Електроніка. – 2003. – №482

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30580

Browse

Now showing 1 - 20 of 26

Зміст до Вісника "Електроніка", № 482
(Видавництво Львівської політехніки, 2003)
Магнітні властивості ниткоподібних кристалів кремню
(Львівська політехніка, 2003) Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Цмоць, В. М.; Павловський, Ю. В.; Паньків, Л. І.
Досліджено магнітну сприятливість (МС; χ) ниткоподібних кристалів (НК) кремнію різного діаметра тп морфології. Для інтерпретації результатів, отриманих при вимірюванні залежності МС віл напруженості магнітного поля(0.3 - 4 кЕ), усі досліджені кристали розділені на чотири групи. До першої групи зараховані кристали діаметром 0,1-0,9 мкм, до другої - двійникові кристали діаметром 1-2 мкм, до третьої голкоподібні кристали діаметром від 5 до 1500 мкм, до четвертої - ізометричні кристали. У кристалів першої групи зі збільшенням діаметра НК їхній парамагнетизм переходить у діамагнетизм, а в кристалів третьої групи зі збільшенням діаметра - діамагнетизм переходить у парамагнетизм. На всіх цих кристалах виявлена нелінійність залежності МС від напруженості зовнішнього магнітного поля, що зростає зі збільшенням парамагнетизму зразків. Магнітна сприятливість двійникових кристалів діамагнітна, за своїм значенням близька до МС об'ємного кремнію і нелінійність залежності χ (Н) незначна. Виміряні значення МС ниткоподібних кристалів кременю пояснюються особливостями їхньої кристалічної структури і хімічним складом. In the present work magnetic susceptibili (MS, χ) of Si whiskers with various diameters and morphology are studied. For interpretation of the dependence of the whisker MS on magnetic-field intensity (0.3 - 4 kE) all the samples were divided on four groups. First group consists of submicron whiskers (d=0,1-0,9 µm), the second one contains twinned crystals with 1-2 µm in diameter, the third group consist of needle-like crystals with diameters 5-1500 µm, the forth one - isometric crystals. At increase of the whisker diameter paramagnetism of the whiskers of first group is shown to transit in diamagnetism, while in the whiskers of third group diamagnetism passes in paramagnetism again. In all these crystals the nonlinearity of dependence of a magnetic susceptibility on an external magnetic-field intensity is revealed. Magnetic susceptibility of twinned whiskers is close to MS of bulk silicon, nonlinearity of dependences χ (H) is small. The measured values of MS of Si whiskers are explained by peculiarities of their crystal structure as well as chemical composition.
Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77÷525К
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Московець, Т. А.; Макідо, О. Ю.; Копцев, П. С.; Шуригін, Ф. М.
Досліджено вплив легуючих домішок Sn, Al, Cr та їх комплексів Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr на температурні залежності сталої Холла, питомої електропровідності та рухливості електронів у мікрокрислалах InSb, вирощених методом хімічних транспортних реакцій у закритій йодинній системі. Показано, що результат дії окремо взятої легуючої домішки. У дослідженій системі це приводить до того, що внаслідок комплексного легування можуть змінюватися макроскопічні параметри мікрокристалів, зокрема, їх ширина забороненої зони навіть за таких концентрацій домішок, які самостійно аналогічних змін не викликають. Influence of the Sn, Al, Cr doping impurities and their Sn:Al, Sn:Cr, Sn:Al:Cr complexes on the temperature dependence of Hall constant, electric conductivity and electron mobility in the microcrystals grown by means of chemical transport reactions in the close-tube iodide system is investigated. It's shown that one particular doping impurity effect result depends on the presence of another doping impurity in the vapor phase. In the system under investigation this causes change of macroscopic macrocrystal parametrs, gap energy among their number, even at such doping concentrations which singly do not cause corresponding changes.
