Browsing by Subject "539.315"
Now showing 1 - 3 of 3
- Results Per Page
- Sort Options
Item Ефекти самоорганізації в процесах взаємодії лазерного випромінювання з напівпровідниками(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бончик, О. Ю.; Готра, З. Ю.; Кияк, С. Г.; Могиляк, І. А.; Тростинський, І. П.; Національний університет “Львівська політехніка”Експериментально досліджено особливості морфології поверхні кремнієвих пластин в зонах дії секундних і мілісекундних лазерних імпульсів. Наведені резуль¬тати мікроскопічних досліджень періодичних структур, які формуються на поверхнях з кристалографічною орієнтацією (100), (111), (110), а також на площинах, вирізаних під кутом 6° до площини (100) і на аморфних шарах В203, нанесених на поверхню кремнію. The peculiarities of Si surface in the zone of second and millisecond laser pulses effect have been investigated experimentally. The outcomes of the microscopic studies of the periodical structures formed at the surfaces with crystallographic orientation (100), (111), (100) and at the surfaces cut at the angle 6° to the plane (100) as well as on amorphous layers B203 deposited on the Si surface are presented.Item Моделювання форми рельєфу поверхні напівпровідників у зонах дії мілісекундних та секундних лазерних імпульсів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Кияк, С. Г.; Петрович, I. B.; Володін, П. В.; Могиляк, І. А.; Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я. С. Підстригача НАН України; Національний університет “Львівська політехніка”Проведено моделювання рельєфу поверхні для періодичних структур проплавів иа аморфних та кристалічних зразках Si після їх імпульсного лазерного опромінення. Зроблено розрахунок для проплавів, які мають форми з виступами та впадинами в центрах цих утворень. Результати розрахунку узгоджено з даними експерименту. The surface relief modeling for periodic fusing structures on amorphous and crystalline Si samples after their pulse laser irradiation is carried out. The computation for fusing structures, which have the forms with bulges and hollows in centers of these formations, is done. The computation results confirm experimental data.Item Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бончик, О. Ю.; Кияк, С. Г.; Могиляк, І. А.; Паливода, І. П.; СавицькийГ.В., Г. В.; Тростинський, І. П.; Національний університет "Львівська політехніка"Експериментально досліджена можливість твердофазного легування напівпровідників під дією потужного лазерного випромінювання з довжиною хвилі, для якої напівпровідник є прозорим. Досліджені основні електрофізичні параметри р-п-переходів і омічних контактів в Si, GaAs, GaP, ІпР, сформованих методом лазерної дифузії домішки з плівки лігатури. На основі аналізу параметрів напівпровідникових структур показано, що метод лазерного твердофазного легування напівпровідників є конкурентоспроможним порівняно з технікою іонної імплантації і традиційною дифузійною технологією. A p-n-junctions formed by means of laser stimulated diffusion of dopants into semiconductors (Si, GaAs, InP) were investigated. SIMS and AES spectroscopy methods were used to measure the depth profiles of the incorporated impurities: B into Si; Zn, into GaAs and InP. The comparative analysis of parameters of formed semiconductor structure shows that the procedure of laser solid-phase doping can stand the comparison with technology of implantation and conventional diffusion technology.