Електроніка. – 2007. – №592

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/3175

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007. – № 592 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 184 с. : іл.

Browse

Now showing 1 - 20 of 29

Вплив акустичних фононів на електронний газ у сильно анізотропних та ізотропних кристалах
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Товстюк, К. К.; Кузик, Н. І.
Обчислено дійсну та уявну частини масового оператора (МО) для електронів в ізотропних кристалах з параболічним законом дисперсії та для електронів у сильно анізотропних кристалах із Фівазовим законом дисперсії, які взаємодіють із акустичним фононом з лінійною дисперсією. Обчислення проводяться для параметрів шаруватого кристала InSe. Порівнюючи такі величини, можна зробити висновок про особливості електрон-фононної взаємодії у кристалах зі слабким зв’язком, зокрема з проведених обчислень випливає висновок про істотніший вплив акустичних фононів на розмиття енергетичних рівнів порівняно зі зміною ефективних мас електронів для обох розглянутих дисперсій. We evaluated real and imagine parts of Mass operator (MO) for isotropic crystals with parabolic electron energy and for anisotropic crystals with electron energy subscribed by Fivas dispersion. These electrons interact acoustical phonons with linear energy dependence on momentum. All investigation are carried out with InSe parameters. Comparing MO we come to conclusion about the peculiarity of electron phonon interaction in crystals with weak binding. From our investigations we see that acoustical phonons influence the energy level degradation is much more sufficient as its change of electron affective mass for both considered dispersions.
Вплив параметрів холестеричних рідких кристалів на смугу селективного відбивання світла в РЗЗ-лазерах
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Микитюк, З. М.; Фечан, А. В.; Ясиновська, О. Й.
Наведено результати теоретичних й експериментальних досліджень спектрів селективного відбивання холестеричних рідких кристалів. Проведено моделювання коефіцієнта відбивання для різних параметрів зразків. Досліджено залежність коефіцієнта відбивання від товщини зразка і двопроменезаломлення. Отримані результати показують, що для забезпечення високого коефіцієнта відбивання товщина зразка має становити не менше ніж 10 кроків спіралі. У випадку меншої товщини треба використовувати матеріали з високою величиною двопроменезаломлення (0,3 ÷ 0,4). The results of theoretical and experimental researches of the spectrums of selective reflection of cholesteric liquid crystals are represented. The modelling of reflection coefficient for different parameters of sample is carried out. The dependences of reflection coefficient from the sample thickness and the birefringence are investigated. The got results are shown, that for providing of high reflection coefficient, the sample thickness is to make not less than 10 pitches of spiral. In the case of less thickness it follows to use materials with the high size of birefringence (0,3 ÷ 0,4).
Вплив симетрії магнітної анізотропії активного середовища на можливість векторного вимірювання магнітного поля феромодуляційним перетворювачем
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Павлик, Л. П.; Убізський, С. Б.
Побудовано математичні моделі індуктивного сигналу відклику феромодуляційного перетворювача магнітного поля із обертальним перемагнічуванням з чутливим елементом, що має змішану магнітну анізотропію різної симетрії, а також аналізується взаємозв’язок симетрії осей легкого намагнічування активного середовища з можливістю одночасного вимірювання трьох ортогональних компонент магнітного поля. Mathematical models of the inductive read-out signal of the magnetic field ferromodulation transducer with sensing element possessing the mixed magnetic anisotropy of different symmetry being excited by rotational magnetization reversal are developed in this work and the influence of the easy magnetization axes symmetry on the possibility of simultaneous measurement of three orthogonal component of magnetic field.
Вплив технологічних параметрів осадження на кристалічну структуру тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Савчук, В.
Досліджено вплив параметрів осадження в вакуумній камері (температура підкладки, тип підкладки) на формування кристалічної структури тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення. На основі аналізу результатів рентгено-дифракційних та електронно-мікроскопічних досліджень плівок CdTe, вирощених при різних параметрах осадження, встановлено, що основним фактором, який визначає кристалічний стан плівок, є температура підкладки. Effect of technological condensation parameters into vacuum chamber, such as substrate temperature and substrate type on crystalline structure of CdTe thin films grown by Pulsed Laser Deposition were studied. Examinations of CdTe thin films grown at various condensation parameters by X-ray diffraction and electron-diffraction methods were carried out. As a result, it was established that the substrate temperature is main parameter, which determines a crystallinity of grown films.
