Browsing by Subject "621.315.592"
Now showing 1 - 20 of 43
- Results Per Page
- Sort Options
Item The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride(Видавництво Львівської політехніки) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в зразку ІпМ зі структурою вюртциту та з концентрацією електронів ~ 6 х 1017см_3. Розраховано температурну залежність рухливості електронів в інтервалі 4.2 — 560 К.Item Використання мікрокристалів кремнію, легованих бором та нікелем, у сенсорній техніці(Видавництво Львівської політехніки, 2022-03-01) Дружинін, А.; Островський, І.; Ховерко, Ю.; Лях-Кагуй, Н.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Hoverko, Yu.; Liakh-Kaguy, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityДосліджено особливості перенесення носіїв заряду в мікрокристалах кремнію, легованих бором до концентрації, що відповідає переходу метал-діелектрик, а також модифікованих домішкою перехідного металу із незаповненою 3d+ оболонкою локального магнітного моменту. Досліджено магнітоопір мікрокристалів під дією магнітних полів до 14 Тл за кріогенних температур. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей кристалів. Встановлено, що низькотемпературний транспорт носіїв заряду у мікрокристалах кремнію зумовлений стрибковою поляризаційною провідністю. Відповідно до результатів досліджень намагніченості ниткоподібних кристалів Si визначено концентрацію магнітних центрів, яка становить 4×1017см–3. Запропоновано використання мікрокристалів кремнію у сенсорах магнітного поля з магніторезистивним принципом дії.Item Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет "Львівська політехніка"У роботі вивчено вплив деформації на електропровідність ниткоподібних кристалів (НК) GexSii-x (x = 0,01-0,03) в інтервалі температур 4,2-300 К. НК вирощували методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі з використанням домішок Au і B. Досліджували сильнолеговані кристали з питомим опором р = 0,005-0,025 Омсм, який відповідає близькості зразків до переходу метал-діелектрик. Деформація зразків здійснювалася їх закріпленням на спеціально підібрані підкладки (мідь, алюміній, кварц) з відмінним від матеріалу Ge-Si коефіцієнтом термічного розширення. Виявлений гігантський п’єзорезистивний ефект в НК при кріогенних температурах. Визначений коефіцієнт тензочутливості К<111> = Ар/(р0є) становить 10,000-30,000 при 4,2 K в НК з питомим опором р = 0,012-0,018 Омсм, відповідно. З кривих а = f(1/T) були розраховані енергії активації стрибкової провідності. Обговорюються можливі причини виявленого ефекту. The present paper deals with studies of deformation influence on GexSi1-x (x = 0,01-0,03) whisker conduction in the temperature range 4,2-300 K. The whiskers were grown by chemical vapour deposition method in a sealed bromide system with use of Au and B dopants. The whiskers with resistivity р = 0,005-0,025 Q cm were under investigation. The values of resistivity are corresponded to impurity concentrations closed to the metal-insulator transition. The strain was imposed by the whisker mounting on specially selected substrates (quartz, copper, aluminium) with thermal expansion coefficient different from that in Si-Ge material. The ‘giant’ piezoresistance was found in the specimens at cryogenic temperatures. Estimated longital gauge factor G<111> = Ар/(роЄ) is equal to 10,000-30,000 at 4,2 K in the whiskers with resistivity р = 0,012-0,018 Q cm respectively. From the curves а = f(1/T) the activation energies for the hopping conductance in the whiskers have been calculated. Possible reasons of the obtain phenomena are discussed.Item Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Національний університет “Львівська політехніка”Досліджено вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію. Показано, що легування вказаними домішками вихідних розплавів спричиняє зниження концентрації вільних електро¬нів у вирощуваних шарах з подальшою інверсією типу їх провідності з електронної на діркову по досягненні концентрацією домішки критичного рівня Ncr, який залежить від сорту домішки. Встановлено, що для Yb Ncr становить значення порядку 0,04 ат. %, а для Gd - порядку 0,022 ат. %. Аналізуються можливі причини і механізми впливу досліджуваних домішок на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. Influence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown from gallium solution-melts by LPE method is investigated. It is shown that doping of initial melts by indicated impurities causes to decreasing of free electron concentration into grown layers. The layer conductivity inverts from n- to p-type when the impurity concentration amounts to critical value Ncr depended from impurity kind. It is established that Ncr for Yb is equal to 0,04 at. % and for Gd 0,022 at. %. The possible reasons and mechanisms of investigated impurity influence on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers are analysed.Item Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Круковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.Item Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSb(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Національний університет "Львівська політехніка"Визначені основні кінетичні параметри росту за методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодидній системі нелегованих та легованих ізовалентною домішкою Ві ниткоподібних кристалів InSb. Визначена енергія кристалізації, яка для кристалів InSb <Ві> становить 177,3 кДж/моль, а для нелегованих мікрокристалів InSb - 150 кДж/моль. Одержана залежність швидкості росту ниткоподібних кристалів від радіуса, яка дає можливість