Електроніка. – 2002. – №455
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка" – Львів : Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002. – № 455 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 224 с. : іл.
Browse
Browsing Електроніка. – 2002. – №455 by Title
Results Per Page
Sort Options
Item Багатофункціональні генератори-синтезатори сигналів для медичних електронних систем(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Смеркло, Л. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Наведено методи синтезу сигналів спеціальної форми із заданими параметрами у часовій області для задач моделювання та тестування медичної електронної апаратури. Розглянуто особливості структурної організації багатофункціональних генераторов-синтезаторів біомедичних сигналів на базі мікропроцесорних схем з цифровою пам’яттю та показано результати синтезу електрокардіосигналів. The metods for synthesis of signals of the special form with required parameters in time range for tasks of modeling and testing the medical electronic equipment are given. The features of structural organization of multifunctional generators-synthesizers of biomedical signals on the basis of the microprocessor circuits with digital memory are considered. The results of electrocardiosignals synthesis are shown.Item Визначення параметрів міжґраткових обмінних взаємодій у ферит-шпінелі ni0 ,8 CUo,i6 BIo,o4 FE2 O4 за даними fe5 7 ядерного гамма-резонансу спектроскопії(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Юр ’єв, С. О.; Ющук, С. І.; Лопатинський, І. Є.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено ефект Мьосбауера в ферит-шпінелі Nio,8Cuo,16Bio,o4Fe2O4 в температурному інтервалі 295-600 К. З температурних залежностей Неф на ядрах іонів Fe3+ в А- та В-підґратках у наближенні теорії молекулярного поля визначено значення інтегралів обмінних взаємодій для магнітнонеекві-валентних іонів Fe3+ А-підґратки. Mosbauer еПегі for ferrite-spinel Nio,8Cuo,16Bio,o4Fe2O4 at temperature region 295-6oo K was carried out. In approach of molecular magnetic field on temperature dependences of Hef on Fe3+ nuclei in A- and B-sublattices the values of exchange interaction integrals for nonequivalent Fe3+ ions in A- sublattice was obtained.Item Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Цмоць, В. М.; Хляп, Г. М.; Паньків, Л. І.; Лабовка, Д. В.; Петренко, В. В.; Новоставський, Р. В.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено польові характеристики (залежність струму від прикладеного електричного поля) контактів метал - напівпровідник на основі полі- і монокристалів кремнію n-типу провідності. Визначено домінуючі механізми струмопроходження і показано, що, як емісія Пула - Френкеля, так і степенева залежність струму від поля спостерігаються на структурах обох типів. Для структури метал - моно-n-Si реєструється залежність I ~ Fm, де m < 1 в усьому діапазоні прикладених полів. Field characteristics (current-applied electric field) of metal - semiconductor structures based on mono- and poly-n-Si crystals are investigated at room temperature. The dominant current mechanisms are determined. It is shown that Pool - Frenkel emission and power law current are registered for all structures. The samples metalmono- Si show the dependence I ~ F , m < 1 under all range of applied fields.Item Вплив високоенергетичного у-випромінювання на оптичні властивості халькогенідних стекол системи As-Sb-S(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Ковальський, А. П.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив високоенергетичного у-випромінювання на спектри оптичного пропускання халькогенідних склоподібних напівпровідників системи A s-Sb-S по псевдобінарному розрізу (As2S3)x(Sb2S3)i-x. Встановлено, що у всьому досліджуваному концентраційному діапазоні радіаційна обробка приводить до потемніння стекол в області краю поглинання та його просвітління в області прозорості. Зроблено висновок, що величина та характер спостережуваних змін оптичних властивостей визначаються співвідношенням концентрацій атомів As та Sb. Запропоновано механізм радіаційно-індукованого дефектоутворення. Influence of high-energetic y-radiation on the optical transmittance spectra of chalcogenide vitreous semiconductors of As-Sb-S system along of (As2S3)x(Sb2S3)1-x pseudobinary line was investigated. It was established that radiation treatment leads to the darkening of glasses near the optical absorption edge and their bleaching in the transmittance region for the whole investigated concentration range. It was concluded that the magnitude and the character of observed changes of optical properties are determined by the ratio of As and Sb concentrations. Mechanism of radiation-induced defect formation processes was proposed.Item Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет "Львівська політехніка"У роботі вивчено вплив деформації на електропровідність ниткоподібних кристалів (НК) GexSii-x (x = 0,01-0,03) в інтервалі температур 4,2-300 К. НК вирощували методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі з використанням домішок Au і B. Досліджували сильнолеговані кристали з питомим опором р = 0,005-0,025 Омсм, який відповідає близькості зразків до переходу метал-діелектрик. Деформація зразків здійснювалася їх закріпленням на спеціально підібрані підкладки (мідь, алюміній, кварц) з відмінним від матеріалу Ge-Si коефіцієнтом термічного розширення. Виявлений гігантський п’єзорезистивний ефект в НК при кріогенних температурах. Визначений коефіцієнт тензочутливості К<111> = Ар/(р0є) становить 10,000-30,000 при 4,2 K в НК з питомим опором р = 0,012-0,018 Омсм, відповідно. З кривих а = f(1/T) були розраховані енергії активації стрибкової провідності. Обговорюються можливі причини виявленого ефекту. The present paper deals with studies of deformation influence on GexSi1-x (x = 0,01-0,03) whisker conduction in the temperature range 4,2-300 K. The whiskers were grown by chemical vapour deposition method in a sealed bromide system with use of Au and B dopants. The whiskers with resistivity р = 0,005-0,025 Q cm were under investigation. The values of resistivity are corresponded to impurity concentrations closed to the metal-insulator transition. The strain was imposed by the whisker mounting on specially selected substrates (quartz, copper, aluminium) with thermal expansion coefficient different from that in Si-Ge material. The ‘giant’ piezoresistance was found in the specimens at cryogenic temperatures. Estimated longital gauge factor G<111> = Ар/(роЄ) is equal to 10,000-30,000 at 4,2 K in the whiskers with resistivity р = 0,012-0,018 Q cm respectively. From the curves а = f(1/T) the activation energies for the hopping conductance in the whiskers have been calculated. Possible reasons of the obtain phenomena are discussed.Item Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Круковський, С. І.; Заячук, Д. М.; Мрихін, І. О.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.Item Вплив ізовалентної домішки Ві на параметри росту кристалів InSb(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Большакова, І. А.; Московець, Т. А.; Національний університет "Львівська політехніка"Визначені основні кінетичні параметри росту за методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодидній системі нелегованих та легованих ізовалентною домішкою Ві ниткоподібних кристалів InSb. Визначена енергія кристалізації, яка для кристалів InSb <Ві> становить 177,3 кДж/моль, а для нелегованих мікрокристалів InSb - 150 кДж/моль. Одержана залежність швидкості росту ниткоподібних кристалів від радіуса, яка дає можливість отримувати кристали необхідних розмірів при визначеній температурі кристалізації. Встановлено вплив температури кристалізації на аксіальну та радіальну швидкість росту мікрокристалів. Визначено, що введення ізовалентної домішки Ві в InSb приводить до збільшення як діаметрів мікрокристалів, так і їх довжини, а також до зростання кінетичного коефіцієнту кристалізації. Main kinetic growth parameters according to the method of chemical transport reactions in the closed iodide system of InSb whiskers, undoped and doped with the isovalent impurity Bi are determined. Crystallization energy for InSb whiskers is 177.3 kilojoules per mole, and for the undoped InSb whiskers - 150 kilojoules per mole. Dependence of the growth speed of the whiskers on the radius was obtained that permits to obtain crystals of the necessary size when crystallization temperature is determined. The influence of crystallization temperature on the axial and radial growth speed of the whiskers is set. It is found that introducing isovalent impurity Bi in InSb leads to increasing both whisker diameters and their length as well as to increasing kinetic crystallization coefficient.Item Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Єрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.; Національний університет "Львівська політехніка"Метою даної роботи була розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS), яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. Завдяки оптимізації умов анодного процесу інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7,59 % для пористих шарів, вирощених на полірованій поверхні, та до 1,72 % для шарів, що вирощені на текстурованій поверхні. Мінімізація оптичних втрат дозволила підвищити на більше ніж 50 % струм короткого замикання для моно- та мультікристалічних СЕ, на фронтальній поверхні яких було сформовано ARC на основі PS. При цьому приріст ККД по відношенню до СЕ без ARC склав 31 та 22 %, відповідно. The purpose of present paper was development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence. Owing to optimization of anodization process conditions the average reflection coefficient of PS in range of 400-1000 nm was decreased to 7,59 % for porous layers, grown on polished surface, and to 1,72 % for layers that were grown on textured surface. Minimization of optical losses allowed to improve short circuit current by over than 50 % for mono- and multicrystalline SC that had PS based ARC formed on frontal surface. Under this, the increment of efficiency of these SCs (in comparison to SC without ARC) was 31 and 22 %, correspondingly.Item Двійникування у плівках CdHgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Вірш, І. С.; Фружинський, М. С.; Національний університет "Львівська політехніка"Методом імпульсного лазерного осадження отримано плівки CdHgTe на різних підкладках. Методами електронографії та трансмісійної електронної мікроскопії досліджували початкові стадії росту плівок. Проаналізовані можливі причини двійникування в плівках та запропоновані методи уникнення двійникування на початкових стадіях формування плівок. The films of CdHgTe on alternative substrates were grown by a pulsed laser deposition technique. Study of initial stages of CdHgTe films by electron-difraction investigation and transmission electron microscopy was carried out. It is analysed the causes of the twinning effect in thin films CdHgTe. The methods of reducing the defect densities of initial stages of nucleation films were developed.Item Деформаційна залежність енергії утворення 2s-екситона у напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnS(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Пелещак, P. M.; Романів, І. Б.; Національний університет "Львівська політехніка"В рамках моделі еквівалентного гамільтоніана розглянуто спосіб розрахунку енергії утворення 2 s-екситона в одиничній напруженій квантовій ямі з врахуванням не тільки квантово-розмірних, а й деформаційних ефектів, що виникають в епітаксійних шарах через неузгодженість параметрів ґраток двох кристалічних структур ~4 %. Товщини нарощуваних шарів лежать в межах дії пружних деформацій. Досліджено вплив всебічної та одновісної деформації в епітаксійному шарі ZnSe в гетероструктурі ZnSe/ZnS на довжину хвилі, яка відповідає максимуму інтенсивності 1s- та 2 s-екситонів біля краю основної полоси поглинання. Проведено порівняння отриманих результатів з експериментальними даними, отриманими зі спектрів низькотемпературної фотолюмінесценції. In the frame of the equivalent hamiltonian model the calculation method of the 2s-exciton formation energy in the single quantum well is represented. It was take into consideration not only the quantum confinement, but also the deformation effects caused in the epitaxial layers by the lattice mismatch both crystalline structures ~4 %. The thicknesses of the grown layers is in the limit of the elastic strains. The effect of the hydrostatic and the nonhydrostatic strains in the ZnSe epitaxial layer in the ZnSe/ZnS heterostructure on the wavelength which corresponds to the 1s- and 2s-excitons maximum of the intensity near the edge of the main absorption line was investigated. The comparison of these results with the experimental values that was obtain from the law temperature photoluminescence spectra is carried out.Item Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Експериментально досліджено властивості зразків полікристалічного кремнію р- типу провідності на діелектричних підкладках в температурному діапазоні 4,2-300 К і магнітних полях 0-14 Тл, а також вплив деформації на опір та температурний коефіцієнт опору. Вимірювання проводились на тестових структурах з рекристалізованими і нерекристалізованими полікремнієвими резисторами. Показано, що найкращу чутливість до деформації і оптимальний температурний коефіцієнт опору для застосування в п'єзорезистивних сенсорах механічних величин мають рекристалізовані шари полі-Si, леговані бором до концентрацій >1x 10 19 см"3. Одночасно такі структури є найбільш стабільними до впливу сильних магнітних полів до 14 Тл. Тестові структури з порівняно слабколегованими нерекристалізованими полікремнієвими резисторами мають високий температурний коефіцієнт опору, який монотонно змінюється в діапазоні 4,2-300 К, і можуть бути рекомендовані для використання як високочутливі терморезистори. The electrical properties of p-type polycrystalline silicon on dielectric substrates were studied experimentally in the range 4,2-300 K and in magnetic fieldss 0-14 T, as well as the strain influence on their resistance and temperature coefficient of resistance. The measurements were carried out on the test structures containing as-deposited fine-grained poly-Si and after microzone laser recrystallization. It was shown that the recrystallized test structures doped by boron up to concentrations >1x 10 19 cm3 posess the highest strain sensitivity combined with the best temperature coefficient of resistance for sensor application. At the same time such structures are the most stable in high magnetic field up to 14 T. The structures containing relatively slightly doped polysilicon resistors have a high temperature coefficient of resistance that is monotonous in the range 4,2-300 K. They may be recommended for application as high-sensitive thermoresistors.Item Дослідження коливань струму газового розряду в комірці Пеннінга з секційним анодом(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Захарків, А. Б.; Шандра, З. А.; Національний університет "Львівська політехніка"Подано результати досліджень коливань електричного струму в комірці Пеннінга з секційним анодом. Виявлено генерацію коливань частотою 2 МГц при подачі на секцію анода від’ємного потенціалу. Досліджено вплив потенціалу секції та розрядного струму на амплітуду коливань, пропонується механізм виникнення коливань. This work is dedicated to studies of the oscillations of electric current in penning’s cell with sectional anode. The oscillation generation with frequency 2 MHz at applying of negative potential on anode section is detected. The influence of section potential magnitude and discharge current on oscillation magnitude is studied and the mechanism for oscillation origin is proposed.Item Діелектричні властивості тонких плівок 4-нітро-4’-амінодифенілу(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Кравців, М. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено температурно-частотні характеристики ємності, провідності на змінному струмі та тангенса кута діелектричних втрат плівок 4-нітро-4’-аміно- дифенілу. Показана суттєва відмінність характеру цих залежностей для низькочастотного та високочастотного діапазонів. Виявлено додатковий механізм поляризації, пов’язаний з піроелектричним ефектом. Temperature-frequency characteristics of capacitance, alternating current and tg5 of 4-nitro-4’-aminodyphenile films were investigated. Essential distinctions of these dependencies for low- and high-frequency ranges were shown. The additional polarization mechanism connected with pyroelectric effect was revealed.Item Електричні властивості шаруватих кристалів In2Se3 легованих Cd, J та Cu(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Заслонкін, А. В.; Ковалюк, З. Д.; Мінтянський, І. В.; Янчук, О. І.; Національний університет "Львівська політехніка"У діапазоні 80-400 К досліджено електричні властивості спеціально нелегованих та легованих 0,1 мас. % кадмію, йоду чи міді монокристалів In2Se3 гексагональної фази. Значна зміна концентрації вільних електронів зафіксована лише при введенні домішки галогену: від 4,910 17 (In2Se3) до 1,6-101 8 см3 при 300 К. Отримана температурна залежність рухливості електронів вздовж шарів пояснена їх взаємодією з акустичними фононами і нейтральними домішками. Встановлено, що найбільш істотно при легуванні змінюється провідність впоперек шарів, зокрема, до 10 разів для In2Se3. Electrical properties of layered In2Se3 are investigated between 80 and 400 K for intentionally undoped and containing 0.1 wt.% of cadmium, iodine, or copper single crystals of the hexagonal phase. We have found that the essential change of electron density at 300 K from 4,9-1017 cm-3 for undoped In2Se3 to 1,6-1018 cm-3 takes place after doping with iodine. The obtained changes of the Hall mobility along the layers with temperature are explained by the interactions of electrons with acoustic phonons and neutral impurities. It is established that the conductivity across the layers is the most essentially affected by doping. In particular, for In2Se3 samples it is increased nearly by two orders of magnitude.Item ЕРС в структурах кремнію 3 p-n-переходом під впливом лазерних ударних хвиль(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Нікіфоров, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджувалась генерація ЕРС в кристалах кремнію з р-п-переходом під впливом лазерних ударних хвиль малої амплітуди в двох схемних режимах. Оцінена концентрація та проаналізована природа появи нерівноважних носіїв, що викликають ЕРС. Electromotive force (EMF) génération by weak laser shock waves in silicon crystals with p-n-junction was observed. The concentration of non-equilibrium carriers, which induced EMF, was estimated and analyzed.Item Зміст до Вісника "Електроніка" № 455(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Національний університет "Львівська політехніка"Item Конструктивні похибки параметричних ємнісних давачів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бзовий, М. Г.; Брайчовський, В. В.; Політанський, Л. Ф.; Шпатар, П. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Проведено аналіз похибок ємнісних давачів переміщень, зумовлених порушенням паралельності обкладок конденсатора. Отримані аналітичні залежності зміни ємності давача від віддалі між непаралельними прямокутними та круглими обкладками. Analysis of inaccuracies for movements capacity sensors caused by a displacement transducers of capacitor plates is made. An analytical relation for change of the sensor’s capacitance to spacing interval between nonparallel rectangular and round plates is gotten.Item Кристалічна структура smgao3 та твердих розчинів Ndi-xRExGaO3 (RE = Pr, Sm)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Василечко, Л. О.; Фадеев, С. В.; Редько, Н. В.; Берковський, М.; Національний університет "Львівська політехніка"Кристалічна структура SmGaO3 та твердих розчинів Nd1.xPrxGaO3 (х = 0,25; 0,5; 0,75) і Nd1-xSmxGaO3 (х = 0,25; 0,5) досліджена методом рентгенівської порошкової дифракції. При кімнатній температурі досліджені кристали мають ром- бічно-деформовану перовскитну структуру типу G dFe03 (просторова група Pbnm, Z = 4). Ізовалентне заміщення в ряду Sm - Nd - Pr веде до зростання середнього радіуса RE-катіонів, і в результаті до закономірного зростання об’єму елементарної комірки та зменшення деформації перовскитної структури. Crystal structures of SmGaO3 and N d1-xPrxGaO3 (x = 0,25; 0,5; 0,75), and Nd1-xSmxGaO3 (x = 0,25; 0,5) solid solutions has been studied by means of X-ray powder diffraction technique. The crystals investigated belong to orthorhombically distorted perovskite-like structure of GdFeO3 -type (space group Pbnm, Z = 4) at room temperature. Isovalence substitution in the series Sm - Nd - Pr led to increasing of the average ionic radii of RE-cations, and, consequently, to naturally rising of the cell volume and decreasing of the perovskite structure deformation.Item Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Тиханський, М. В.; Шуригін, Ф. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.Item Метод двократних вимірювань для заповнення матриць фотопружного ефекту кристалів різних класів симетрії апробація методу на прикладі кристалів ß-BaB2Ü4(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Андрущак, A. C.; Бобицький, Я. В.; Гнатик, Б. І.; Кайдан, М. В.; Мицик, Б. Г.; Національний університет "Львівська політехніка"Для запропонованої модифікації інтерферометричного методу вимірювань п’єзооптичних коефіцієнтів виведені співвідношення, які дають змогу визначити всі компоненти тензора п’єзооптичного ефекту кристалів триклінної симетрії. На основі цих співвідношень можна точніше визначити ненульові п’єзооптичні, а також пружнооптичні коефіцієнти кристалів усіх класів симетрії. Експериментальну апробацію методу двократних вимірювань проведено на кристалах Р-ВаВ2О4. На основі заповненої матриці п’єзооптичних коефіцієнтів розраховано величину та знак всіх компонент тензора пружнооптичного ефекту цих кристалів. The relationships for determination of all components of piezooptical effect tensor of the triclinic symmetry crystals proposed by the modifical interferometrical method of piezooptical coefficients measurement are presented. These relationships also allow to determine higher accuracy of the non-zero piezooptical as well as elastooptical coefficients for crystals of all symmetry groups. Using the example of P-BaB2O4 crystals the experimental approbation of the proposed two-stage measurement method is held. On the basis of a completed piezooptical coefficients matrix the magnitude and sign of all elastooptical coefficients are calculated.