Вплив часткових заміщень компонентів на кристалічну структуру сполук серії M2Cu2O3-CuO2
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Заремба, О. І.; Гладишевський, Р. Є.
Синтезовано шаруваті купрати серії (Ca,Sr)2Cu2O3-CuO2 з частковим заміщенням Ca та Sr на Gd, Dy, Er або Yb(Y). Методом рентгенівського дифракційного аналізу полікристалічних зразків виявлено, що розчинність рідкісноземельних металів у сполуці (Ca6Sr8)Cu24O41 є обмеженою (до вмісту 2–4 атоми на формульну одиницю), як і Sb, Sn, In, Ge та Ga (до вмісту 0,24 атома на формульну одиницю). У структурі сполуки (Ca6Sr8)Cu24O41 атоми Cu можна замістити на атоми Ni до складу (Ca6Sr8)Cu23Ni1O41, тоді як при заміщенні на Co граничним є склад (Ca6Sr8)Cu18Co6O41, при якому спостерігається ущільнення атомних шарів у структурі та видовження ланцюгів квадратів CuO4. The layered cuprates of (Ca,Sr)2Cu2O3-CuO2 series with partial substitution of Ca and Sr by Gd, Dy, Er or Yb(Y) were obtained. X-ray powder diffraction analysis indicated that solubility of rare-earth metals in (Ca6Sr8)Cu24O41 compound is limited (up to 2-4 atoms per unit cell), as well as Sb, Sn, In, Ge and Ga (up to 0,24 atom per unit cell). The Cu atoms in the structure of (Ca6Sr8)Cu24O41 compound can be replaced by Ni atoms up to compositio (Ca6Sr8)Cu23Ni1O41, whereas at substitution by Co the limited composition is (Ca6Sr8)Cu18Co6O41, where the compression of the atomic layers and extension of chains of CuO4 squares take place.
Гіротропія і параметри циркулярних екситонів у кристалах α-ТеО2
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Довгий, Я. О.; Кость, Я. П.; Маньковська, І. Г.; Сольський, І. М.
У структурі фундаментального спектра парателуриту виявлено екситонну смугу (А-смуга), відповідальну за дисперсію поворотної здатності в області прозорості та у прикрайовій області спектра (hν < Eg). Визначено параметри гіроактивного осцилятора: енергію дисоціації Gex = 115 меВ та екситонний радіус rex = 8,0 Å. Той факт, що rex виявився близьким до параметра гратки с ланцюжкової структури ТеО2, вказує, що у парателуриті, вірогідно, маємо справу з екситонами проміжного радіуса. In the structure of fundamental spectrum of paratellurite an exciton band (A-band) accountable for dispersion of optical rotation in the transparent region and in the region of absorption edge is fined (hν < Eg). The parameters of optically active oscillator are definite: dissociation energy Gex = 115 meV and exciton radius rex = 8,0 Å. Circumstance that rex turned out near to the lattice parameter c of TeO2 chain structure, indicates that in paratellurite, more reliable, we have dealing with excitons of intermediate radius.
Дослідження початкової стадії накопичення дефектів у кремнієвих структурах з p-n переходом під дією лазерних ударних хвиль
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.
