Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2000. – №393
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8440
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Державного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 174 с. : іл.
Browse
Item Application of finite elements method for optimisation of optical fibre probe designed to operate in harsh conditions(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Wojcik, Waldemar; Smolarz, Andrzej; Kotyra, AndrzejIn the work we describe the process of design of fibre-optic probe for the flame monitoring system by method of finite elements. Probe made according to the design has successfully passed tests made in industrial boiler OP650. Описано процес розробки волоконно-оптичного зонду для систем моніторингу полум’я методом скінченних елементів. Виготовлений зонд успішно пройшов випробовування в промисловому бойлері ОР650.Item FA → МА + термоіндуковані перетворення у кристалах СаF2–Ме+(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Чорній, З. П.; Качан, С. І.; Щур, Г. О.; Салапак, В. М.; Дубельт, С. П.Досліджено FА→(F2+)А-перетворення центрів забарвлення в кристалах CaF2-Ме+ (Ме+=Li+, Na+, K+, Rb+), опромінених Х-променями при Т = 80 К. Показано, що утворення МА +-центрів відбувається двостадійно. На низькотемпературній стадії МА +-центри утворюються внаслідок FА(1)→(F2+)А-перетворень, а на високотемпературній – в результаті захоплення FА-центрами рухливих аніонних вакансій. The FA → (F2+)A conversions of coloration centers in CaF2-Me+(Me+ = Li+, Na +, K+, Rb+ ) crystals, X-irradiated in temperature T = 80 K have been researched. It is shown that creation of MA +-centers occures in two stages. The MA+-centers come into existence because of FA(1) → (F2+)A conversions during the low-temperature stage and in consequence of capture of the movable anion vacancies by FA-center during the high-temperature stage.Item Prospects in development of volume microelectronics structures(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Kalita, Wlodzimierz; Potencki, JerzyContemporary development trends in technology of integrated circuits have been presented especially taking into account a role of third dimension for increase in integration scale and functional possibilities of ICs. Розглянуто сучасні тенденції розвитку технології інтегральних схем, особливу увагу приділено ролі тривимірних структур, які дозволяють збільшувати масштаб інтеграції і функціональні можливості інтегральних схем.Item The stability of the two-channel distributed-parameters with the loss control system(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Dacka, Czeslaw; Gotra, Zenon; Wojcik, WaldemarIn this paper, we demonstrate the analysis of the stability of the two-channel control systems containing the optical fibre links as a through-coupling. The analysis of the stability of systems the indicial equation of which can be reduced to the form where its roots are located in the defined sector of the left half plane of the complex variables was conducted on the basis of the method of the plane of parameters. Приведено аналіз стабільності двоканальних керуючих систем, які містять волоконно-оптичні ланки в якості наскрізних зв’язків. На основі методу матриці параметрів проведено аналіз стабільності систем визначальне рівняння яких може бути зменшена до форми в якій його корені розміщені в певному місці лівої половини площини комплексних змінних.Item Алгоритми швидких спектральних перетворень для спецпроцесорних ВІС(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.Розглянуто алгоритми і результати моделювання спеціалізованих процесорів, які призначені для реалізації алгоритмів спектральних перетворень в різних базисах ортогональних функцій (Фур’є, Уолша, Хаара, Адамара). Показано можливість створення універсального мікропроцесора для спектрального аналізу сигналів. The algorithms and results of modelling of specialised processors wich realise algorithms of fast spectral transformations in different basis of ortogonal functions (Furrier, Walsh, Haar, Hadamar) are considered in the paper. The possibility of creation of universal microprocessor unit for signal spectral analysis is presented.Item Аналіз дифракції світла на періодичних структурах методом зв’язаних хвиль(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Фітьо, В. М.; Бобицький, Я. В.