отримувати кристали необхідних розмірів при визначеній температурі кристалізації. Встановлено вплив температури кристалізації на аксіальну та радіальну швидкість росту мікрокристалів. Визначено, що введення ізовалентної домішки Ві в InSb приводить до збільшення як діаметрів мікрокристалів, так і їх довжини, а також до зростання кінетичного коефіцієнту кристалізації. Main kinetic growth parameters according to the method of chemical transport reactions in the closed iodide system of InSb whiskers, undoped and doped with the isovalent impurity Bi are determined. Crystallization energy for InSb whiskers is 177.3 kilojoules per mole, and for the undoped InSb whiskers - 150 kilojoules per mole. Dependence of the growth speed of the whiskers on the radius was obtained that permits to obtain crystals of the necessary size when crystallization temperature is determined. The influence of crystallization temperature on the axial and radial growth speed of the whiskers is set. It is found that introducing isovalent impurity Bi in InSb leads to increasing both whisker diameters and their length as well as to increasing kinetic crystallization coefficient.Item Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Єрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.; Національний університет "Львівська політехніка"Метою даної роботи була розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS), яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. Завдяки оптимізації умов анодного процесу інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7,59 % для пористих шарів, вирощених на полірованій поверхні, та до 1,72 % для шарів, що вирощені на текстурованій поверхні. Мінімізація оптичних втрат дозволила підвищити на більше ніж 50 % струм короткого замикання для моно- та мультікристалічних СЕ, на фронтальній поверхні яких було сформовано ARC на основі PS. При цьому приріст ККД по відношенню до СЕ без ARC склав 31 та 22 %, відповідно. The purpose of present paper was development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence. Owing to optimization of anodization process conditions the average reflection coefficient of PS in range of 400-1000 nm was decreased to 7,59 % for porous layers, grown on polished surface, and to 1,72 % for layers that were grown on textured surface. Minimization of optical losses allowed to improve short circuit current by over than 50 % for mono- and multicrystalline SC that had PS based ARC formed on frontal surface. Under this, the increment of efficiency of these SCs (in comparison to SC without ARC) was 31 and 22 %, correspondingly.Item Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Рибак, О. В.; Національний університет “Львівська політехніка”Подано огляд і узагальнення результатів експериментальних та технологічних досліджень поведінки і впливу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фізичні властивості бінарних напівпровідників PbTe, PbSe, GaAs та твердих розчинів на їх основі, одержаних авторами у співпраці зі своїми колегами-науковцями. Comprehansive review and generalization of the experimental and technological investigatins of the behaviour and influence of the rare-earth elements (REE) impurities on the physical properties of the binary PbTe, PbSe GaAs semiconductors and solid solutions based on them, obtained by authors in colaboration with their colleagues-scientists, are given.Item Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Островський, І. П.; Фружинський, М. С.; Рудий, І. 0.; Клімовська, А. І.; Національний університет “Львівська політехніка”Методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій галоїдній системі вирощені субмікронні ниткоподібні кристали (НК) Si на кремнієвих підкладках, попередньо покритих плівкою Au. Золото відігравало роль ініціатора росту НК. Температури зони джерела та кристалізації змінювалися в межах відповідно 650 - 930 °С та 400 - 700 °С. Показано, що зі зниженням температури кристалізації від 700 °С до 500 °С відбувається зменшення діаметрів НК від 0,2 - 5 мкм до 0,1 - 0,5 мкм та відповідне зменшення швидкості їх аксіального зростання. Проведено електронографічне дослідження кристалічної структури субмікронних НК. Встановлено ефект зменшення параметра гратки НК Si при зменшенні їх діаметрів від 0,5 до 0,15 мкм. Зміна параметра гратки у кристалах найменшого діамера 0,15 мкм становить 5 %. By chemical transport reaction (CTR) method in sealed halogen system submicron Si whiskers on Si substrate were grown. The substrate was previously covered with film of Au used as initiator of the whisker growth. The temperatures of evaporation zone and the temperatures of crystallization zone were 650 - 930 °С and 400 - 700 °С respectively. Reduction of the crystallization temperature from 700 °С to 500 °С was shown to cause the decrease of the whiskers’ diameter from 0,2 - 5 ^m to 0, 1 - 0,5 ^m respectively as well as correspondent reduction of the velocity of the whisker axial growth. Crystal structure of submicron whiskers was studied by use of electronograph. The decrease of the whisker lattice parameter with reduction of the whisker diameter from 0,5 to 0,1 ^m was observed. The value of the lattice parameter change in the whiskers of the least diameter 0,15 ^m was found to be 5 %.Item Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Експериментально досліджено властивості зразків полікристалічного кремнію р- типу провідності на діелектричних підкладках в температурному діапазоні 4,2-300 К і магнітних полях 0-14 Тл, а також вплив деформації на опір та температурний коефіцієнт опору. Вимірювання проводились на тестових структурах з рекристалізованими