Експерментально досліджено процес генерації ЕРС під дією лазерних ударних хвиль малої амплітуди у кремнієвих структурах з p-n переходом на початковій стадії накопичення дефектів в інтервалі температур 295-345К за товщини товстого мідного екрана 1-4 мм. Густини потоку лазерного випромінювання регулювали в межах 108 –109 Вт/см2. Показано, що метод заснований на генерації ЕРС лазерною ударною хвилею в комплексі з вивченням явища фотоефекту, є ефективним інструментом дослідження початкової стадії змін електронних властивостей та дефектоутворення у напівпровідникових матеріалах за умови врахування фізико-технічних особливостей генерації лазерних ударних хвиль. The generation of the EMF in silicon structure with p–n junction protected with 1 – 4 mm heat screen at the temperature 295 – 345 K in Laser Shock Waves (LSW) processing was observed. Power density laser source was 108 – 109 Wt/sm2. The initial stage of the defects accumulation in under Laser Shock Waves action was investigated. The character of observed changes of the EMF generated by weak LSW was analyzed. The analysis show that the EMF generated by LSW together with photo-effect may be effective method for study of defect forming and electronic properties at the initial stage of LSW process in semiconductors.
Електронна енергетична структура кристала InN, розрахована на функціях Блоха і плоских хвилях
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.
Розраховані електронні енергетичні спектри кристала InN у наближенні функціонала локальної електронної густини. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який містить функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії в InN краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. The electronic energy bands in a crystal InN have been evaluated within the electronic density functional theory. The Hamiltonian matrix was derived on mixed basis, including the core Bloch states and plane waves. The obtained band energies show better agreement to experiment than those evaluated by means of ab initio atomic pseudopotentials.
Ефекти блокування лімітуючої негельмгольцевої ємності в напористих і нанокомпозитних структурах та їх застосування для створення зміннострумових суперконденсаторів
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Григорчак, І. І.; Каліцінський, В. З.; Ріпецький, Є. Й.; Міцов, М. М.
Запропоновано підхід до вирішення задачі зниження тангенса кута втрат конденсаторів з подвійним електричним шаром (ПЕШ). Для цього як електродні матеріали використовують активований вуглецевий матеріал з фрактальною графітовою сіткою, нанодисперсний вуглець та вуглець-кремнеземовий нанокомпозит з внутрішньоагре- гованою С-ізоляцією. Електролітами слугують 32% водний розчин гідроксиду калію та одномолярний розчин тетраетиламонію тетрафторборату в γ-бутиролактоні. Імпедансні виміри та дослідження циклічної вольтамперометрії свідчать про високе значення питомої ємності при тангенсі кута втрат, меншому від 1 в низькочастотному інтервалі. В роботі пропонується теоретична модель, яка розкриває механізм розблокування гельмгольцевої ємності. In this work an approach to the task solution of the decrease in dissipation factor of capacitor with double electric layer (DEL) is offered. For this propose activated carbon with fractal graphite grid, nanoscale carbon and SiO2-C nanocomposite with internal aggregated Cisolation are used as a basis for electrode materials. 32% aqueous solution of KOH and 1 M solution of Tetraethyl-Ammonium-Tetrafluoro-Borate in γ -butyrolactone serve as electrolytes. Impedance measurements and cyclic volt amperometric studies are evidence of high profile of permittivity when dissipation factor is less than 1 in low-frequency slot. A theoretical model that exposes the mechanism of deblocking of the Helmholtz’s capacitance is offered in our work.
Заповнення матриць лінійного електрооптичного ефекту в кристалах довільного класу симетрії. Апробація методу на прикладі кристалів ніобату літію
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Андрущак, А. С.; Мицик, Б. Г.; Дем'янишин, Н. М.; Кайдан, М. В.; Юркевич, О. В.
Для інтерферометричного методу визначення коефіцієнтів лінійного електрооптичного ефекту отримані співвідношення, які дають змогу визначити всі компоненти тензора лінійного електрооптичного ефекту в кристалах будь-якого класу симетрії. На основі цих співвідношень виведені робочі формули і проведена апробація методу на прикладі кристалів ніобату літію. Отримані результати вимірювань всіх електрооптичних коефіцієнтів подано порівняно з відомими літературними даними. The relations that allow defining all tensor components of the linear electro-optical effect in the crystals of any symmetry class are presented for the offered modification of interferometric method of the linear electro-optical effect coefficients measurements. On the basis of these expressions the working formulas were derived and the approbation of this method was conducted on the example of lithium niobate crystals. The results of all electrooptical coefficients measurements are compared with the respective literature values.
