Електроніка. – 2001. – №423

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42440

Browse

Now showing 1 - 20 of 24

Використання плівкових розподілених RC-структур в сенсорах вологості
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Готра, З. Ю.; Григор'єв, В. В.; Мельник, О. М.; Прошак, Д.; Національний університет "Львівська політехніка"; Жешувський технологічний університет, Польща
Розглянуто питання використання фільтрів на основі розподілених RC-структур в сенсорах вологості. Як діелектрик в RC-структурі сенсорів використовується композиційний матеріал на основі полівінілового спирту з вкрапленими алюмінієвими мікрочастинками. Змодельовано характеристики сенсорів з прямокутною тришаровою RC-структурою у вигляді фільтра нижніх частот, нульового фільтра та фільтра верхніх частот. The application of filters on the base of distributed RC-structures in humidity sensors is considered in this paper. Composite material on the basis of polyvinyl alcohol with impregnated aluminum microparticles is used as dielectric in RC-structures. The characteristics of sensors with rectangular three-layers RC-structure as low-frequency filter, zero filter and high-frequency filter are simulated.
Волоконно-оптичний давач механічних зміщень на бреггівських ґратках
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Солдатов, В. І.; Бартків, Л. В.; Національний університет «Львівська політехніка»
Досліджено кутову та спектральну селективність давача механічних змі щень на бреггівських ґратках. Ґратки завтовшки 950 мкм записувались на пластинках As2S3 методом експонування інтерференційною картиною випромі нювання Не-lе-лазера потужністю 50 мВт. Кутова та спектральна селективність давача становили 0,3 градуса та 6 нм, відповідно. При цьому розрахункова чутливість до механічних зміщень при 1% модуляції становила 2 нм. The angular and spectral selectivity of the sensor of mechanical displacements on Bragg gratings was investigated. The gratings of 950 ^m thickness were recording in the As2S3 plates by a fringe pattern exposure method of radiation of He-Ne laser with output 50 mW. Angular and spectral selectivity of the sensor were composing 0.3 degree and 6 nm, consequently. Thus the calculated sensitivity at the 1% modulation was composing 2 nm.
Двопорогові компаратори - нова елементна база інтелектуальних сенсорів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Голяка, Р. Л.; Національний університет "Львівська політехніка"
Запропоновано принципи побудови та схемотехнічні розв’язки двопорогових компараторів, які як елементна база інтелектуальних сенсорних пристроїв, забезпечують їх автоматичне перемикання між робочим та очікувальним режимами роботи. Development principles and circuit solutions are proposed for the douhreshold comparators. Such comparators provide the automatic switching between the operating and standby mode and they serve as the elements for intelligent sensor devices.
Дослідження термічних спотворень в оптичних елементах газових лазерів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Петровська, Г. А.; Демкович, l. B.; Бобицький, Я. В.; Національний університет "Львівська політехніка"
Розроблено програмне забезпечення для моделювання температурних полів та відповідних їм деформацій в оптичних елементах потужних лазерів, яке дає змогу враховувати довільні просторово-часові розподіли лазерного випромінювання, поверхневе та об’ємне поглинання у зразку, а також особливості тепло- відведення від поверхонь оптичного елемента. Проведено теоретичні та експериментальні дослідження термічних спотворень у дзеркалах аргонових лазерів. Software for simulation of temperature fields and strains in the high-power lasers optical elements was elaborated. It allows to take into account any spatially-temporary distributions of a laser radiation, surface and volumetric absorption in a sample and also features of a heat rejection from surfaces of a mirror. Theoretical and experi mental researches of thermal distortions in mirrors of argon lasers are conducted.
