Електроніка. – 2008. – №619
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2524
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2008. – № 619 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 192 с. : іл.
Browse
Item Особливості керування логічним станом кріотронів імпульсами магнітного потоку(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Тиханський, М. В.; Крисько, Р. Р.; Партика, А. І.Використано еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП), залежність його критичного струму від прикладеного зовнішнього магнітного поля і його вольтамперні характеристики (ВАХ), розраховані для робочої температури T = 81,2 К. На основі ДТП запропоновано створити джозефсонівські кріотрони (джозефсонівські комірки пам’яті) і розроблено математичну модель перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах під час керування їх логічним станом імпульсами магнітного потоку. Методами математичного моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів та досліджено вплив параметрів кріотронів та варіацій критичного струму на логічні переходи. Досліджено також вплив імпульсів керуючого магнітного поля на стабільність режиму роботи кріотронів. In the present work, we explore the equivalent scheme of a Josephson tunneling junction (JTJ), in particular, the dependence of its critical current on the external magnetic field and its V-I diagrams calculated for the working temperature T = 81,2 К. We have proposed designing of JTJ-based Josephson cryotrons (Josephson memory cells) and developed a mathematical model of logical state transition processes in Josephson cryotrons drived by magnetic flux impulses. By means of mathematical modeling, we have simulated transition processes of the cryotrons and investigated the effect of the cryotrons’ parameters and the variation of the critical current on the logical transitions. We have also investigated the effect of the impulses of the controlling magnetic field on the cryotrons’ stability.Item Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-xSbx, вирощених методом транспортних реакцій(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макіло, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.Показана можливість вирощування мікрокристалів твердих розчинів InAs1-хSbх методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. В інтервалі температур 77–450 К виконано дослідження кінетичних параметрів вирощених мікрокристалів – коефіцієнта Холла, питомого опору і рухливості електронів. Показано, що результати цих досліджень можна узгодити між собою, якщо припустити, що у досліджуваних твердих розчинах ефективна маса вільних носіїв заряду зростає з температурою за степеневим законом m ~ T0,25. Встановлено, що за високих температур в процесах розсіювання вільних носіїв заряду домінують оптичні фонони з деякою добавкою розсіювання на акустичних фононах. Визначена ширина забороненої зони досліджуваних мікрокристалів і оцінено їхній хімічний склад, який відповідав значенню х ≈ 0,15. The possibility of growing InAs1-хSbх solid solution microcrystals with the help of chemical-transport technique in hydrogen chloride atmosphere has been shown. Kinetic parameters of grown microcrystals – Hall coefficient, resistivity, and electron mobility – have been investigated in the temperature range of 77-450 K. It has been demonstrated that the results of these investigations can be agreed with each other, assuming that effective mass of free charge carriers grows with temperature according to power law m ~ T0,25 in solid solutions under research. It has been determined that at high temperatures, in the processes of free charge carrier scattering, optical phonons dominate with some addition of scattering on acoustical phonons. The breadth of band gap in microcrystals under research has been determined, and their chemical composition estimated as the one corresponding to the value of х ≈ 0.1.Item Прсторова анізотропія електро-, п'єзо- та акусто-оптичного ефектів у кристалічних матеріалах твердотільної електроніки. Матеріалах твердотільної електроніки. Апробація на прикладі кристалів LiNbO3 та LiNbO3:MgO. Частина I. Розробка комплексної методики 3D-аналізу анізотропії індукованих оптичних ефектів у кристалах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Андрущак, А. С.