Зміст до до Вісника "Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика"
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007)
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів;методика досліджень; У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Магнітна сприйнятливість та намагніченість ниткоподібних кристалів Si-Ge
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Когут, Ю. Р.
Досліджено польові залежності намагніченості та магнітної сприйнятливості субмікронних (0,3-0,9 мкм) ниткоподібних кристалів (НК) Si0,95Ge0,05 при фіксованих температурах та в діапазоні температур 4,2-300K при напруженості магнітного поля 4 кЕ. Одержані експериментальні дані свідчать про магнітну взаємодію центрів в НК, яка ймовірно пов’язана з наявністю обірваних зв’язків у пористій оболонці кристалів. Magnetic field and temperature dependencies of magnetization and magnetic susceptibility of submicron (0,3-0,9 μm) Si0,95Ge0,05 whiskers at fixed temperatures and fixed magnetic field (4 kOe) respectively were studied in temperature range 4,2-300K. The results obtained indicate in magnetic interaction between centers, which is likely connected with danger bonds content in porous envelope of the whiskers.
Метод оцінки рівня відбиття електромагнітних хвиль від багатошарового покриття на металевій підложці
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Дем'янчук, Б. О.
Запропоновано метод і одержано формулу для песимістичної оцінки очікуваної величини коефіцієнта відбиття електромагнітної енергії мікрохвильового діапазону від синтезованого кусково-однорідного середовища композиційного матеріалу на металевій підложці за значеннями коефіцієнтів відбиття та коефіцієнтів проходження шарів середовища, які попередньо експериментально вимірюють. Метод дає змогу проектувати покриття з потрібними властивостями та визначати потрібну кількість шарів для досягнення необхідного результату. The suggested method provides experimental – calculating definition of pessimistic estimation of the expected size of electromagnetic energy reflection factor of microwave range from the synthesized piecewise-homogeneous environment -covering of composite material on the metal substrate on factors values of reflection and factors of covering layers passage preliminary measured experimentally.
Модель багатоканальної позитронної анігіляції в діелектричній кераміці MGAL2O4
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Клим, Г. І.; Ваків, М. М.
Узагальнено багатоканальну модель позитронної анігіляції для діелектричної кераміки MgAl2O4 шпінельного типу. Показано, що ця модель об’єднує канали захоплення позитронів об’ємними дефектами та розпад атомів орто-позитронію. У межах розвинутого підходу перша компонента часів життя позитронів відображає мікроструктурні особливості шпінельної структури, друга компонента відповідає об’ємним дефектам біля міжзеренних границь, а третя – процесу «pick-off» анігіляції орто-позитронію в наповнених вологою нанопорах кераміки. Показано, що процеси вологопоглинання в кераміці MgAl2O4 каталітично впливають на захоплення позитронів дефектами. The multi-channel model of positron annihilation for humidity-sensitive dielectric spinel-type MgAl2O4 ceramics is generalized. It is shown that this model unifies the channels of positron trapping and ortho-positronium decay modes. In terms of developed approach, the first component in the lifetime spectra reflects microstructure specificity of the spinel structure, the second component responsible to extended defects near grain boundaries and the third component corresponds to “pick-off” annihilation of ortho-positronium in the water-filled nanopores of ceramics. It is shown that the water-sorption processes act catalytically on positron trapping in MgAl2O4 ceramics.
Моделювання процесів масоперенесення твердих компонентів через газову фазу в системі InAs–Sn–HCl
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Шуригін, Ф. М.; Макідо, О. Ю.; Кость, Я. Я.