Дослідження характеристик термосенсорних пристроїв з перетворенням на диференційному каскаді
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Готра, O. 3.; Національний університет "Львівська політехніка"
Запропоновано спосіб формування сигналу термосенсорних пристроїв на ос нові диференційного каскаду. Розглянуто структуру вузла первинного перетво рення твердотільних термосенсорних інтегральних схем із перетворенням на диференційному каскаді. Проведено дослідження характеристик цих пристроїв. Показано, що чутливість запропонованого перетворювача становить ~10% на градус. The method of signal formation of thermosensor devices based on differential cascade is proposed. The structure of the preprocessing unit of solid state thermosensor integrated circuits with transformation on bipolar circuit is given in this paper. The characteristics of these devices are investigated. It is shown that the sensitivity of proposed transformator is approximately equal 10% per degree.
Електронна енергетична структура твердих розчинів SixGe1-x
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Сиротюк, C. B.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Національний університет "Львівська політехніка"
Розраховано електронні енергетичні спектри Si, Ge і твердих розчинів SixGe1-x у наближенні функціонала локальної електронної густини. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдо- потенціалів. Виявлено, що в околі концентрації Si x=0,25 зонні енергії електронів провідності у долинах L1c та X1c відрізняються тільки на соті частки еВ, тобто отримується багатодолинний напівпровідник, у якому ширина забороненої зони менша від аналогічної у чистому Si, але більша від такої у чистому Ge. The electronic energy bands of Si, Ge and solid solutions SixGe1-x have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in Si and Ge obtained here are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach. We found that in the vicinity of Si concentration x=0.25 the band energies of conduction electrons at L1c and X1c differs each other by 10-2 eV, and therefore we deal with multivalley semiconductor, in which the band gap is less than in pure Si and greater than in pure Ge.
ЕПР кристалів PbTe:G
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Заячук, Д. М.; Полигач, Є. О.; Слинько, Є. Ї.; Хандожко, О. Г.; Національний університет “Львівська політехніка”; Чернівецьке відділення ІПМ НАН України; Чернівецький Національний Університет
Досліджено спектри ЕПР монокристалів PbTe:Gd, вирощених методами Бріджмена та парової фази і легованих гадолінієм у процесі росту. Встановлено, що форма та інтенсивність ліній сигналу ЕПР іонів домішки гадолінію залежить від його концентрації, методу вирощування та типу провідності легованих кристалів, а також від способу введення легуючої домішки. Зроблено висновок, що отримані результати свідчать на користь гіпотези про утворення в процесі легування телуриду свинцю гадолінієм структурно-домішкових комплексів “домішка заміщення - вакансія телуру”. Уточнено величину g-фактора домішки гадолінію в досліджуваних кристалах при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту. PbTe:Gd crystals grown by Bridgman and vapour phase methods and doped with Gd while growth process has been investigated. It was ascertained that both shape and intensity of EPR spectrum lines depend on Gd concentration, doping method, type of crystal conductivity and growth method. Conclusion was drown that EPR spectrum behaviors obtained for crystals under investigation give the seal to our theory about forming of “Gd3+-VTe” complexes in PbTe doped with Gd impurity. g-factor value has been specified for both room and liquid nitrogen temperatures.
Зміст до Вісника "Електроніка" № 423
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001)
Моделювання форми рельєфу поверхні напівпровідників у зонах дії мілісекундних та секундних лазерних імпульсів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Кияк, С. Г.; Петрович, I. B.; Володін, П. В.; Могиляк, І. А.; Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я. С. Підстригача НАН України; Національний університет “Львівська політехніка”
Проведено моделювання рельєфу поверхні для періодичних структур проплавів иа аморфних та кристалічних зразках Si після їх імпульсного лазерного опромінення. Зроблено розрахунок для проплавів, які мають форми з виступами та впадинами в центрах цих утворень. Результати розрахунку узгоджено з даними експерименту. The surface relief modeling for periodic fusing structures on amorphous and crystalline Si samples after their pulse laser irradiation is carried out. The computation for fusing structures, which have the forms with bulges and hollows in centers of these formations, is done. The computation results confirm experimental data.
Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Берченко, M. M.; Богобоящий, В. В.; Іжнін, І. І.; Савицький, Г. В.; Юденков, В. О.; Національний університет “Львівська політехніка”; Кременчуцький державний політехнічний інститут; Львівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП “Карат”
Вперше експериментально досліджено вплив низькоенергетичних іонів Аг в процесі іонно-променевого травлення (ІПТ) на електрофізичні властивості епітаксійних шарів РbТе p-типу та n-типу провідності. Показано, що така обробка призводить до p-n конверсії типу провідності в р-РbТе та зростаннюя концентрації електронів в n-РЬТе при зменшенні їх рухливості. Зміни властивостей відбуваються по усій товщині епітаксійних шарів (приблизно 2 мкм). Характер змін електрофізичних властивостей свідчить про введення в процесі ІПТ додаткових донорних центрів, пов’язаних з виникненням надлишкового свинцю. Механізми перебудови системи дефектів в РbТе при ІПТ докорінним чином відрізняється від таких у CdxHg1-xTe. The influence of low energy Ar ions under ion beam milling (IBM) on electrical properties of p-and n-type conductivity of the PbTe epitaxial layers was experimentally investigated for the first time. It has been shown that such treatment causes the p-n type conductivity conversion in p-PbTe and increasing of electron concentration in n- PbTe at decreasing their mobility. The property modification takes place at whole depth of epitaxial layers (approximately 2 µm). The electrical properties change behavior evidences the introducing under IBM the additional amount of donor centers connected with lead excess. The mechanism of defect rebuilding in PbTe under IBM distinguishes radically from the same in CdxHg1-xTe.
Модифікація приповерхневих шарів твердих розчинів (Cd,Hg)Te імпульсним лазерним випромінюванням
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Загіней, A.O.; Котлярчук, Б.К.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригана НАН України
Проаналізовано зміни концентрації донорів і акцепторів у власнодефектному телуриді кадмію-ртуті при обробці імпульсним лазерним випромінюванням. На основі проведеного аналізу запропоновано метод формування бар’єрних структур в (Cd,Hg)Te, який виключає генерацію додаткової концентрації лінійних дефектів структури у модифікованих лазером приповерхневих шарах. Зведе¬но електрофізичні та фотоелектричні характеристики сформованих p-n структур. The changes, arising in the concentration of donors and acceptors in cadmium mercury telluride with original defects under treatment by pulse laser irradiation have been examined. On the basis of the carried out analysis has proposed a method for forming barrier structures in (Cd,Hg)Te that prevents the generation of additional concentration of linear structure defects in the layer modified by laser. The electro¬physical and photoelectric characteristics of formed p-n structures have been determined.
Мікроелектронна багатозначна міра опору, напруги та струму
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бойко, О.; Готра, О.; Національний університет "Львівська політехніка"
Описано структурну схему мікроелектронної багатозначної міри та особ ливості побудови окремих вузлів. Розроблені структури забезпечили подання напруги, опору, струму із зведеною похибкою не вище 0,02% на границях 10 Ом, 10 мВ, 1 мА, і 0,01% на інших границях. При цьому забезпечено дискретність відтворення опору 0,001 Ом, напруги 1 цВ, струму 0,1 цА. The structural scheme of multifunction calibrator and its main design peculiarities are described in this paper. Elaborated structures provided the voltage, resistance, current with no higher than 0.02% reduced error at the limits of 10 Ohm, 10 mV, 1 mA and with 0.01% reduced error at other limits. The discreteness of reconstruction of resistance of 0.001 Ohm, voltage of 1 μV, current of 0.1 μA is provided..