Для кристалів довільного класу симетрії розроблено комплексну методику 3D-аналізу просторової анізотропії індукованих оптичних (електро-, п’єзо- та акустооптичного) ефектів. На основі пропонованих методик та створених експериментальних установок проаналізовано послідовність виконання експериментів, необхідних для заповнення матриць пружних, п’єзоелектричних, електро-, п’єзо- та пружнооптичних коефіцієнтів для кристалів всіх класів симетрії, а також триклінні. Показано можли- вість повного аналізу анізотропії індукованих оптичних ефектів на основі вказівних поверхонь для різних компонент тензорів цих ефектів. Демонструється також можливість побудови вказівних поверхонь для індукованого двозаломлення та оптичної різниці ходу, а також просторових поверхонь для параметра акустооптичної якості. Complex method for the analysis of spatial anisotropy of induced optical (electro-, piezo and acousto-optical) effects has been designed. The technique can be applied to the crystals belonging to arbitrary symmetry class. On the base of developed methods and designed experimental set-ups the sequence of experiments required to complete the matrices of elastic, piezo-electrical, electro-, piezo and elasto-optical coefficients for the crystals of different symmetry classes, including triclinic, has been analyzed. The possibility of complete analysis for induced optical effects anisotropy on the base of indicative surfaces for different components of these effects tensor has been shown. Additionally, it is shown how the suggested method can be applied to construct the indicative surfaces describing the induced birefringence and optical path length and spatial surfaces describing the acousto-optic figure of merit.Item Напівпровідникові резистивні сенсори для моніторингу якості харчових продуктів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Ціж, Б. Р.; Чохань, М. І.; Портаж, Ю. Р.; Аксіментьєва, О. І.Для моніторингу якості харчових продуктів під час їх зберігання і переробки запропоновано використання сенсорних матеріалів на основі органічних напівпровідників, зокрема пентацену, фталоціаніну кобальту та кобальт хлориду, а також органічного барвника – метилового червоного). Встановлена їх чутливість до дії газів різної природи, а саме: аміаку та етанолу, виділення яких може відбуватись при зберіганні харчових продуктів. For monitoring of the food products quality during their preservation and procession an application of the sensor materials based on organic semiconductors such as pentacene, phthalocyanines of cobalt and cobalt chloride also as organic dye – methyl red have been proposed. It is shown their sensitivity to action of the gas by different nature, namely – ammonium and ethanol, evaporated during the preservation of the food production.Item Кристалічна та сегнетоеластична структури кристалів ZrO2:Sc2O3(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Савицький, Д. І.; Татарин, Т. Р.; Василечко, Л. О.; Паульманн, К.; Бісмаєр, У.Методом високороздільної порошкової дифракції досліджнено кристалічну структуру флюоритоподібних кристалів ZrO2:Sc2O3 в інтервалі температур 300–1173 К та встановлено існування фазового переходу з ромбоедричної (R3m) в кубічну (Fm3m) фазу при температурі 873 К. У сегнетоеластичній фазі кристала ZrO2:Sc2O3 методом поліхроматичної дифракції ідентифіковано “шевроноподібну” конфігурацію сегнето-еластичної доменної структури, яка утворюється перетином стінок W-типу (100), (001) та (101). Показано її нереверсивність при температурному циклюванні кристала вище від точки фазового переходу. Crystal structure of fluorite-type ZrO2:Sc2O3 crystals has been investigated by highresolution powder diffraction technique in temperature range 300–1173 К and it has been to find existence of phase transition from rhombohedral (R3m) to cubic (Fm3m) phase at 873 К. Chevron-like configuration ferroelastic domain structure was observed in rhombohedral phase of ZrO2:Sc2O3 crystal using polychromatic diffraction method. It was formed by crossing of Wtype domain walls (100), (001) and (101). It was shown it’s nonreversibility at thermal cycling above point of phase transition.Item Моделювання зворотних логічних переходів в кріотронах на основі сквідів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.