Розглянуто дифракцію світла на періодичних структурах. На основі хвильового рівняння методом зв’язаних хвиль отримана лінійна система диференціальних рівнянь з постійними коефіцієнтами. Light diffraction on periodic structures is considered. On the bases of wave equation by coupled modes method linear system of differential equations with constant coefficients is received.Item Верифікація температурних моделей елементів термосенсорних ІС(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Готра, О. З.Розглянуто алгоритм верифікації температурних моделей p-n переходів транзисторних структур, що використовуються як первинні перетворювачі термосенсорних біполярних інтегральних схем. У процесі верифікації моделей ППП ”Spice” можливе досягнення невідповідності між ними та характеристикою реальних структур ІС в межах (-0,8...0,7)% в температурному діапазоні (- 50...+100)0С. The algorythm of verification of temperature models of p-n transistor structures that are used as primary transducers of thermosensitive bipolar integrated circuits is shown. In the process of verification of models of ”Spice” it is possible to achieve the noncorrespondence between them and characteristic of real structures of IC in the range of (-0,8...0,7)% in the temperature range of (-50...+100)0С.Item Виготовлення і властивості шаруватих ферогранатових структур(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Юр’єв, С. О.; Ющук, С. І.; Ніколайчук, В. Й.; Костюк, П. С.Описано режими вирощування і фізичні властивості багатошарових ферогранатових структур, до складу яких входять плівки залізо-ітрієвого гранату і заміщених феритів-гранатів. Шаруваті структури виготовляли методом рідкофазної епітаксії на підкладках з галій-гадолінієвого гранату. Плівки досліджували за допомогою феромагнітного резонансу та інтерференції магніто-статичних хвиль. The growth regime and physical properties of multi-layered ferrogarnet structures that consist of films of iron-yttrium garnet and replaced ferrite-garnet are described. Layered structures were formed by method of liquid phase epitaxy on the gallium-gadolinium substrates. These films were investigated by ferromagnetic resonance and interference of magnetostatic waves.Item Високочутливі перетворювачі для однокристальних термосенсорних інтегральних схем(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Готра, О. З.; Каліта, В.Аналізуються схеми термосенсорних пристроїв з експоненційною характеристикою перетворення. Виготовлені у вигляді однокристальних біполярних ІС, дані пристрої дозволяють отримати гранично високу чутливість в околицях опорної температури при мінімальних структурних затратах. В основі функціонування запропонованих ІС покладено принцип вимірювання та подальшого перетворення струму через прямозміщений pn-перехід при фіксації на ньому заданої напруги, що визначає опорну точку вимірювання температури. Сфера застосування ІС – системи керування термостатами, елементи захисту від перегріву, протипожежна сигналізація. The circuits of thermosensitive devices with exponential transduction characteristic are analysed. Made as single-chip bipolar IC these devices allow to receive maximum sensitivity in the range of reference temperature at minimum structure expenditures. The functioning of proposed IC is based on principle of measuring and further trunsduction of current through direct biased p-n-junction at fixation on it the defined voltage which determines the reference point of temperature measuring. IC can be used in systems of thermostate controlling, elements of overheating protection, fire-prevention signalling.Item Вплив високотемпературного відпалу в парах компонент на електрично активні центри в дифосфіді цинку(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Кудін, А. П.Подано результати дослідження впливу високотемпературного відпалу в парах компонент на електрично активні центри у дифосфіді цинку. The results of investigations of influence of high-temperature annealing in component streams on electrical active centers in zinc diphosphide are presented in this paper.Item Вплив домішки ініціатора росту на дефектоутворення в ниткоподібних кристалах кремнію(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Островський, І. П.; Байцар, Р. І.; Троць, Т. Я.Показано, що домішка золота, яка відіграє роль ініціатора росту ниткоподібних кристалів Si у закритій галоїдній системі, приводить до зменшення концентрації власних дефектів, входячи у кристал у незначній кількості. It has been shown that gold impurity serving as initiator of Si whisker growth in closed halogen system results in a decrease of self defect concentration, being slowly introduced into the crystal.Item До питання про нерівноважну статистику газу носіїв зарядів у кристалах(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Буджак, Я. С.