Електроніка. – 2003. – №482
Permanent URI for this collection
Browse
Browsing Електроніка. – 2003. – №482 by Title
Now showing 1 - 20 of 26
Results Per Page
Sort Options
Item FA і FD -центри забарвлення в кристалах флюориту(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Качан, С. І.; Кушнір, Т. М.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.Якщо кристали флюориту, що містять складні MA+ -центри забарвлення,оптичного знебарвити при 80 К,то структура новоутвореного точкового дефекта набуває конфігурації,вісь якої збігається з ‹111› кристалографічними напрямками кристала.При повторному опроміненні кристала, поряд з реакцією утворення VK-центрів, існує локалізація електронів на бівакансійних комплексах з утворення FD-центрів забарвлення. Концентрація новоутворених FD-центрів співвимірна за величиною з концентрацією FA-центрів,а оптичні параметри FD-центрів і FA-центрів практично збігаються. FD→МА+ - перетворення відбуваються при температурі реорієнтації TR домішково-вакансійних диполівт (TR=122 K в CаF2-Lі+ і TR=153 К в CаF2-Nа+). Ефективність виходу FD→МА+ -перетворень у 2-3 раза вища порівняно з ефективністю FA→МА+ -перетворень. If crystals of fluorite with the complicated MA+ -centers of colouring optically decolour at 80 К the structure of newly created point defect acquires a configuration, which axis coincides with ‹111› crystallographicdirections of the crystals. After repeated irradiation of crystals, alongside with the reaction of creation of FA and VK - centers, the localization of electrons on the bivacancial complexes with the the creation of FD - centers is proportional in size to the concentration of FA - centers, and optical parameters of FD and Fa - centers practically coincide. FD→МА+ transformations take place atthe temperature of reorientation of impurity-vacancion dipoles. The efficiency of the output of FD→МА+ transformations is higher in comparison with the efficiency of FA→МА+ transformation in 2-3 times.Item Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратів(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.Робота присвячена створенню радіаційної стійки перетворювачів Холла, дослідженню їх при опроміненні швидкими нейтронами та використанню в магнітометричних модулях магнітних систем управління космічними апаратами.Paper is dedicated to the radiation hard Hall generators creation, to their investigation during the irradiation by fast neutrons and their application in magnetometric units of spacecraft control magnetic systems.Item Вплив високотемпературної обробки на мехінізми струмопроходження в mono- i poly - n-Si(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Паньків, Л. І.; Лабовка, Д. В.; Лучкевич, В. М.; Терлецька, А. М.; Хляп, Г. М.; Цмоць, В. М.Описані результати з вивчення впливу високотемпературної обробки при температурі 900° С (ВТО-900) на механізми струмопроходження в структурах на основі mono- та poly-n-Si вихідних зразків і зразків, що пройшли ВТО. Порівняння ВАХ показало, що високотемператрна обробка не впливає на механізми струмопроходження в цих структурах.Встановлено, що домінуючою компонентою струму, який спостерігається в експеременті є тунельний.The results of the influence of high-temperature treatment at 900° C (HTT-900) on current mechanism in intial and treated mono- and poly-n-Si-based structures are presented. Comparison of I-V characteristics showed that high-temperature treatment does not influence o current mechanism in these structures. It was turned out that tunneling current is the dominant component of experimentally observed current.Item Вплив товщини фазової голограми на її параметри(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Фітьо, В. М.На підставі рівнянь зв'язаних хвиль, що описують дифракцію світла на періодичних непоглинаючих структурах (фазових голограмах), знайдено умови, за яких її можна вважати тонкою. Голограма буде тонкою, поки дифракційна ефективність мінус першого порядку дифракції зростає із збільшенням товщини голограми при достатньо малій модуляції показника заломлення. Отримано умови, при яких голограму можливо описати двохвильовим наближенням. Ці умови грунтуються на залежності дифракційної ефективності в мінус перший порядок дифракції від товщини голограми і від змінної складової показника заломлення при виконанні умов Брегга між недифрагованим пучком і дифрагованим пучком у перший порядок. Чисельними розрахунками показано, що для проміжних голограм по товщині при нормальному падінні пучка на голограму можна отримати дифракційну ефективність, близьку до 50% для першого і мінус першого порядків дифракції. The conditions at which a structure can be considered as a thin one were obtained by coupled wave equations whitch describe light diffraction on periodical non-absorbing structures (phase holograms). Hologram will be thin as long as diffraction efficiency of the negative first order of diffraction increases with hologram thickness increase at sufficiently small modulation of refractions index. Conditions at whitch hologram can be described by double-wave approximation are obtained. These conditions are based on dependence of diffraction efficiency in the negative first order of diffraction on hologram thickness and on variable component of refractions index at satisfaction of Bragg law between the non-diffracted beam and the beam diffracted into the first order. Numerical calculation show that diffraction efficiency of 50% for the first and minus first orders of diffraction can be obtained for medium thickness holograms when the beam comes normally to the hologram.Item Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивості(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Войцеховський, А. В.; Вірт, І. С.; Коханенко, А. П.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Методами дифракції електронів високих енергійна відбивання та растрової електронної мікроскопії досліджена структура та морфологія поверхні епітаксійних плівок (ЕП) CdHgTe, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на підкладках Si (111) та GaAs (112) з буферними шарами.Досліджено деякі механічні невідповідності в багатошарових гетероструктурах, у тому числі й структурах з анодним оксидом.Подано результати досліджень деяких електрофізичних та фотоелектричних властивостей ЕП. The crystal structures and surface morphology of CdHgTe epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy on Si (111) and GaAs (112) substrates with buffer layers by the electron diffraction methob and electron scanning microscopy were investigated.Some mechanical properties epitaxial films, elastic properties of interfaces and characteristic misfit dislocations in multilayers heterostructures including structures with anodi oxides are investigated.Electrophysical and photoelectric parameters of CdHgTe epitaxial films were measured.Item Деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах твердого розчину Ge-Si(Львівська політехніка, 2003) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.Досліджено деформаційно-стимульовані ефекти у ниткоподібних кристалах (НК) твердого розчину GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) p-типу провідності в температурному діапазоні (4,2 ... 300 K). Досліджувався вплив деформації на термо-ЕРС та електропровідність НК. Встановлено залежність енергії активації домішок від деформації НК. Виявлено гігантські коефіцієнти п'єзо-Зеєбека та тензочутливості в НК Ge-Si поблизу переходу метал-діелектрик за гелієвої температури. Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки та температури. Обговорено поведінку коефіцієнта Зеєбека при деформації розтягу та стиску кристалів. Strain-inducted effects in p-type GexSi1-x (х = 0.01 - 0.03) solid solution whiskers in temperature range 4,2 ... 300 К were investigated. An influense of strain on thermo-e.m.f., conductance in the whiskers was studied. Dependency of impurity activation energy on strain was established. Giant piezo-Seebeck coeffitients and gauge factors in Ge-Si whiskers in the vicinity to metal-insuator transition at 4,2 K were found. Dependencies of gauge on temperature and impurity concentration in the whiskers were investigated. Seebeck coefitient behaviour at strain was discussed.Item Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77÷525К(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Московець, Т. А.; Макідо, О. Ю.; Копцев, П. С.; Шуригін, Ф. М.Досліджено вплив легуючих домішок Sn, Al, Cr та їх комплексів Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr на температурні залежності сталої Холла, питомої електропровідності та рухливості електронів у мікрокрислалах InSb, вирощених методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодинній системі. Показано, що результат дії окремо взятої легуючої домішки. У дослідженій системі це приводить до того, що внаслідок комплексного легування можуть змінюватися макроскопічні параметри мікрокристалів, зокрема, їх ширина забороненої зони навіть за таких концентрацій домішок, які самостійно аналогічних змін не викликають. Influence of the Sn, Al, Cr doping impurities and their Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr complexes on the temperature dependence of Hall constant, electric conductivity and electron mobility in the microcrystals grown by means of chemical transport reactions in the close-tube iodide system is investigated. It's shown that one particular doping impurity effect result depends on the presence of another doping impurity in the vapor phase. In the system under investigation this causes change of macroscopic macrocrystal parametrs, gap energy among their number, even at such doping concentrations which singly do not cause corresponding changes.Item Електричні властивості структур напівпровідників-ферит(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Ющук, С. І.; Байцар, Г. С.; Байцар, Р. І.; Варшава, С. С.Досліджено структури напівпровідників-ферит, сформовані тісним контактом між напівпровідниковим монокристалом InSb (магніторезистор-МР) і феритовою підкладкою. Використовувалися орієнтовані монокристалічні підкладки MnxZn1-xFe2O4, YFeO3, Mn-Zn-полікристали і плівки ферогранітів, які були вирощені рідкофазною епітаксією (РФЕ) на підкладках з галій-гадолінієвого граніту (Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.). Досліджено вплив феритових підкладок на вольт-амперні характеристики і встановлено, що чутливість МР зростає залежно від магнітного поля для різних значень робочого струму І0.Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.Item Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Пелещак, Р.М.; Рудницький, С.В.Розраховано зміни концентрації електронів у напрямку осі гетероструктури GaAs-Si (δ). Встановлено, що в центрі δ-шару створюється область збіднення і натомість на гетеромежі спостерігається підвищення концентрації електронів.Досліджено залежність зміни концентрації від параметра надгратки.Change of a charge concentration in heterostructure GaAs-Si (δ) are investigated.It established, that the center of a δ-layer is area of poverty and on heteroborders there is a surplus of concentration of charges. The influence of parameters superlattice on concentration distribution is a analyzed.Item Зміст до Вісника "Електроніка", № 482(Видавництво Львівської політехніки, 2003)Item Класифікація подвійних перестановок міжелектронної взаємодії(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Товстюк, К. К.; Товстюк, К. Д.Розроблений математичний формалізм з використанням теорії перстановок у ряді теорій збурення багаточастинкових (міжелектронної у цій роботі) взаємодій. Для цього нами раніше пропонувалася подвійна перестановка (ПП), побудована так, щоби вона відображала закони збереження (енергії та квазіімпульсу) електронів у кожній віртуальній акті взаємодії. Ми також довели, що множина ПП утворює групу. Проаналізовано ПП і знаходимо критерії, за якими можна виділити нев’язні та скомпоновані ПП, що відповідають незв’язним та звідним діаграмам Фейнмана. Ввівши операцію транспозиції стовпчика знаходимо ПП, які у сумі дають однакові, протилежні зазнаками вирази. Виділяємо ПП з прямим об’єднанням пар, за допомогою яких записується ряд теорії збурення для ефективної взаємодії. We develop the mathematical formalism with using of permutation theory in perturbation series of many-particles (multi electron for this paper) interaction. For this purpose we created earlier a double permutation (DP), which is so constructed that it reflects the energy and momentum conservation in every virtual interaction. We also proved that set of DP form a group. Now we analyze the set of DP anf find out the criteria after which we can separate the unbounded and composite DP, which are similar to unbounded and reducible diagrams of Feynman. Introducing the operation of transition in the column, we find DP which give in sum equal expression with opposite signs. We choose the DP with direct associated pairs with wich we form the preturbation series for effective interaction.Item Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідника(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Городниченко, О. С.; Гнатюк, В. А.; Юр'єв, С. О.; Ракобовчук, Л. М.На підставі узагальнення літературних даних та експериментів щодо опромінення варізонних епітаксійних шарів CdxHg1-xTe розглянуто вплив лазерно-індуктивних ударних хвиль на властивості напівпровідників з метою подальшого з'ясування механізмів дефектоперетворення при імпульсному лазерному опроміненні. Обговорюються фізичні процеси генерації та наведено вирази для критерію виникнення, глибини утворення та амплітуди ударної хвилі. Відзначається перспективність використання лазерних ударних хвиль при оптимізації функціональних параметрів напівпровідникових структур. On the basis of literature data and the exeperiments on irradiation of epitaxial CdxHg1-xTe layers the influence of laser-induced waves on the properties of semiconductors are analyzed with a view to identification of defect transformation mechanisms under pulsed laser irradiation/ The physical processes of the shock wave generation are discussed and the expression for a criterion and depth of the formation of a shock wave and for its amplutude are offered. It is pointed that using the laser-induced shock waves is a promising method for optimization of performance parameters of semiconductor structures.Item Магнітні властивості ниткоподібних кристалів кремню(Львівська політехніка, 2003) Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Цмоць, В. М.; Павловський, Ю. В.; Паньків, Л. І.Досліджено магнітну сприятливість (МС; χ) ниткоподібних кристалів (НК) кремнію різного діаметра тп морфології. Для інтерпретації результатів, отриманих при вимірюванні залежності МС віл напруженості магнітного поля(0.3 - 4 кЕ), усі досліджені кристали розділені на чотири групи. До першої групи зараховані кристали діаметром 0,1-0,9 мкм, до другої - двійникові кристали діаметром 1-2 мкм, до третьої голкоподібні кристали діаметром від 5 до 1500 мкм, до четвертої - ізометричні кристали. У кристалів першої групи зі збільшенням діаметра НК їхній парамагнетизм переходить у діамагнетизм, а в кристалів третьої групи зі збільшенням діаметра - діамагнетизм переходить у парамагнетизм. На всіх цих кристалах виявлена нелінійність залежності МС від напруженості зовнішнього магнітного поля, що зростає зі збільшенням парамагнетизму зразків. Магнітна сприятливість двійникових кристалів діамагнітна, за своїм значенням близька до МС об'ємного кремнію і нелінійність залежності χ (Н) незначна. Виміряні значення МС ниткоподібних кристалів кременю пояснюються особливостями їхньої кристалічної структури і хімічним складом. In the present work magnetic susceptibili (MS, χ) of Si whiskers with various diameters and morphology are studied. For interpretation of the dependence of the whisker MS on magnetic-field intensity (0.3 - 4 kE) all the samples were divided on four groups. First group consists of submicron whiskers (d=0,1-0,9 µm), the second one contains twinned crystals with 1-2 µm in diameter, the third group consist of needle-like crystals with diameters 5-1500 µm, the forth one - isometric crystals. At increase of the whisker diameter paramagnetism of the whiskers of first group is shown to transit in diamagnetism, while in the whiskers of third group diamagnetism passes in paramagnetism again. In all these crystals the nonlinearity of dependence of a magnetic susceptibility on an external magnetic-field intensity is revealed. Magnetic susceptibility of twinned whiskers is close to MS of bulk silicon, nonlinearity of dependences χ (H) is small. The measured values of MS of Si whiskers are explained by peculiarities of their crystal structure as well as chemical composition.Item Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходів(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Тиханський, М.В.; Шуригін, Ф.М.; Тиханська, К.М.Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівських тунельних переходів(ДТП) та їх вольт-амперні характеристики для температур,відмінних від абсолютного нуля, які були апроксимовані простими аналітичними функціями,проведено математичне моделювання перехідних процесів у джозефсонівських кріотронах (ДК).Досліджувались перехідні характеристики ДК та їх особливості при керуванні логічним станом кріотронів за допомогою зовнішніх імпульсів струму ідеальної прямокутної форми. Проведено моделювання логічних переходів "0" → "1" та "1" → "0" . Показано,що джозефсонівські кріотрони можна використовувати як надшвидкодіючі елементи пам'яті з часом комутації 10 — 40 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи таких кріоелектронних структур. Mathematic modeling of transition processes in josephson cryotrons (JC) is carried out by using an equivalent scheme of josephson tunneling junctions and their I-V characteristic for the temperatures above 0 K,which are made approximate simple analytical functions. The transition characteristics of JC and their peculiarities when controlling the cryotron logical state by ideal rectangular-shaped outer current impulses are investigated. Modeling of logical transitions "0" → "1" and"1" → "0" is carried out. It is showb that JC can be used as extraquick memory cells with the commutation time 10 -40 ps.The influence of scheme parameters on stability of the functioning of such cryoelectronic structures is investigated.Item Особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та границі розділення твердих тіл(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Берченко, М. М.; Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.; Яковина, В. С.Дослідження накопичення дефектів на поверхні кремнію, екранованого від теплової дії, залежно від густини потоку та сумарної поглинутої енергії лазерного випромінювання, в режимі генерації ударних хвиль. Виявлено утворення точкових дефектів, що відпалюються при 450 К. Показано, що електроопір та вольт-амперні характеристики границі розділення та поверхня твердих тіл можуть керовано змінюватися за допомогою лазерних ударних хвиль. Acumullation of defects as a function of the absorbed energy flow density resulting from LSW generation on a Si crystal surface, protected with a heat screen has been investigated. Formation and reduction of point defects at 450K was observed. It was demonstrated that LSW processing can selectively modify resistance IU characteristic of surface and interface layers in solids.Item П'єзоопір легованих ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах(Львівська політехніка, 2003) Дружинін, А. О.; Мар'ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.Проведено дослідження п'єзорезистивного ефекту в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу в температурному діапазоні 1,7÷300 К. Досліджувався вплив деформації на питомий опір цих кристалів і енергію активації домішки.Виявлено гігантський п'єзоопір в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу поблизу фазового переходу метал-діелектрик при гелієвих температурах.Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки і температури. Обговорюється можливість використання гігантського п'єзооопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин.Piezoresistive properties of Si whiskers in 1.7÷300 K temperature range were investigated. The effect of strain on the resistivity and the impurity activation energy of these crystals were studied. The giant piezoresistance was observed in p-type silicon whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature was studied. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors is discussed.Item Радіоканал системи передачі телевізійних зображень з рухомих об'єктів(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Семенюк, А. Й.Наведено результати розробки та виготовлення радіоканалу системи передачі телевізійних зображень з рухомих об'єктів. Описано функціональні схеми передавача та приймача і їх основні технічні характеристики. The results of design and production of the radio channel of TV-image transmission system for moving objects are presented in this paper. Also described block diagrams of transmitter and reciever and its main technical properties.Item Розрахунок матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії на основі змішаного базису в напівпровідникових кристалах(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Сиротюк, С.В.; Кинаш, Ю.Є.; Краєвський, С.Н.Виведені розрахункові алгоритми матриці потенціалу спін-орбітальної взаємодії для кристалів зі складними елементарними комірками у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Порівняні методики введення потенціалу спін-орбітальної взаємодії у методі змішаного базису, порівняно з псевдопотенціальними наближенням.The algorithms of the spin-orbital interaction matrix have been derived for crystals with complex structure withim the mixed basis of one-particle states, including core Bloch states and plane waves. The comparison of methods of the spin-orbital interaction potential inclusion,derived within ab initio atomic pseudopotential approach and with mixed basis has benn made. The much consecutiveness of the mixed basis approach in spin-orbital interaction potential evaluation has been ststed as compared to pseudopotential apporoximItem Теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі кристала Cr4+:YAG(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.Проаналізовані теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі плівки Cr4+:YAG. Визначено величину тепловиділення в абсорбері при генерації послідовності лазерних імпульсів. На основі числового розв'язку рівняння теплопровідності для різних значень енергії тепловиділення розраховано розподіл температури та проаналізовано вплив неоднорідного нагрівання на параметри модулятора. The heat processes in the Q-switching modulator based on the Cr4+:YAG film are considered. The heat-evolution in the absorber during the laser pulses generation is determined. The temperature distribution and the non-uniform heating influence on the modulator parameters are analyzed by means of the heat conductivity equation numerical solution.Item Титульний аркуш до Вісника Національного університету "Львівська політехніка", № 482(Видавництво Львівської політехніки, 2003)