Вплив високотемпературної обробки на мехінізми струмопроходження в mono- i poly - n-Si
(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Паньків, Л. І.; Лабовка, Д. В.; Лучкевич, В. М.; Терлецька, А. М.; Хляп, Г. М.; Цмоць, В. М.
Описані результати з вивчення впливу високотемпературної обробки при температурі 900° С (ВТО-900) на механізми струмопроходження в структурах на основі mono- та poly-n-Si вихідних зразків і зразків, що пройшли ВТО. Порівняння ВАХ показало, що високотемператрна обробка не впливає на механізми струмопроходження в цих структурах.Встановлено, що домінуючою компонентою струму, який спостерігається в експеременті є тунельний.The results of the influence of high-temperature treatment at 900° C (HTT-900) on current mechanism in intial and treated mono- and poly-n-Si-based structures are presented. Comparison of I-V characteristics showed that high-temperature treatment does not influence o current mechanism in these structures. It was turned out that tunneling current is the dominant component of experimentally observed current.
Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs
(2003) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.; Пелещак, Б. М.
Побудована модель когрентно-напруженої квантової точки. Розраховано вплив неоднорідної деформації, яка є на межі розділення квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів КТ на глибину і профіль потенціальної ями для електронів і дірок у гетеросистемі з квантовими точками.The model of a coherent-strained quantum point is constructed. Influence of nonuniform deformation, which is on border of the unit of a quantum point and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum point on depth and a structure of a potential hole forelectrons and holes at heterostructure with quantum points, is designed.
Часова стабільність CdXHg1-XTe p-n структур, сформованих іонно-променевим травленням
(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Богобоящий, В. І.; Іжнін, І. П.; Савицький, Г. В.; Юденков, В. О.
Досліджено довгочасові (10 років) та короткочасові (4 місяців) релаксації електрофізичних параметрів p-n структур, створених іонно-променевим травленням (ІПТ) на вакансійно-легованих епітаксійних плівках p-CdXHg1-XTe, при зберіганні їх при кімнатній температурі. Виявлено різний характер релаксації електричних параметрів створених ІПТ порушеного шару та основного конвертованого n-шару.Релаксація параметрів порушеного шару пов'язується з самовідпалом радіаційних структурних дефектів,створених під час іонного бомбардування. Релаксація властивостей основного об'єму конвертованого шару пов'язана з наявністю в досліджених зразках неконтрольованих акцепторних домішок I, V гупи, тобто з розпадом створених в процесі ІПТ донорних дефектів, пов'язаних з такими домішками. Показано,що переважно релаксація параметрів відбувається протягом перших 4-5 місяців, після чого параметри структур стабілізуються і зберігаються упродовж 10 років. The long (10 years) and the short time (4 months) relaxation of p-n structures electrical parameters by ion beam (IBM) in vacancy-doped epitaxial films p-CdXHg1-XTe were investigated. It was revealed the different character of relaxation of the electrical parameters created by IBM of damaged layer and of n-layer main volume. The relaxation of parameters of damage layer is due to self-annealing of structural defects created durig ion bombardment. The relaxation of parameters of converting layer's main volume is due to presents in the samples residual acceptor dopants of the I, V groups so with dissociation of donor defects associated with this dopants and created during IBM. It was shown that parameters relaxation mainly occur at the first 4-5 month, afther that parameters of the structures become stabilize.
Титульний аркуш до Вісника Національного університету "Львівська політехніка", № 482
(Видавництво Львівської політехніки, 2003)
Радіоканал системи передачі телевізійних зображень з рухомих об'єктів
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Семенюк, А. Й.
Наведено результати розробки та виготовлення радіоканалу системи передачі телевізійних зображень з рухомих об'єктів. Описано функціональні схеми передавача та приймача і їх основні технічні характеристики. The results of design and production of the radio channel of TV-image transmission system for moving objects are presented in this paper. Also described block diagrams of transmitter and reciever and its main technical properties.