Альтернативно до методу кінетичного рівняння Больцмана обгрунтовується нерівноважна статистика газу носіїв зарядів і розраховуються деякі важливі термодинамічні та кінетичні властивості кристалів з довільним законом дисперсії. Alternatively to a method of Boltsman kinetic equation non-equilibrium statistics of charge carriers vapour is discussed. Some important thermodynamic and kinetic properties of crystals with arbitrary law of dispersion are calculated.Item Дослідження форми полімерних плоскоопуклих мікролінз(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Лаба, Г. П.; Бобицький, Я. В.; Максименко, О. П.Подано наочний метод оцінки форми мікролінз, виготовлених полімеризацією лежачої краплини фоточутливої композиції. Розраховано відхилення виготовлених зразків від заданої кривизни. In this paper the method for estimation of shape of microlenses formed by polymerization of sessile drop of photosensitive composition is considered. Curvature deviation of formed samples from specific curvature is calculated.Item Електрооптика подвійних РК структур(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Микитюк, З. М.; Нуцковський, М. С.; Сушинський, О. Є.; Черпак, В. В.Запропоновано новий метод створення рідкокристалічного модулятора для потужного лазерного випромінювання. Як активне середовище використані рідкокристалічні суміші на основі нематичної матриці – сильнополярних сумішей ціано- та оксиціанобіфенілів з низькою концентрацією оптично активної домішки. Досліджували частотно-модуляційні характеристики і часові параметри подвійної структури рідкокористалічного модулятора при зміні температури. Здійснено аналіз модуляційних характеристик в залежності від кроку холестеричної спіралі та амплітуди керуючого сигналу. Для суміші з 2 ваговими процентами оптичноактивної домішки з глибиною модуляції 90…93 проценти була створена рідкокристалічна комірка завтовшки 25 мкм. Потужність лазерного випромінювання становила 300 мВт, довжина хвилі 1,15 мкм. The new method of creation of liquid crystal modulators of high-powered laser radiation on the base of cholesteric-nematic phase transition is proposed. The liquid crystal materials on the base of nematic matrices – strong polar mixtures of ciano- and oxycianobipheniles with a low concentration of optical active dopant were as a modulating medium. The frequency – modulation characteristics and time parameters of double layer LC modulators their change with a temperature action are studied. The analysis of modulation characteristics depending on cholesteric helix pitch and control signal amplitude is carried out. For the mixtures with 2 percent by weight of optical dopant the modulation depth value of 90 … 93 percent was obtained for liquid crystal layer thickness of 25 μm and laser radiation power of 300 mW for wavelength 1,15 μm.Item Електрооптичне частотно-амплітудне перетворення сигналів(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Микитюк, З. М.; Фечан, А. В.; Семенова, Ю. В.; Іваницький, В. Г.Розглянуто принцип побудови елементів оптоелектроніки, зокрема запропоновано метод керування пристроями такого типу. Увага приділена розробленню приладів оптоелектроніки з використанням рідких кристалів як активного середовища і дослідженню ефектів, на основі яких працює прилад. Запропоновано та розраховано RC-модель модулятора для амплітудної модуляції світла частотно-модульованим електричним сигналом. Дослідження проводили на немато-холестеричних сумішах з додатною діелектричною анізотропією. Здійснено порівняння характеристик приладу на основі твіст-ефекту і холестерико-нематичному переході. Зняті експериментальні залежності оптичного пропускання РК-комірки (активного елемента модулятора). The principle of optoelectronic elements creation is considered. The method such devices controlling is suggested. The main point of this article is optoelectronic devices modelling by using liquid crystals as a active medium and effects, which use in such devices are investigated. Modulator RC-model for amplitude light modulation by modulated electric signal is propoused. Investigation was carried out on nematiccholesteric mixtures with positive dielectric anithotrophy. Performance of devices the base on twist and cholesteric-nematic transition effects was compared. Experimental response of LC-cell’s optic transition (active modulator element) was measured.Item Електропровідність і теплопровідність у низькорозмірних квазідвовимірних електронних системах(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Венгрин, Б. Я.; Костробій, П. П.; Петров, П. П.Розглянуто задачу про визначення термоелектричних властивостей системи квазідвовимірних електронів у квантових ямах на основі вузькощілинних напівпровідників типу IV VI A B . Подано результати розрахунків залежності питомої електропровідності і теплопровідності від концентрації електронів у квантовій ямі. Показано, що системи квазідвовимірних електронів мають особливості як у провідності, так і у термоелектричних властивостях. The problem of determination of thermoelectric properties of systems of quasitwo dimensional electrons in quantum wells on the base of IV-Vi narrow-gap semiconductors is considered. Dependendencies of specific electroconductivity and thermoconductivity on electron concentration in quantum well are presented. It was shown, that the system of quasi-two dimensional electrons have particularities both in conductivity and in thermoelectric properties.Item Еліпсометричні дослідження поверхонь кристалів GaAs i CdTe опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазону(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Данилов, А. Б.; Кособуцький, П. С.; Прокопчук, О. Л.Досліджено зміну оптичних сталих та товщин модифікованих шарів на поверхнях кристалів GaAs та CdTe, опромінених потужним ІЧ-лазером. Проведено аналіз поверхневої плівки з метою підбору адекватної моделі для розв’язання прямої та оберненої задач еліпсометрії. Отримано мікрофотографії поверхонь опромінених кристалів, та знято спектри ІЧ-пропускання. В результаті розв’язання оберненої задачі визначено величини показників заломлення поверхневих плівок та їх товщини в радіальному напрямі від центра лазерної плями. In the present paper the study of changes in the values of optical constants and thicknesses of modificated layers at GaAs and CdTe crystal surfaces, irradiated by powerful IR-laser was carried out. The analysis of surface films with the aim of suitable model selection to solve the direct and inverse problems of ellipsometry was performed. Microphotos of irradiated crystal surfaces were received and IR-spectra measured. As a result of inverse problem solution the values of surface film refraction indices as well as film thicknesses in radial direction from the center of laser spot were determined.Item Зміст до вісника "Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки" № 393(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000)Item Лінеаризація характеристики перетворення магнітокерованих інтегральних схем(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Лопатинський, І. Є.Подано результати розроблення і дослідження універсального перетворювача як частини однокристальної магніточутливої інтегральної схеми, який забезпечує ефективну і методологічно просту лінеаризацію характеристики перетворення інтегральних багатоколекторних магнітотранзисторів. Мінімальні структурні затрати та робота з уніполярними низьковольтними джерелами живлення є основними вимогами до розробки перетворювача. Принциповою особливістю пропонованого елемента інтегральної схеми є одночасна лінеаризація диференційного струмового сигналу по двох виходах без його перетворення в синфазний сигнал. The design and investigation of universal converter as a part of on-chip magnetosensitive integrated circuit which provides effective and metofologically simple linearisation of transduction characteristic of integrated multi-collector are presented at this paper. Minimal structural expenditure and operation with unipolar low-voltage supply sources are the important demands of design. The principal peculiarity of the proposed unit is simultaneous linearisation of differential current signal on two output without intermediate conversion to single-phase signal.Item Масоперенос Селеніду Цинку у квазізакритій системі(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Білинський, Ю. М.; Дубельт, С. П.; Лобойко, В. І.; Логуш, О. І.Розглянуто можливі механізми масопереносу при сублімації ZnSe у квазізакритій системі в температурному діапазоні 1100…1400 К, який є оптимальним для вирощування полікристалічних зразків високої прозорості. Показано, що переважаючим є перенесення речовини газодинамічним потоком, і визначальний вплив на його величину та властивості вирощених кристалів має температура зони джерела. Possible mechanisms of mass transport attached to ZnSe sublimation in quasi closed system for temperature diapason 1100…1400 K. This temperature region is optimum for the growth of the polio crystal samples of high transparency. Shown, the prevalence of the gas stream transport and the dominant influence of the vaporization temperature on the on the properties of the samples.