Непряма обмінна взаємодія в напівмагнітному напівпровіднику CD1-x MNxTE
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Мельничук, C. B.; Михайлевський, Я. М.; Юрійчук, I. M.; Чернівецький національний університет
Проаналізовано залежність констант непрямої обмінної взаємодії напівмагнітного напівпровідника Cd1-xMnxTe від хвильового вектора зони Бріллюена з врахуванням його реальної зонної структури. Розрахунок зонної структури виконано в зрз*-моделі сильного зв’язку з включенням в базис 3сІ-станів іону Мп. Запропонована модель дає кількісно наближені до експериментальних даних величини зеєманівського розщеплення зонних станів у точці L зони Бріллюена. Вивчено залежність констант обмінної взаємодії від вмісту магнітного іона Мп. The dependence of indirect exchange interaction parameters of semimagnetic semiconductor Cd1-xMnxTe on wave vector of Brillouine zone is analyzed taking into account its real band structure. Calculation of band structure is carried out in the framework of spstight-binding model, which basis includes 3C-states of Mn ion. Proposed model gives the values of Zeeman splitting of band states that are close to experimental data. The dependence of exchange interaction parameters on the content of Mn ion is studied.
Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н.; Національний університет "Львівська політехніка"
Вивченно електричні параметри НК Si-Ge в температурній області 4,2-300 К. Досліджено НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат.%, вирощених в легуючих системах з домішками B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt. Оцінено енергії активації 0,018 та 0,32 еВ у кристалах, легованих B і Zn, відповідно. У НК проявляються мікро- та макронеоднорідності. Встановлено, що НК, вирощені з домішками Hf та Au, є фоточутливі. The present paper deals with a study of Si-Ge whisker in the temperature range 4.2-300K. Si-Ge whiskers with compositions (up to 3at.% Ge) grown in doped system of B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt were under investigation. Activation energies 0,018 and 0.32eV of crystals doped with B, Zn impurities, respectively, were calculated. Micro- and macro-inhomogeneties are found in the whiskers. The whiskers doped with Hf and Au was shown to be photosensitive.
Оптичні властивості квазі-двовимірної системи наночастинок срібла
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Мороз, І. Є.; Малинич, C. 3.; Національний університет “Львівська політехніка”
Досліджено оптичні спектри екстинкції та поглинання наночастинок срібла, що утворюють квазі-двовимірну структуру. Частинки розміром 100 нм висаджувались на скляні пластинки, вкриті мономолекулярним шаром полівінілпіридину. Спостерігалася радикальна перебудова спектра екстинкції металевих плівок порівняно зі спектрами наночастинок у колоїдах, що полягає у появі різкого резонансного піка. Спектри поглинання вказаних змін не виявляють. Досліджувались часові зміни спектрів у процесі утворення плівок. Порівняння спектрів з морфологічними даними, отриманими за допомогою атомного силового мікроскопа, підтверджують наявність когерентної плазмонної взаємодії між щільно розташованими частинками. We report on the experimental studying of both extinction and absorption spectra of silver nanoparticles arranged in two-dimensional arrays. Ag 100 nm-sized particles were deposited from colloidal suspension onto glass slides covered with polyvinylpyridine. Drastic changes which consist in sharp peak appearance in extinction spectra were observed in compare to those for colloidal suspension. At the same time, absorption spectra do not demonstrate such behaviour. Time evolution of extinction spectra also have been investigated during film preparing. Comparison of spectra with structure data obtained by AFM supports the idea of coherent plasmon coupling in closely spaced Ag nanoparticles.
Результати випробувань резисторів із паст серій 0800 і 4400, виготовлених на підкладках із кераміки ВК96-1
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Смеркло, Л. М.; Дячок, Д. Д.; Кучмій, Г. Л.; Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститут; Національний університет "Львівська політехніка"
Розглянуто питання кліматичних і механічних випробувань товстоплівкових резисторів із паст серій 0800 і 4400, виготовлених на підкладках із кераміки ВК96-1. Наведено результати досліження зміни номіналу резисторів після дії термоциклів, підвищеної і пониженої температури та ударів. The climatic and mechanical tests of thick-film resistors made from pastes of 0800 and 4400 series that are produced on BK96-1 ceramic substrate are considered. The results of investigation of variation of resistor values apten action of thermocycle high and low temperature, stresses are presented.