Наведено результати термодинамічних розрахунків системи InAs-Sn-HCl, на основі яких було проведено дослідження масоперенесення твердих компонентів через газову фазу. Показано, що для цієї системи можна використати порівняно прості математичні моделі та розрахунки, які досить точно описують реальні процеси, що відбуваються в газовій фазі, а одержані розрахункові дані масоперенесення добре узгоджуються із експериментальними даними сумарного масоперенесення в реальних процесах. Досліджено залежності масоперенесення компонентів системи від температури зони джерела та визначено оптимальну температуру зони джерела для цього процесу. Results of InAs-Sn-HCl system thermodynamic calculations, on the basis of which we carried out the research of solid component mass transfer through vapor phase, are represented. It is demonstrated that relatively simple mathematic models and calculations can be used for this system, and their description of the real processes taking place in the vapor phase is rather accurate. The results of mass transfer calculation data are in accord with the experimental data of the total mass transfer in the real processes. Research into dependencies of the system component mass transfer upon source region temperature has been carried out, and optimal source region temperature for the process has been determined.
Моделювання процесів предачі енергії збудження іонів Yb3+ до іонів домішок у лазерному кристалі
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Мартинюк, Н. В.; Фагундес-Петерс, Д.; Петерман, К.; Убізський, С. Б.; Бурий, О. А.
Проаналізовано процеси передачі енергії збудження в лазерному кристалі, активованому іонами Yb3+. Розглядаються три моделі, що містять двочастинкову передачу (від активного центра до домішки), тричастинкову (від двох активних до одного домішкового іона) та двох механізмів одночасно. Для кожного з трьох випадків описано особливості кінетики спонтанної люмінесценції активного іона, а також залежності квантової ефективності від амплітуди імпульсу збудження, що дає змогу за вимірюваннями цих характеристик класифікувати процеси передачі енергії, що відбуваються в кристалі. The excitation energy transfer processes in laser crystals doped with Yb3+ ions are analyzed in this work. Three models are considered including two-particles transfer (from the active center to impurity ion), three-particles cooperative transfer (from two active centers to impurity ion) and the case of both mechanisms simultaneously. Peculiarities of the active ion luminescence decay kinetics as well as a dependence of quantum efficiency on the excitation pulse amplitude are described for each case that allows classifying the energy transfer processes being held in the crystal from measurements of these characteristics.
Морфологія і структурнадосконалість кристалів PbI2 в зв'язку з умовами їх росту
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Курило, І. В.; Рибак, О. В.
Подано результати дослідження морфології та структури кристалів PbI2, одержаних із парової фази в закритій системі. Залежно від технологічних умов вирощування одержано такі типи кристалів: пластинчасті, смужкові, голчасті, двійникові, дендритні утворення, полікристали, а також їхні комбінації та зростки. Data are presented on the and structural perfection of PbI2 crystals grown from the vapor phase in a closed system. By varying growth conditions, platelike, ribbon, needle, twinned, and dendritic crystals were prepared, as well as combinations and intergrowths of these habits.
Нові підходи та апаратура для real-time дослідження сенсорів магнітного поля в жорстких радіаційних умовах.
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Є.; Марусенков, А. В.; Мороз, А. П.
Розглянуто питання створення для дослідження гальваномагнітних сенсорівв процесі їх опромінення в нейтронних реакторах. Новизною роботи є те, що дослвідження параметрів сенсорів проводяться: по-перше, безпосередньо під час їх опромінення (real-time) і, по-друге, при дуже високих рівнях радіаційного випромінювання. Розроблена апаратура була успішно апробована і використана в експерментах з дослідження радіаційної стійкості гальваномагнітних сенсорів Лабораторії магнітних сенсорів (Національного університету "Львівська політехніка")в реакторі ИБР-2 (ОІЯД, Дубна, Росія)у жовтні 2006 року. Present work raises the issues of creating the instrumentation for the investigation of galvanomagnetic sensors during their irradiation in the neutron reactors. The novelty of the work consists in the fact that investigation of the sensors’ parameters was conducted, first, directly during the irradiation (in real time), and, second, under the conditions of very harsh penetrating irradiation (fast neutron fluence above 1018n/cm2). Developed instrumentation has been successfully tested and applied in the experiments on investigation of radiation stability of galvanomagnetic sensors of Magnetic Sensor Laboratory (Lviv Polytechnic National University) in the reactor IBR-2 (JINR, Dubna, Russia) in October 2006.
Оптимізація режиму роботи джозефсонівських кріотронів
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.
Запропоновано метод оптимізації режиму роботи джозефсонівських кріотронів (ДК) під час керування їхнім логічним станом імпульсами струму. Існуюча математична модель перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах дає можливість отримати перехідні характеристики під час зміни логічного стану. Проте оптимізувати режим роботи кріотронів через велику кількість параметрів у моделі є складним завданням. Запропонований нами метод оптимізації, який полягає в розрахунках не тільки перехідних характеристик кріотронів, а також і часових залежностей складових загального струму в кріотроні, дав змогу дослідити вплив кожної складової струму на перехідні процеси і визначити ті параметри моделі, які безпосередньо впливають на логічні переходи. In the paper, we propose a method of operation mode optimization of Josephson cryotrons (JC) during the regulation of their logic-state by current impulses. The existing mathematical model of transitional processes in Josephson cryotrons allows us to obtain transitional charachteristics during the change in cryotrons' logic-state. However, to carry out the operation mode optimization of cryotrons remains a hard task due to the large number of the model's parameters. The proposed optimization method consisting in calculating not only the transitional charachteristics of cryotrons, but also the timedependences of the total current components in a cryotron allowed us to investigate the influence of each current component on the transitional processes and determine those parameters, which have a direct influence on logic-state transitions.
Особливості вирощування епітаксійних плівок ферит-гранатів з субмікронними ЦМД
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Юр’єв, С. О.; Юрчишин, П. І.; Ющук, С. І.
Для зменшення швидкості росту МПФГ з ЦМД, покращання технологічності та відтворюваності їх магнітних параметрів при багатопозиційному методі отримання запропоновано ферит-гранатову систему 3 5 12 (Y,Sm,Ca,Bi) (Fe,Ge,Si) O та розчинник 2 3 3 PbO − Bi O −MoO і встановлені молярні співвідношення між оксидами у вихідній шихті. Використання розчинника 2 3 3 PbO − Bi O −MoO дало змогу понизити температуру наси- чення розплавів до 1151...1189 К, температуру росту МПФГ до 1048...1103 К та швидкість росту плівок до 0,10...0,60 мкм/ хв . За допомогою введення до складу шихти оксиду вісмуту 2 3 Bi O отримано задовільні вищі значення полів одновісної магнітної анізотропії H E K = 1800...3150, температури Кюрі T K K = 483...513 з одночасним покращанням контрастності доменів за рахунок збільшення вмісту в МПФГ іонів Bi3+ . Наявність в шихті оксиду кремнію 2 SiO зменшує неузгодження параметрів решіток плівок та підкладок до значень Δa = −5 ⋅10−3... + 9 ⋅10−3 Å. Встановлені інтервали вмісту оксидів в шихті відповідають оптимальним магнітним параметрам та їх відтворюваності у вирощених МПФГ. For decreasing of speed growing of MFGF with BCD, the improvement of technologicalness and reproduction of their magnetic parameters at the multiposition method of reception the ferro-garnet system 3 5 12 (Y,Sm,Ca,Bi) (Fe,Ge,Si) O and solvent 2 3 3 PbO − Bi O − MoO are offered and molar correlations between oxides in an initial charge are set. The usage of 2 3 3 PbO − Bi O − MoO solvent allowed to reduce the temperature of liquid phase saturation to 1151...1189 K, the temperature growth of MFGF to 1048...1103 K and the films speed growing to 0,10...0,60 μm/min. The intercalation in to the composition of charge of bismuth oxide 2 3 Bi O allowed to get the satisfactory higher values of uniaxial magnetic anisotropy fields H Oe K = 1800...3150 , Curie temperature T K K = 483...513 with the simultaneous improvement of domain contrasting at the expense of increase of Bi 3+ ions contents in MFGF. A presence in the charge of silicon oxide 2 SiO decreases the mismatch of films and substrates grates parameters to the values of Δa = −5 ⋅10−3... + 9 ⋅10−3 Å. The determined intervals of oxides contents in the charge correspond to optimum magnetic parameters and their reproduction in growing of MFGF.