Використано математичну модель перехідних процесів у джозефсонівських кріотронах на основі двоконтактних СКВІДів. Для моделювання не тільки прямих логічних переходів “0” ® “1”, а також зворотних переходів “1” ® “0”, запропоновано комбінований спосіб керування логічним станом таких кріотронів. Показано, що переходи “0” ® “1” можна ефективно реалізувати за допомогою керуючих імпульсів магнітного потоку, а переходи “1” ® “0” – імпульсів струму через кріотрон-СКВІД. Розраховано перехідні характеристики кріотронів під час прямих і зворотних логічних переходів, досліджено вплив параметрів моделі на швидкодію кріотронів та стабільність їх роботи. In the present work, we use a mathematical model of transition processes in Josephson cryotrons based on two-contact SQUIDs. In order to model not only direct logical transitions “0” ® “1”, but also inverse transitions “1” ® “0” in these cryotron-SQUIDs, we have proposed a combined method of controlling their logical state. It has been shown that the transitions “0” ® “1” can effectively be realized by control impulses of magnetic flux, while the transitions “1” ® “0” can be realized by current impulses through the cryotron-SQUID. We have calculated the transitional characteristics of the direct and inverse logical transitions in the cryotrons and investigated the effect of the variation of the model parameters on the operating speed and stability of the cryotrons.Item Зміна зарядового стану йонів ітербію у сильноактивованих кристалах та епітаксійних плівках Yb:Y3Al3o12(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Мартинюк, Н. В.; Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сиворотко, І. І.; Бьоргер, А.; Беккер, К. Д.Наведено результати вивчення впливу домішок на перезарядку йонів Yb3+ « Yb2+ під час термохімічних обробок у кристалах Yb:Y3Al5O12 (Yb:ІАГ). Засобами оптичної спектроскопії та вимірюванням часу життя верхнього лазерного рівня досліджено монокристали Yb:Y3Al5O12, Yb3Al5O12 (YbAГ), Ni:Yb3Al5O12, K:Yb3Al5O12, вирощені за методом Чохральського, а також монокристалічні плівки Yb:ІАГ, одержані методом рідинно-фазної епітаксії. Встановлено, що процес відновлення Yb3+ ® Yb2+ в Yb:ІАГ може бути реверсивним або нереверсивним, залежно від наявності в кристалі легуючих або неконтрольованих домішок. In this communication we report about our study on the influence of impurities on recharge processes Yb3+ « Yb2+ under thermo-chemical treatments in Yb:Y3Al5O12 (Yb:YAG) crystals and films. Single crystals of Yb:Y3Al5O12, Yb3Al5O12 (YbAG), Ni:Yb3Al5O12, K:Yb3Al5O12 grown by Czochralski- technique as well as single crystalline films of Yb:Y3Al5O12 grown by liquid phase epitaxy were investigated by means of fluorescence lifetime measurements and optical spectrometry. It was found, that the reduction process Yb3+ ® Yb2+ in Yb:YAG can be reversible or non-reversible depending on the presence of additional (doping or impurity) ions.Item ЯМР 7Li в інтеркальованому кристалі GaSe:Li(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Хандожко, О. Г.; Ластівка, Г. І.; Ковалюк, З. Д.За допомогою ядерного магнітного резонансу (ЯМР) встановлено, що в міжшаровому просторі інтеркальованої Li шаруватої сполуки GaSe існують два стани літіюрухомі іони Li+ та фіксовані, жорстко пов’язані з граткою. Спостереження ЯМР в градієнтному магнітному полі дало можливість отримати інформацію про просторовий розподіл інтеркалянту в об’ємі зразка GaSe. By means of the nuclear magnetic resonance method (NMR) was established, that in an intercalated GaSe there are two condition of an impurity Li – mobile and fixed. The spatial distribution of an intercalated Li impurity in GaSe samples is considered. Observation of NMR spectra in gradient magnetic field enables to receive information about distribution of lithium ions in a volume of a sample of layered compound GaSe.Item Рзз-лазери на основі одновимірних фотонних кристалів (огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Микитюк, З. М.; Ясиновська, О. Й.; Вараниця, А. В.