Розрахунок екситонних станів у кристалах із фівазівським законом дисперсії носіїв зарядів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бурий, O. A.; Данилевич, О. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розглянуто екситонні стани у шаруватому напівпровіднику, електронний та дірковий спектри якого описуються законами дисперсії Фіваза. Показано, що це завдання зводиться до розв'язання диференціального рівняння, яке містить операторні ланцюгові дроби. Розглянуто часткові випадки цього рівняння. Exiton states are considered for the layer semiconductor with Fivas dispersion laws for electrons and holes. It is shown, that the problem of the exiton spectrum calculation for these crystals come to the differential equation with operators chain fractions. The special cases of this equation are also considered.
Розробка способу виготовлення полімерних мікролінз
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бобицький, Я. В.; Лаба, Г. П.; Максименко, О. П.; Шибанов, В. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; Фізико-механічний інститут імені Г. В. Карпенка НАН України
Описано виготовлення мікролінз способом фотополімеризації лежачої краплі рідкої композиції. Теоретично визначено основні умови формування крапель із сферичною формою поверхні та експериментально підтверджено можливість виготовлення мікролінз з сферичною формою поверхні. Вивчено залежність між об’ємом рідкої композиції і радіусом кривизни мікролінз. Method of fabrication of microlenses by photopolymerization of sessile drop of liquit compozitoin is described. The main conditions of shaping of drop with spherical form of surface ів theoretically determined and possibility of fabrication of microlenses with spherical form of surfaces is experimentally confirmed. Dependency between volume and radius of microlenses curvature is studied.
Роль фотопроцесів у формуванні імпульсів струму від’ємної корони у сумішах газів N2+O2 і Аг+02
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Чигінь, В. І.; Скульський, М. Ю.; Національний університет "Львівська політехніка"
Досліджено вплив фотопроцесів на відмінні властивості імпульсів негатив ної корони в азоті та аргоні із домішкою кисню. Встановлено, що ріст електрич ного поля у початкових фазах імпульсу в N2+O2 веде до зростання інтенсивності збудження високоенергетичних рівнів N2, до іонізації 02 фотонами, емітованими N2* і до адекватного росту струму. Такі процеси не відбуваються в Аг+02, ос кільки збудження високоенергетичних рівнів Аг є малоймовірним. Тривалість імпульсу і струм у його хвостовій частині задаються динамікою негативних іонів O2" у прикатодній оболонці корони, зокрема їх зіткненнями із метастабілями N2*. Останні впливають також на характеристики високочастотних вторинних осциляцій струму. The photoprocesses influences on the negative corona pulse different features in nitrogen and argon with the oxygen admixture have been studied. It has been deter mined that an electric field rise in the begining pulse phases in N2+O2 leads to an incre ase of the excitation intensity of N2 high energy levels, to an ionization of O2 molecules by the N2* emited photons and to an adequate current rise. Such processes do not occur in Ar+O2, since the Ar high energy level exitation has a low probability. Pulse trailing part duration and current value are operated by the O2- negative ions dynamics in a cathode sheath, particularly by its collisions with the N2* metastables. The last ones determine the features of the high frequency current secondary oscillation.
Селективне розсіювання на конфокальних доменах індукованих холестериків
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001) Микитюк, З. М.; Сушинський, О. Є.; Черпак, В. В.; Іваницький, В. Г.; Даланбаяр, Б.; Національний університет “Львівська політехніка”
Проведено теоретичні та експериментальні дослідження процесу розсіювання лазерного випромінювання для зразків індукованих холестериків. Одержані індикатриси розсіювання індукованих холестериків із фіксованим значенням кроку спіралі для різних довжин хвиль випромінювання (0.63, 1.15 і 3.39 мкм), які свідчать про зміну характеру розсіювання та збільшення вкладу селективної компоненти в загальне розсіювання. The theoretical and experimental investigations of laser light radiation scattering for induced cholesterics samples are carried out. The light scattering indicatrix of induced cholesterics that have fixed pitch value for different wave length of radiation light (0.63, 1.15 і 3.39 ^.m) are obtained. These indicatrix shown scattering character changes and increasing selective component contribution in total scattering.