinite extension. The solution for capacity determination is here reduced to one-dimensional boundary problem. The obtained equation system of electric charge distribution has next been solved by application of numerical method. On this basis the coupling capacity value has been calculated.Item Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бончик, О. Ю.; Кияк, С. Г.; Могиляк, І. А.; Паливода, І. П.; СавицькийГ.В., Г. В.; Тростинський, І. П.; Національний університет "Львівська політехніка"Експериментально досліджена можливість твердофазного легування напівпровідників під дією потужного лазерного випромінювання з довжиною хвилі, для якої напівпровідник є прозорим. Досліджені основні електрофізичні параметри р-п-переходів і омічних контактів в Si, GaAs, GaP, ІпР, сформованих методом лазерної дифузії домішки з плівки лігатури. На основі аналізу параметрів напівпровідникових структур показано, що метод лазерного твердофазного легування напівпровідників є конкурентоспроможним порівняно з технікою іонної імплантації і традиційною дифузійною технологією. A p-n-junctions formed by means of laser stimulated diffusion of dopants into semiconductors (Si, GaAs, InP) were investigated. SIMS and AES spectroscopy methods were used to measure the depth profiles of the incorporated impurities: B into Si; Zn, into GaAs and InP. The comparative analysis of parameters of formed semiconductor structure shows that the procedure of laser solid-phase doping can stand the comparison with technology of implantation and conventional diffusion technology.Item Система технічного зору для дистанційно-керованого самохідного маніпулятора(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бланар, О. В.; Вакуєв, І. П.; Громок, Л. І.; Гусєв, О. В.; Карпачов, Ю. А.; Кчюфас, С. І.; Павловський, М. А.; Ракша, Г. В.; Рудик, Ю. М.; Слободян, Л. Р.; Національний університет "Львівська політехніка"Обґрунтовані структура та основні вимоги до технічних характеристик системи технічного зору для дистанційно-керованого самохідного маніпулятора. Наведена структура розробленого експериментального зразка системи, визначені його основні характеристики стереоефекту. The structure and the main requirements for technical characteristics of technical vision system for distant driving self-propelled manipulator are substantiated. The experimental system model structure is given and the main stereo effect characteristics of system model are obtained.Item Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Круковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.Item Іонні процеси в радіаційно забарвлених кристалах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Чорній, З. П.; Щур, Г. О.; Качан, С. І.; Салапак, В. М.; Пірко, І. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено струми термостимульованої поляризації (ТСП) в радіаційно забарвлених кристалах SrCl2-Tl. Виявлено два нові максимуми ТСП при 135 і 150 К, зумовлені термодисоціацією Tl+2Va+ і Т^+У^-центрів, відповідно. Currents of thermostimulated conductivity (CTC) in radiation - coloured crystals SrCl2 - Tl are investigated. And two new maximums of CTC (when Ti = 135 K and T2 = 150 K), t-Hnsed by thermodissotiation of Tl+2Va+ - and Tl2+Va+ - centers, accordingly are discovered.Item Метод двократних вимірювань для заповнення матриць фотопружного ефекту кристалів різних класів симетрії апробація методу на прикладі кристалів ß-BaB2Ü4(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Андрущак, A. C.; Бобицький, Я. В.; Гнатик, Б. І.; Кайдан, М. В.; Мицик, Б. Г.; Національний університет "Львівська політехніка"Для запропонованої модифікації інтерферометричного методу вимірювань п’єзооптичних коефіцієнтів виведені співвідношення, які дають змогу визначити всі компоненти тензора п’єзооптичного ефекту кристалів триклінної симетрії. На основі цих співвідношень можна точніше визначити ненульові п’єзооптичні, а також пружнооптичні коефіцієнти кристалів усіх класів симетрії. Експериментальну апробацію методу двократних вимірювань проведено на кристалах Р-ВаВ2О4. На основі заповненої матриці п’єзооптичних коефіцієнтів розраховано величину та знак всіх компонент тензора пружнооптичного ефекту цих кристалів. The relationships for determination of all components of piezooptical effect tensor of the triclinic symmetry crystals proposed by the modifical interferometrical method of piezooptical coefficients measurement are presented. These relationships also allow to determine higher accuracy of the non-zero piezooptical as well as elastooptical coefficients for crystals of all symmetry groups. Using the example of P-BaB2O4 crystals the experimental approbation of the proposed two-stage measurement method is held. On the basis of a completed piezooptical coefficients matrix the magnitude and sign of all elastooptical coefficients are calculated.Item Прискорені алгоритми розрахунку законів дисперсії на змішаному базисі в GaAs(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Різак, В. Л.; Національний університет "Львівська політехніка"Виведені і реалізовані прискорені алгоритми розрахунку матриці гаміль-тоніана кристала на змішаному базисі одноелектронних станів. Доведена їхня перевага над традиційним підходом, що ґрунтується на розкладі кристалічного потенціалу в ряд Фур’є. The accelerated algorithms for crystal Hamiltonian matrix calculation within the mixed basis of single-particle states have been derived and implemented. Their advantage over traditional approach grounded on the Fourier series development of crystal potential has been proved.Item Конструктивні похибки параметричних ємнісних давачів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бзовий, М. Г.; Брайчовський, В. В.; Політанський, Л. Ф.; Шпатар, П. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено аналіз похибок ємнісних давачів переміщень, зумовлених порушенням паралельності обкладок конденсатора. Отримані аналітичні залежності зміни ємності давача від віддалі між непаралельними прямокутними та круглими обкладками. Analysis of inaccuracies for movements capacity sensors caused by a displacement transducers of capacitor plates is made. An analytical relation for change of the sensor’s capacitance to spacing interval between nonparallel rectangular and round plates is gotten.Item Порівняльний аналіз процесів конверсії типу провідності В p-CdxHgi_xTe (x « 0,2)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Іжнін, І. І.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено порівняльний аналіз процесів p -n -конверсії типу провідності при термічному відпалі, іонно-променевому травленні та відпалі анодного оксиду на ідентичних зразках вакансійно-легованого р-Cd^Hg^Te. Вважалося, що у всіх цих процесах конверсія зумовлена дифузією міжвузловинних атомів ртуті з відповідного джерела та рекомбінацією її з власними акцепторами - катіонними вакансіями. Показано, що ефективні коефіцієнти дифузії міжвузловинних атомів ртуті, які визначають товщину конвертованого шару, при термічному відпалі в насиченій парі ртуті та відпалі анодного оксиду для цієї ж температури є однаковими, і це свідчить про ідентичність джерела дифузії ртуті. У випадку іонно-променевого травлення величина ефективний коефіцієнт дифузії свідчить про гігантське (у 10 7- 10 8 разів) збільшення дифузійного потоку Hg порівняно з її термодифузійним потоком у насиченій парі. Збільшення дифузійного потоку Hg зумовлено утворенням поверхневого джерела Hg із надзвичайно великою концентрацією (близько 101“2 -10113J см 3), яка зростає при збільшенні густини струму іонів. The work is devoted to the comparative analysis of the p-n type conductivity processes under thermal annealing, ion-beam milling and anodic oxide annealing on identical samples of the vacancy-doped р-Cd^Hg^Te. It was assumed that in all these processes type conductivity conversion is due to mercury interstitial diffusion from corresponding source and their recombination with native acceptors - cationic vacancies. It has been demonstrated that the mercury interstitial effective diffusion coefficients which determined converted layer depth under thermal annealing in saturated mercury vapor and anodic oxide annealing at the same temperature are similar. It may witness about the identity mercury diffusion sources. Under the ion-beam milling effective diffusion coefficient value shows the giant (in 10 7-180 times) increase of the Hg diffusion flow in comparison with its thermodiffusion flow in saturated vapor. It is stipulated by the formation of the surface Hg source with extremely high concentration (approximately 10 12 -10 13 с т 3) that rises when ion current increasing.Item ЕРС в структурах кремнію 3 p-n-переходом під впливом лазерних ударних хвиль(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Нікіфоров, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджувалась генерація ЕРС в кристалах кремнію з р-п-переходом під впливом лазерних ударних хвиль малої амплітуди в двох схемних режимах. Оцінена концентрація та проаналізована природа появи нерівноважних носіїв, що викликають ЕРС. Electromotive force (EMF) génération by weak laser shock waves in silicon crystals with p-n-junction was observed. The concentration of non-equilibrium carriers, which induced EMF, was estimated and analyzed.Item Деформаційна залежність енергії утворення 2s-екситона у напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Пелещак, P. M.; Романів, І. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"В рамках моделі еквівалентного гамільтоніана розглянуто спосіб розрахунку енергії утворення 2 s-екситона в одиничній напруженій квантовій ямі з врахуванням не тільки квантово-розмірних, а й деформаційних ефектів, що виникають в епітаксійних шарах через неузгодженість параметрів ґраток двох кристалічних структур ~4 %. Товщини нарощуваних шарів лежать в межах дії пружних деформацій. Досліджено вплив всебічної та одновісної деформації в епітаксійному шарі ZnSe в гетероструктурі ZnSe/ZnS на довжину хвилі, яка відповідає максимуму інтенсивності 1s- та 2 s-екситонів біля краю основної полоси поглинання. Проведено порівняння отриманих результатів з експериментальними даними, отриманими зі спектрів низькотемпературної фотолюмінесценції. In the frame of the equivalent hamiltonian model the calculation method of the 2s-exciton formation energy in the single quantum well is represented. It was take into consideration not only the quantum confinement, but also the deformation effects caused in the epitaxial layers by the lattice mismatch both crystalline structures ~4 %. The thicknesses of the grown layers is in the limit of the elastic strains. The effect of the hydrostatic and the nonhydrostatic strains in the ZnSe epitaxial layer in the ZnSe/ZnS heterostructure on the wavelength which corresponds to the 1s- and 2s-excitons maximum of the intensity near the edge of the main absorption line was investigated. The comparison of these results with the experimental values that was obtain from the law temperature photoluminescence spectra is carried out.Item Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Тиханський, М. В.; Шуригін, Ф. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.