На основі аналізу літературних джерел, з використанням власних робіт авторів розглянуто особливості застосування хіральних фотонних кристалів у РЗЗ-лазерах. Досліджено вплив фотонної забороненої зони, товщини холестеричного зразка та кроку спіралі на генерацію РЗЗ-лазера. Показано залежності порогу лазерної генерації від концентрації барвника, енергії накачування, товщини зразка. Описано методи перестроювання довжини хвилі за допомогою температури, ультрафіолетового випромінювання та зміни рН. Розглянуто перспективи використання РЗЗ-лазера у дисплеях з підвищеною яскравістю, сенсорах та волоконно-оптичних лініях зв’язку. On the basis of analysis of literary sources, with the use of authors own works the peculiarities of the use of chiral photonic crystals in DFB-lasers are considered. Influence of the photonic bandgap, cholesteric cell thickness and spiral pitch on the DFB-laser lasing is investigated. The dependences of laser generation threshold on dye concentration, pumping energy, cell thickness are shown. The methods of wave-length tuning by a temperature, ultraviolet radiation and рН change are described. The prospects of the DFB-laser use in displays with the promoted brightness, sensors and fiber-optical flow lines are considered.Item Аналіз кристалічної структури плівок власних оксидів hgcdte ta pbsnte(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Берченко, І. О.; Вірт, І. С.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Робота присвячена вивченню структури оксидів HgCdTe та PbSnTe, вирощених різними методами. Як вихідні матеріали використовували епітаксійні шари HgCdTe та PbSnTe. Анодні оксиди вирощували за допомогою стандартної методики, а хемічні оксиди – з розчину H2O2–KOH. Їхню структуру досліджували за допомогою методу дифракції електронів високих енергій на відбиття (ДЕВЕВ). Установлено, що тільки оксиди, отримані природним оксидуванням в повітрі за кімнатної температури можна вважати повністю аморфними. Усі інші були полікристалічними. Середній розмір зерен визначено за формулою Шеррера. Методами ДЕВЕВ, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та Оже-спектроскопії встановлено, що основними компонентами анодних оксидів HgCdTe та PbSnTe є CdTeO3 та PbTeO4, що добре узгоджується з літературними даними щодо теоретичних розрахунків фазових рівноваг у системах Hg(Pb)–Cd(Sn)–Te–O. Мікроіндентуванням установлено, що анодний оксид HgCdTe підвищує мікротвердість, тоді як для PbTe анодний та хемічні оксиди знижують значення мікротвердості. The aim of this work is to determine the structure of native oxides of HgCdTe and PbSnTe grown by different methods. The starting materials were epitaxial layers HgCdTe and PbSnTe. Anodic oxides were fabricated under standard conditions, and chemical oxides were grown in H2O2–KOH solution. The oxide films have been studied by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Only oxides obtained through natural oxidation in ambient air at room temperature were found to be completely amorphous. All other oxides must be rated as polycrystalline, and the average size of crystallites was determined for them using Scherrer’s formula. CdTeO3 and PbTeO3 may be considered such components in HgCdTe and PbTe anodic oxides correspondingly that is well agreed with predictions based on the phase equilibria in Hg(Pb)–Cd(Sn)–Te–O systems as well as XPS and AES results previously obtained. By using the microindentation technique the microhardness in the semiconductor layer underlying oxides was investigated. It was determined that for HgCdTe anodic oxide, the microhardness is always increased while for PbTe, both anodic and chemical oxidation decreases the microhardness.Item Поляризаційний оператор у температурній техніці функцій Гріна для дихалькогенідів перехідних металів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Товстюк, К. К.Розраховано залежність дійсної та уявної частин поляризаційного оператора (ПО) від температури та величини міжшарового перемішування у шаруватому напівпровідникові із Фівазовим законом дисперсії. Розрахунок виконують для параметрів GaSe. Показано, що основний внесок поляризаційних ефектів, пов’язаних із електрон-фононною взаємодією, полягає у зростанні розсіювання (зростанні півширини піка поглинання), однак сама півширина для широкої області температур залишатиметься постійною. Окрім того, така взаємодія призведе до незначного зростання частоти фонона, яка монотонно зростатиме із температурою. Зростання параметра міжшарового перемішування одночастинкового спектра електронів практично не впливатиме на поляризаційні ефекти. Dependence of real and imagine parts of polarization operator have been calculated as functions of temperature and of interlayer mixing parameter for layered semiconductors with