Використання радіаційно стійких перетворювачів Холла в системах орієнтації космічних апаратів
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Большакова, І. А.; Брайлян, Р. І.; Голяка, Р. Л.; Єгоров, А. Г.; Когут, І. В.; Копцев, П. С.; Марусенков, А. В.
Робота присвячена створенню радіаційної стійки перетворювачів Холла, дослідженню їх при опроміненні швидкими нейтронами та використанню в магнітометричних модулях магнітних систем управління космічними апаратами.Paper is dedicated to the radiation hard Hall generators creation, to their investigation during the irradiation by fast neutrons and their application in magnetometric units of spacecraft control magnetic systems.
Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів
(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Пелещак, Р.М.; Рудницький, С.В.
Розраховано зміни концентрації електронів у напрямку осі гетероструктури GaAs-Si (δ). Встановлено, що в центрі δ-шару створюється область збіднення і натомість на гетеромежі спостерігається підвищення концентрації електронів.Досліджено залежність зміни концентрації від параметра надгратки.Change of a charge concentration in heterostructure GaAs-Si (δ) are investigated.It established, that the center of a δ-layer is area of poverty and on heteroborders there is a surplus of concentration of charges. The influence of parameters superlattice on concentration distribution is a analyzed.
Фазовий перехід Pbnm - R-3c в La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.08O3
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Сенишин, А. Т.; Півак, Є. В.; Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Берковскі, М.
Методами високороздільної порошкової дифракції з використанням синхротронного випромінювання та ДТА/ДСК-аналізу досліджено структурні зміни при фазовому переході в кристалі La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.08O3 при температурі 303 К. Зворотний фазовий перехід першого роду із гістерезисом 9 К проходить із зменшенням об'єму приведеної елементарної комірки (V=-0.06%). Структура низькотемпературної фази належить до структурного типу GdFeO3 (просторова група Pbnm, Z=4, a=5.52736 A, b=5.49163 A, c=7.76852 A), тоді як структура високотемпературної фази є ромбоедричною (просторова група R-3c, Z=6, a=5,5226, c=13,3757A). Проаналізовано структурні зміни, що відбуваються в точці фазового переходу в катіонній та аніонній підгратках кристала. Structural changes in La0.92Sr0.08Ga0.92Ti0.08O3 at phase transition temperature 303 K were investigated by hight - resolution powder diffraction technique using synchrotron radiation and DTA/DSC analysis. The first jrder phase transition shows reversible behaviour with the hysteresis equal to 5-10 K and causes decreasing the reduced elementary cell (V=-0.06%). Low-temperature structure possesses CdFeO3 structural type (Pbnm spase group,Z=4, a=5.52736 A, b=5.49163 A, c=7.76852 A), whereas hight - temperature structure belongs to rhombohedral structure (R-3c, Z=6, a=5,5226, c=13,3757A). Structural changes in cation and anion sublattice have been analyzed at the phase transition point.
Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Яковина, В. С.; Берченко, М. М.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.
На прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.
Моделювання перехідних процесів у джозефсонівських елементах пам'яті з використанням реальних вах тунельних переходів
(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Тиханський, М.В.; Шуригін, Ф.М.; Тиханська, К.М.
Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівських тунельних переходів(ДТП) та їх вольт-амперні характеристики для температур,відмінних від абсолютного нуля, які були апроксимовані простими аналітичними функціями,проведено математичне моделювання перехідних процесів у джозефсонівських кріотронах (ДК).Досліджувались перехідні характеристики ДК та їх особливості при керуванні логічним станом кріотронів за допомогою зовнішніх імпульсів струму ідеальної прямокутної форми. Проведено моделювання логічних переходів "0" → "1" та "1" → "0" . Показано,що джозефсонівські кріотрони можна використовувати як надшвидкодіючі елементи пам'яті з часом комутації 10 — 40 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи таких кріоелектронних структур. Mathematic modeling of transition processes in josephson cryotrons (JC) is carried out by using an equivalent scheme of josephson tunneling junctions and their I-V characteristic for the temperatures above 0 K,which are made approximate simple analytical functions. The transition characteristics of JC and their peculiarities when controlling the cryotron logical state by ideal rectangular-shaped outer current impulses are investigated. Modeling of logical transitions "0" → "1" and"1" → "0" is carried out. It is showb that JC can be used as extraquick memory cells with the commutation time 10 -40 ps.The influence of scheme parameters on stability of the functioning of such cryoelectronic structures is investigated.