і нерекристалізованими полікремнієвими резисторами. Показано, що найкращу чутливість до деформації і оптимальний температурний коефіцієнт опору для застосування в п'єзорезистивних сенсорах механічних величин мають рекристалізовані шари полі-Si, леговані бором до концентрацій >1x 10 19 см"3. Одночасно такі структури є найбільш стабільними до впливу сильних магнітних полів до 14 Тл. Тестові структури з порівняно слабколегованими нерекристалізованими полікремнієвими резисторами мають високий температурний коефіцієнт опору, який монотонно змінюється в діапазоні 4,2-300 К, і можуть бути рекомендовані для використання як високочутливі терморезистори. The electrical properties of p-type polycrystalline silicon on dielectric substrates were studied experimentally in the range 4,2-300 K and in magnetic fieldss 0-14 T, as well as the strain influence on their resistance and temperature coefficient of resistance. The measurements were carried out on the test structures containing as-deposited fine-grained poly-Si and after microzone laser recrystallization. It was shown that the recrystallized test structures doped by boron up to concentrations >1x 10 19 cm3 posess the highest strain sensitivity combined with the best temperature coefficient of resistance for sensor application. At the same time such structures are the most stable in high magnetic field up to 14 T. The structures containing relatively slightly doped polysilicon resistors have a high temperature coefficient of resistance that is monotonous in the range 4,2-300 K. They may be recommended for application as high-sensitive thermoresistors.Item Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Стасюк, Н. М.; Національний університет “Львівська політехніка”Досліджено властивості ниткоподібних кристалів (НК) германію р-типу провідності в широкому діапазоні температур - від 1,7 К до кімнатної. Ступінь легування кристалів акцепторною домішкою галію відповідав близькості до переходу метал-діелектрик (ПМД). Деформацію кристала створювали закріп¬ленням на спеціально підібраних підкладках, матеріал яких мав коефіцієнт ліній¬ного розширення (КЛР), відмінний від КЛР германію. Запропонована методика експерименту дозволила визначити коефіцієнт тензочутливості зразків, який при 4,2 К досягав до 8000. Досліджено вплив термічної деформації кристала на температурну залежність електропровідності, визначено залежність енергії активації стрибкової провідності від деформації розтягу та стиску. Зроблено практичні рекомендації щодо використання НК германію в сенсорах фізичних величин. The properties of semiconductor whiskers (SW) of p-type germanium have been studied in the wide temperature range - from 1,7 K up to the room temperature. The doping level of the crystals with the acceptor impurity of gallium corresponded to the vicinity to the metal-insulator transition (MIT). The strain was imposed by the crystal mounting on specially selected substrates with thermal expansion coefficients (TEC) different from that in germanium. Such an experimental technique let it possible to determine the gauge factor for the samples which achieved up to 8000 at 4,2 K. An influence of the thermal strain on the electrical conductivity of the crystal was studied. An activation energy for the hopping conductance as a function of the tensile and compressive strain has been determined. The practical recommendation concerning the germanium SW application in physical sensors have been elaborated.Item Дослідження процесів реактивної лазерної кристалізації та модифікації властивостей тонких шарів окисних люмінофорних матеріалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бобицький, Я. В.; Котлярчук, Б. К.; Попович, Д. І.; Савчук, В. К.; Національний університет “Львівська політехніка”У роботі представлені теоретичні і експериментальні дослідження імпульсної лазерної (^=1,06 мкм) реактивної кристалізації і відпалу на прозорій підкладці Si02 попередньо осаджених аморфних фосфорних шарів Zn0:Zn, Y2O3:Eu, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn. На основі вибраної теплофізичної моделі розраховані криві розподілу температурних полів в системі Zn0-SiO2 після дії лазерного випромінювання (^=1,06 мкм) з різною густиною енергії як при прямій дії, так і з боку кварцової підкладки прозорої для лазерного випромінювання. Встановлено, що у останньому випадку енергія лазерного випромінювання поглинається в основному аморфною плівкою і температурні градієнти в ній практично відсутні, що дає змогу прово¬дити однофазну структурно однорідну кристалізацію. Всі кристалізовані лазером плівки володіли катодолюмінесценцією, яскравість та спектральний розподіл якої можна змінювати зміною густини енергії лазерного випромінювання і тиску кисню в реакційній камері. The results of the theoretical and experimental investigations of pulse laser reactive crystallization processes and annealing beforehand deposited amorphous films of phosphor materials are presented in the paper. The ZnO:Zn, Y2O3:Eu, ZnGa2O4, ZnGa2O4:Mn ceramic tablets were used as targets for laser vapor deposition of amor¬phous films. At laser treatment from layer side surface overheating took place with definite temperature depth gradient. At laser treatment from substrate side, film mainly absorbs the laser radiation energy and temperature gradients in the layer are practically absent. All films crystallized by laser have cathodoluminescent properties. Laser annealing of thin layers leads to cathodoluminescense intensity increase but also to changes in radiation spectra with pulse duration.Item ЕПР кристалів