Fivaz energy dispersions. Calculations were carried out for GaSe datas. It is sgown that the most important contribution of polarization effects coased by electron – phonon interaction form the increasing of dispersion (increasing of half width of resonant peak), but the value of half width is constant for large temperature range. Besides, such interaction leads to the small increasing of phonon frequency, which increases monotony with temperature increasing. The increasing of interlayer mixing parameter does not influent polarization effects.Item Вирощування з парової фази та властивості кристалів pbi2 легованих марганцем(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Рибак, О. В.Описана методика легування монокристалів PbI2 марганцем під час росту з парової фази в закритій системі при тиску парів надстехіометричного йоду. Швидкість масопере-несення в системі і концентрація домішки в монокристалах визначаються двома факторами: концентрацією легуючого металу в шихті і температурою зони джерела. Встановлено вплив марганцю на низькотемпературні (5 К) екситонні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) PbI2. A procedure of doping PbI2 single crystals with Mn during vapor-phase growth in a closed system in the presence of excess iodine is described. The rate of mass transport in the system and the doping level of the crystals are shown to be governed by the dopant content in the source material and the source temperature. The effect of Mn doping on the lowtemperature (5 K) exciton photoluminescence (PL) spectrum of PbI2 is established.Item Придушення побічних максимумів коефіцієнта пропускання вузькосмугових інтерференційних фільтрів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Яремчук, І. Я.; Петровська, Г. А.; Фітьо, В. М.; Бобицький, Я. В.Запропоновано спосіб придушення побічних максимумів коефіцієнта пропускання вузькосмугових фільтрів без використання відсічних фільтрів. Спосіб полягає у тому, що на базову багатошарову структуру напилюють додатковий фільтр, основна смуга пропускання якого збігається зі смугою пропускання базового фільтра, а бічні смуги пропускання є зміщеними. Використана структура базового вузькосмугового фільтра, в якій підкладка одночасно виконує роль роздільного шару. Під час використання запропонованого методу кінцева структура інтерференційного фільтра має вигляд ВН 500В НВ Н (ВН)3 4В (НВ)3. Оптимізація структури дала змогу не лише придушити бічні смуги пропускання, але й отримати спектр пропускання без істотних втрат поглинання для робочої довжини хвилі. The method of sidebands suppression is proposed in a narrowband filter without the use of longwave and shortwave filters. A method consists in that the additional filter of simple construction is deposited on a base narrowband filter. A basic transmission band this filter is on a working wavelength base filter, and sidebands are displaced. The base interference narrowband filter is structure in which substrate is dividing layer. At the use of the offered method the final structure of interference filter will has the form HL 500H LH L (HL)3 4H (LH)3. Optimization of structure allowed not only suppressed of transmissions sidebands but also gets the transmissions spectrum without significant losses on absorption on working wavelength.Item Поруваті шари кремнієвих підкладок для фотоелектричних перетворювачів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Єрохов, В. Ю.; Кухта, О. В.Показано перспективність кремнію як матеріалу фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуті морфологічні елементи пористого кремнію (ПК) щодо чотирьох різних параметрів: орієнтації пори, заповнення макропори, розгалуження і мульти-пористості ПК, як найважливіших структурних елементів текстури ФЕП. Показано, що використання текстури ПК, як ефективного та рентабельного покриття, з вико- ристанням хімічної технології повинно бути максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Доведено, що під час використання колоноподібної текстури на основі ПК, вирощеної хімічними та електрохімічними методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП зменшується до 8 %. The perspectivity of silicon as material for the solar energy convertor (SEC) was shown. The diverse morphological features of porous silicon (PS) can be schematically summarized with respect to four different aspects: pore orientation, fill of macropores, branching, and depth variation of PS. Utilization of textures as effective and profitable PS -based coatings with using of chemical and electrochemical technology must to be maximal adapted to process of decision of silicon based solar elements. The integral coefficient of frontal surface reflection of SEC under using of PS is decreased to 8 %.Item Вплив високо температурних відпалів в окисній та відновній атмосферах на термолюмінесцентні властивості кристалів yaio3:mn(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Жидачевський, Я. А.Досліджено вплив високотемпературних відпалів в окисній (повітря) та відновній (водень) атмосферах на термолюмінесцентні властивості іонів Mn2+ та Mn4+ в кристалі YAlO3, легованому оксидом MnО. The work presents results on influence of the high-temperature annealing in the oxidizing (air) and reducing (hydrogen) atmospheres on the thermoluminescence properties of Mn2+ and Mn4+ ions in the MnO-doped YAlO3 crystal.Item Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inas(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Большакова, І. А.; Гумен, І. С.; Ковальова, Н. В.; Макіло, О. Ю.; Маслюк, В. Т.; Мегела, І. Г.; Шуригін, Ф. М.Виконано дослідження впливу температури опромінення сенсорів на основі гетероструктур n-InSb/i-GaAs та n-InAs/Al2O3 високоенергетичними електронами в діапазоні від 0 до 200 °С, а також впливу ізохронного відпалу у вакуумі на параметри опромінених зразків. Показано, що під час опромінення в гратку InSb та InAs вводяться радіаційні дефекти як донорного, так і акцепторного типів. Встановлено, що ефективність впливу радіаційних дефектів на властивості досліджених структур залежить від рівня легування епітаксійних плівок та температури опромінення. Методом ізохронного відпалу зразків, опромінених при різних температурах, доведено, що точкові радіаційні дефекти, які виникають під час опромінення високоенергетичними електронами, зазнають часткового відпалу під час високотемпературного опромінення. The impact of temperature of n-InSb/i-GaAs and n-InAs/Al2O3 heterostructure-based sensors’ irradiation with high-energy electrons in the range from 0°C up to 200°C, as well as the influence of isochronous annealing in vacuum upon the parameters of irradiated samples have been investigated. It has been demonstrated that radiation defects of both donor and acceptor types are input into InSb and InAs lattice during irradiation process. It has been determined that the effectiveness of radiation defects’ impact on the characteristics of structures under research depends upon the level of epitaxial films’ doping and irradiation temperature. It has been proved with the help of samples’ isochronous annealing method (applied to the samples irradiated at different temperatures) that point radiation defects appearing at irradiation with high-energy electrons sustain partial annealing in the course of high-temperature irradiation.Item Оптимізація фкнкції розгортки п'єзокерамічного перетворювача сканувального інтерферометра(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Татарин, В. Я.; Петровська, Г. А.Змодельовано та реалізовано функцію розгортки п’єзокоректора сканувального інтерферометра Фабрі-Перо з великою лінійною ділянкою та малим коефіцієнтом гармонік. Експериментально досліджена точність інтерференційних вимірювань з використанням оптимізованої функції розгортки. The function scan of the piezoceramic transducer for scanning interferometer of Fabry-Perot with large linear range and low coefficient of the harmonic was modeled and realized. The accuracy of interference measurements with using the optimized function scan was experimental researched.Item Приладно-технологічне моделювання керованих автоемісійних мікрокатодів на основі тривимірних кні-структур(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Дружинін, А. О.; Голота, В. І.; Когут, І. Т.; Ховерко, Ю. М.Запропоновано два методи формування локальних тривимірних структур кремній-на-ізоляторі (КНІ). Перший – на основі стимульованого бокового епітаксійного нарощування та планаризації монокристалічної плівки кремнію. Другий – на основі локального термічного окислення кремнію під поверхнею пластини через горизонтальні тунелі. Одержані КНІ-структури використані в технології виготовлення базового матричного кристала (БМК) для побудови мікросистем. Запропоновано в склад елементів БМК долучити матриці з комірок автоемісійних мікрокатодів зі схемами керування. Розроблено технологію виготовлення і топологію комірки автоемісійного мікрокатода з керуючим високовольтним КНІ метал-окисел-напівпровідниковим транзистором. Виконано комп’ютерне моделювання статичних характеристик такого транзистора. The two methods of silicon-on-insulator (SOI) local three-dimensional structures formation are proposed. The first one is based on stimulated lateral epitaxial growth and planarization of Si monocrystal film. The second one is based on local thermal oxidation of Si buried layer through horizontal tunnels. Obtained SOI-structures are used as a base of matrix crystal fabrication technology for construction of micro-systems. It is proposed to unite cells of field emission micro-cathodes with control circuits in a structure of base of matrix crystal elements. The fabrication technology and layout of a field emission micro-cathode cell with control high-voltage SOI MOS-transistor developed. Computer simulation of static characteristics of high-voltage SOI MOS-transistor performed.Item Просторова анізотропія елеутро-, п'єзо- та акусто- оптичного ефектів у кристалічних матеріалах твердотільної електроніки. Апробація на пркладі кристалів LiNbO3 та LiNbO3:MgO. Частина II. Заповнення матриць пружних та п'єзоелектричних коефіцієнтів кристалів LiNbO3 та LiNbO3:MgO(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Лаба, Г. Б.; Юркевич, О. В.; Карбовник, І. Д.; Кайдан, М. В.; Думич, С. С.; Сольський, І. М.; Андрушак, А. С.Друга частина роботи започатковує комплекс експериментальних та розрахункових досліджень, спрямованих на апробацію на прикладі кристалів LiNbO3 і LiNbO3:MgO методики 3D-аналізу анізотропії електро-, п’єзо- та акустооптичного ефектів, розвинутої в першій частині. Для цього були виконані вимірювання всіх швидкостей акустичних хвиль, необхідних для заповнення матриць пружних та п’єзоелектричних коефіцієнтів у кристалах LiNbO3 українського, російського і японського виробництв, а також вперше в кристалах LiNbO3:MgO. На цій основі були розраховані всі існуючі пружні та п’єзоелектричні коефіцієнти для вказаних кристалів, які для випадку чистого ніобату літію добре узгоджуються з літературними даними. Крім того, на основі побудованих просторових поверхонь швидкостей для трьох можливих (двох поперечних та однієї поздовжньої) акустичних хвиль, що поширюються в досліджуваних кристалах, проаналізовані їхні просторової анізотропії; одержані екстремальні значення для кожної поверхні та відповідні їм кутові параметри. The given work is extension of first part and initiates a set of experimental and calculated investigations directed on approbation of method for anisotropy 3D-analysis of electro-, piezo173 and acousto-optical effects on example of LiNbO3 and LiNbO3:MgO crystals. For that in this part all the acoustical wave velocities necessary for completing of elastic and piezoelectric coefficients matrixes in crystals of LiNbO3 of Ukrainian, Russian and Japanese productions as well as at first in LiNbO3:MgO crystals have been measured. On this basis all the elastic and piezoelectric coefficients for investigated crystals have been calculated. In the case of pure lithium niobate crystals, they are in good agreement with references data. Using constructed spatial surfaces for velocities of three possible (two transverse and one longitudinal) acoustical waves, which propagate in investigated crystals, the analysis of their spatial anisotropy have been conducted, for each surface the extreme values and corresponding angular parameters have been defined.Item Взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом кристалічних дефектів у вузькощілинному твердому розчині CdHgTe при низькій температурі(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Малик, О. П.Запропонована близькодіюча модель розсіяння електронів на потенціалі статичної деформації в твердому розчині CdxHg1-xTe (0 ≤x≤36). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2–300 K. Model of electron scattering on the short-range potential caused by the static strain field in the solid solution CdxHg1-xTe (0≤x≤0.36) is proposed. The temperature dependences of electron mobility in the range 4.2–300 K are calculated.