Вплив товщини фазової голограми на її параметри
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Фітьо, В. М.
На підставі рівнянь зв'язаних хвиль, що описують дифракцію світла на періодичних непоглинаючих структурах (фазових голограмах), знайдено умови, за яких її можна вважати тонкою. Голограма буде тонкою, поки дифракційна ефективність мінус першого порядку дифракції зростає із збільшенням товщини голограми при достатньо малій модуляції показника заломлення. Отримано умови, при яких голограму можливо описати двохвильовим наближенням. Ці умови грунтуються на залежності дифракційної ефективності в мінус перший порядок дифракції від товщини голограми і від змінної складової показника заломлення при виконанні умов Брегга між недифрагованим пучком і дифрагованим пучком у перший порядок. Чисельними розрахунками показано, що для проміжних голограм по товщині при нормальному падінні пучка на голограму можна отримати дифракційну ефективність, близьку до 50% для першого і мінус першого порядків дифракції. The conditions at which a structure can be considered as a thin one were obtained by coupled wave equations whitch describe light diffraction on periodical non-absorbing structures (phase holograms). Hologram will be thin as long as diffraction efficiency of the negative first order of diffraction increases with hologram thickness increase at sufficiently small modulation of refractions index. Conditions at whitch hologram can be described by double-wave approximation are obtained. These conditions are based on dependence of diffraction efficiency in the negative first order of diffraction on hologram thickness and on variable component of refractions index at satisfaction of Bragg law between the non-diffracted beam and the beam diffracted into the first order. Numerical calculation show that diffraction efficiency of 50% for the first and minus first orders of diffraction can be obtained for medium thickness holograms when the beam comes normally to the hologram.
FA і FD -центри забарвлення в кристалах флюориту
(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Качан, С. І.; Кушнір, Т. М.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.
Якщо кристали флюориту, що містять складні MA+ -центри забарвлення,оптичного знебарвити при 80 К,то структура новоутвореного точкового дефекта набуває конфігурації,вісь якої збігається з ‹111› кристалографічними напрямками кристала.При повторному опроміненні кристала, поряд з реакцією утворення VK-центрів, існує локалізація електронів на бівакансійних комплексах з утворення FD-центрів забарвлення. Концентрація новоутворених FD-центрів співвимірна за величиною з концентрацією FA-центрів,а оптичні параметри FD-центрів і FA-центрів практично збігаються. FD→МА+ - перетворення відбуваються при температурі реорієнтації TR домішково-вакансійних диполівт (TR=122 K в CаF2-Lі+ і TR=153 К в CаF2-Nа+). Ефективність виходу FD→МА+ -перетворень у 2-3 раза вища порівняно з ефективністю FA→МА+ -перетворень. If crystals of fluorite with the complicated MA+ -centers of colouring optically decolour at 80 К the structure of newly created point defect acquires a configuration, which axis coincides with ‹111› crystallographicdirections of the crystals. After repeated irradiation of crystals, alongside with the reaction of creation of FA and VK - centers, the localization of electrons on the bivacancial complexes with the the creation of FD - centers is proportional in size to the concentration of FA - centers, and optical parameters of FD and Fa - centers practically coincide. FD→МА+ transformations take place atthe temperature of reorientation of impurity-vacancion dipoles. The efficiency of the output of FD→МА+ transformations is higher in comparison with the efficiency of FA→МА+ transformation in 2-3 times.
Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадмію
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Загіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.
Досліджено Оже-спектри і спектри фотолюмінесценції поверхні CdTe після імпульсного лазерного опромінення.Проаналізовано зміни густини дислокацій та величини мікротвердості на поверхні і по глибині модифікованих лазером шарів. Запропоновано використовувати модифіковані приповерхневі шари для гетерування неконтрольованих домішок. Auger spectrums and spectrums of photoluminescence of CdTe surface after pulsing laser irradiation have been explored. The changes of the dislocation density and quantity of microhardness on the surface and throught the depth of the layers modified by pulse laser have been analysed. We propose to use modified near surfase layers for gettering of uncontrollable impurities.
Теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі кристала Cr4+:YAG
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Бурий, О. А.; Мельник, С. С.; Убізський, С. Б.; Матковський, А. О.
Проаналізовані теплові процеси в пасивному модуляторі добротності на основі плівки Cr4+:YAG. Визначено величину тепловиділення в абсорбері при генерації послідовності лазерних імпульсів. На основі числового розв'язку рівняння теплопровідності для різних значень енергії тепловиділення розраховано розподіл температури та проаналізовано вплив неоднорідного нагрівання на параметри модулятора. The heat processes in the Q-switching modulator based on the Cr4+:YAG film are considered. The heat-evolution in the absorber during the laser pulses generation is determined. The temperature distribution and the non-uniform heating influence on the modulator parameters are analyzed by means of the heat conductivity equation numerical solution.
Імпульсна лазерна модифікація при поверхневих шарів телуриду кадмію
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Загіней, А. О.; Котлярчук, Б. К.; Сивенький, Ю. Є.
Досліджено Оже-спектри і спектри фотолюмінесценції поверхні CdTe після імпульсного лазерного опромінення.Проаналізовано зміни густини дислокацій та величини мікротвердості на поверхні і по глибині модифікованих лазером шарів. Запропоновано використовувати модифіковані приповерхневі шари для гетерування неконтрольованих домішок. Auger spectrums and spectrums of photoluminescence of CdTe surface after pulsing laser irradiation have been explored. The changes of the dislocation density and quantity of microhardness on the surface and throught the depth of the layers modified by pulse laser have been analysed. We propose to use modified near surfase layers for gettering of uncontrollable impurities.
Особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та границі розділення твердих тіл
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Берченко, М. М.; Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.; Яковина, В. С.
Дослідження накопичення дефектів на поверхні кремнію, екранованого від теплової дії, залежно від густини потоку та сумарної поглинутої енергії лазерного випромінювання, в режимі генерації ударних хвиль. Виявлено утворення точкових дефектів, що відпалюються при 450 К. Показано, що електроопір та вольт-амперні характеристики границі розділення та поверхня твердих тіл можуть керовано змінюватися за допомогою лазерних ударних хвиль. Acumullation of defects as a function of the absorbed energy flow density resulting from LSW generation on a Si crystal surface, protected with a heat screen has been investigated. Formation and reduction of point defects at 450K was observed. It was demonstrated that LSW processing can selectively modify resistance IU characteristic of surface and interface layers in solids.
П'єзоопір легованих ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах
(Львівська політехніка, 2003) Дружинін, А. О.; Мар'ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.
Проведено дослідження п'єзорезистивного ефекту в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу в температурному діапазоні 1,7÷300 К. Досліджувався вплив деформації на питомий опір цих кристалів і енергію активації домішки.Виявлено гігантський п'єзоопір в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу поблизу фазового переходу метал-діелектрик при гелієвих температурах.Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки і температури. Обговорюється можливість використання гігантського п'єзооопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин.Piezoresistive properties of Si whiskers in 1.7÷300 K temperature range were investigated. The effect of strain on the resistivity and the impurity activation energy of these crystals were studied. The giant piezoresistance was observed in p-type silicon whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature was studied. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors is discussed.