PbTe:G(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Полигач, Є. О.; Слинько, Є. Ї.; Хандожко, О. Г.; Національний університет “Львівська політехніка”; Чернівецьке відділення ІПМ НАН України; Чернівецький Національний УніверситетДосліджено спектри ЕПР монокристалів PbTe:Gd, вирощених методами Бріджмена та парової фази і легованих гадолінієм у процесі росту. Встановлено, що форма та інтенсивність ліній сигналу ЕПР іонів домішки гадолінію залежить від його концентрації, методу вирощування та типу провідності легованих кристалів, а також від способу введення легуючої домішки. Зроблено висновок, що отримані результати свідчать на користь гіпотези про утворення в процесі легування телуриду свинцю гадолінієм структурно-домішкових комплексів “домішка заміщення - вакансія телуру”. Уточнено величину g-фактора домішки гадолінію в досліджуваних кристалах при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту. PbTe:Gd crystals grown by Bridgman and vapour phase methods and doped with Gd while growth process has been investigated. It was ascertained that both shape and intensity of EPR spectrum lines depend on Gd concentration, doping method, type of crystal conductivity and growth method. Conclusion was drown that EPR spectrum behaviors obtained for crystals under investigation give the seal to our theory about forming of “Gd3+-VTe” complexes in PbTe doped with Gd impurity. g-factor value has been specified for both room and liquid nitrogen temperatures.Item Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.Item Локальна взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом дефектів в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О.; Malyk, O.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityРозглянуті моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими та нейтральними домішками в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26) . Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300 К .Item Магнітоопір та намагніченість кремнієвих мікроструктур за низьких температур(Видавництво Львівської політехніки, 2020-02-20) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кучерепа, Н. І.; Druzhinin, A. A.; Ostrovskii, I. P.; Khoverko, Yu. M.; Kucherepa, N. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityДосліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором, до концентрацій, які відповідають переходу метал–діелектрик, та нікелем, що міститься у приповерхневій області кристала. Досліджено магнітні властивості до 4 кОЕ та магнітоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Виконано детальний аналіз результатів теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнта від’ємного магнітоопору від намагніченості в ниткоподібних мікрокристалах кремнію.Item Магнітоопір та намагніченість кремнієвих мікроструктур за низьких температур(Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-18) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кучерепа, Н. І.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Khoverko, Yu.; Kucherepa, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityДосліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал-діелектрик, та нікелем, що міститься у приповерхневій області кристала. Досліджено магнітні властивості до 4 кОе та магнітоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Детально проаналізовано результати теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнта від’ємного магнітоопору від намагніченості в ниткоподібних мікрокристалах кремнію.Item Макропористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Єрохов, В. Ю.; Yerokhov, V. Yu.; Національний університет “Львівська політехніка”Показана перспективність кремнію як матеріалу фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуті моделі текстур як найважливіших структурних елементів ФЕП. Охарактеризовані сучасні напрями збільшення ефективності перетворення та зменшення вартості сонячних батарей з використанням макропористих кремнієвих текстур. Застосування текстури як ефективного та рентабельного покриття на основі макропористого кремнію, з використанням хімічної технології, повинно бути максимально адаптоване до створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). При використанні макропористого кремнію, вирощеного хімічними методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП в діапазоні 400–1000 нм зменшується до 17 %Item Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Копцев, П. С.; Макідо, О. Ю.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікрокристалів InAs та InSb з використанням комплексного металургійного легування під час їх росту за методом хімічних транспортних реакцій в закритій йодидній системі. Визначено рівноважний склад газової фази систем InA s-Sn-I2 та InSb-Sn-I2. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваних систем та встановлено вплив домішок Sn і Сг на рівноважний склад газової фази базових систем. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів InAs та InSb, які підтверджені експериментально. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs and InSb microcrystals with the use of complex metallurgical doping during their growth by means of chemical transport reactions in the closed iodide system was performed. Equilibrium compositions of gas phase for InA s-Sn-I2 and InSb-Sn-I2 systems were determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied systems was performed and influence of Sn and Cr impurities was determined upon the equilibrium composition of gas phase for the basic systems. Experimentally confirmed optimal technological modes for InAs and InSb microcrystal growth were determined.Item Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »