Електроніка. – 2000. – №397
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8444
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати широкого спектра науково-технічних досліджень з експериментально-технологічних, теоретичних та методологічних проблем напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла та рідких кристалів, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електроніки. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Державного університету «Львівська політехніка» «ЕЛЕКТРОНІКА» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень; У віснику «ЕЛЕКТРОНІКА» публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друку- ються українською мовою.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Державний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Державного університету «Львівська політехніка», 2000. – № 397 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 150 с. : іл.
Browse
Item Вплив іонізуючого випромінювання та температурних обробок на оптичні властивості кристалів YAlO3 та LiNbO3, легованих іонами d- та f-елементів(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Жидачевський, Я. А.; Матковський, А. О.; Сугак, Д. Ю.; Савицький, Д. І.; Сольський, І. М.; Лутц, Г.; Працка, І.У статті представлені результати дослідження впливу гамма-опромінення та температурних обробок в окислюючій та відновлюючій атмосферах на оптичні властивості кристалів YAlO3 та LiNbO3. З’ясовується роль домішкових іонів (Nd, Er, Tm, Ho, Yb, Dy, Pr, Ce, Mn, Fe, Cr, Mg, Ca) в радіаційно- і термоіндукованих змінах оптичного поглинання досліджуваних кристалів. The paper presents the investigation results on influence of gamma irradiation and temperature treatments in oxidizing and reducing atmospheres on optical properties of YAlO3 and LiNbO3 crystals. The role of impurity ions (Nd, Er, Tm, Ho, Yb, Dy, Pr, Ce, Mn, Fe, Cr, Mg, Ca) in radiation and thermal induced changes of optical absorption of the crystals is studied.Item Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Круковський, С. І.; Завербний, І. Р.Досліджено електрофізичні властивості шарів GaAs та твердих розчинів AlxGa1-xAs, отриманих із галієвих розплавів методом низькотемпературної рідиннофазної епітаксії при температурах 630…580 °С. Показано, що подвійне легування галієвих розплавів ітербієм від 2⋅10-3 до 1,2⋅10-2 ат.% та алюмінієм більше 6,5⋅10-3 ат.% дозволяє отримати епітаксійні шари GaAs з питомим опором до 105 Ом⋅см. Тверді розчини Al0,05Ga0,95As кристалізовані із розплавів галію з концентрацією Yb 1,4⋅10-2 ат%, характеризуються найвищою рухливістю ≈3⋅104 см2/(В⋅с) (300 К).OBTAINING HIGH-RESISTANCE GaAs, AlGaAs LAYERS BY MEANS OF LAW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY, by Krukovsky S.I., Zaverbny I.R., Е-mail: granat@carat.lviv.ua. Electrophysical properties are investigated of GaAs layers and AlxGa1-xAs solid solutions obtained from gallium melts by means of lawtemperature liquid-phase epitaxy at the temperatures of 630…580 °С. It was shown that double doping of the gallium melts by (2⋅10-3-1.2⋅10-2) at.% ytterbium and by 6.5⋅10-3 at.% aluminum allows obtaining GaAs epitaxial layers with resistivity up to 105 Ohm⋅cm. The highest mobility of ≈3⋅104 cm 2 /V⋅s (300 К) was observed in Al0,05Ga0,95As solid solutions crystallized from gallium melts with Yb concentration of 1,4⋅10-2 at.%.Item Титульний аркуш до Вісника "Електроніка"(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000)Item Плівкові сенсори для вимірювання температури і теплового потоку(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Готра, О. З.; Стадник, Б. І.; Тимчишин, М. В.Розроблено мініатюрні сенсори температури і теплового потоку на основі тонких плівок AgCuSe (n-тип) і Ag0,4Cu1,6Se (p-тип), який забезпечує вимірювання температури в діапазоні 300…410 К і теплового потоку в діапазоні 10-10…103 Вт, інерційність сенсора 0,7–2,5 с. Miniature temperature and thermal flow sensors based on AgCuSe (n-type) and Ag0,4Cu1,6Se (p-type) thin films that provide the measurement of temperature in the range of 300…410 К and thermal flow in the range of 10-10…103 W, sensor inertiality of 0,7–2,5 s are elaborated.Item Нестійкості формування локально розплавлених областей на поверхні напівпровідників у зонах дії лазерних імпульсів(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Бончик, О. Ю.; Дацко, Б. Й.; Демчук, В. І.; Кияк, С. Г.; Паливода, І. П.; Шнир, А. Ф.Встановлені такі особливості нагрівання напівпровідників під дією імпульсів лазерного випромінювання мілісекундного і секундного діапазонів: (i) в електронно-дірковій плазмі, генерованій лазерним випромінюванням, може відбуватись спонтанне розшарування температури кристалічної ґратки і концентрації носіїв заряду. При цьому виникає додатний зворотний зв’язок між температурою кристалічної ґратки і концентрацією носіїв заряду в області їх флуктуації, який призводить не тільки до підсилення початкових флуктуацій температури, але й до формування в напівпровідниках квазіперіодичних температурних полів великої амплітуди. Неоднорідні температурні поля визначають особливості процесів плавлення, кристалізації і формування рельєфу поверхні напівпровідників в зонах дії лазерного випромінювання; (ii) при дії однорідного лазерного випромінювання з допороговою потужністю (нижчою від значення густини світлового потоку, при якому відбувається однорідне плавлення поверхневого шару напівпровідника) на поверхні кристалів формуються локально розплавлені області. Форма локально розплавлених областей однозначно пов’язана з кристалографічною орієнтацією поверхні напівпровідника. Laser modifications of semiconductors is often performed by pulsed rapid melting and subsequent resolidification. Recently melt instabilities have been found witch result in local melting of semiconductor surfaces. We determined that a spontaneous segregation of a uniform state of temperature of a crystal lattice and charge carrier concentration can take place in electron-hole plasma, generated by laser radiation. Besides, there exists a positive opposite connection between the temperature of a crystal lattice and charge carrier concentration in the region of their fluctuation. It causes both amplification of original fluctuations of temperature and generation of Lviv Polytechnic quasi-periodic temperature fields of large amplitude in semiconductors. The nonuniform temperature fields determine the features of the surface relief formation in the zone of the laser radiation action.Item Вплив домішки Au на властивості мікрокристалів InSb, отриманих за методом хемічних транспортних реакцій(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Мельник, І. І.; Московець, Т. А.; Скульський, М. Ю.Дослідженням отриманих за методом хемічних транспортних реакцій ниткоподібних кристалів InSb встановлено вплив домішки Au на інтенсивність та геометричні форми зростання мікрокристалів. Показано, що характер електричної поведінки цієї домішки в InSb залежить від умов легування. При моноатомному легуванні Au поводиться як донор. Під час комплексного легування InSb оловом та золотом останнє призводить до зменшення концентрації електронів та розкиду електрофізичних параметрів по довжині мікрокристалів більше ніж у два рази. Au DOPING INFLUENCE UPON PROPERTIES OF InSb MICROCRYSTALS OBTAINED BY MEANS OF CHEMICAL TRANSPORT REACTIONS, by Melnyk I., Moskovets T., Skulsky M. The InSb whiskers were obtained by means of chemical transport reactions. Carried out investigations defined Au-dopant influence upon intensity and geometrical shape of the microcrystals. It was approved that electric behaviour type of this impurity in InSb depends on the doping conditions. Au acts as donor at the monoatomic doping. Under the complex doping of InSb with tin and gold the last impurity leads to electron concentration decrase and more than 2 times reduces spread in electrophysical parameters with respect to the microcrystal length.Item Зміна енергії локалізованих електронних станів кристала з дислокацією під дією електричного поля(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Баран, М. М.; Пелещак, Р. М.У межах електрон-деформаційної моделі показано, що енергія локалізованих електронних станів кристала з крайовою дислокацією зі зростанням електричного поля зростає у випадку, коли вектор напруженості електричного поля ε збігається з напрямком електрон-деформаційного дипольного моменту Pel-d. У разі коли напрямки ε і Pel-d не збігаються, існує протилежний ефект. In the framework of electron-deformation model it is shown, that the energy of localized electron states in crystal with edge dislocation increases with the growth of electric field in the case that directions of electric field vector ε and vector of electrondeformation dipole moment Pel-d coincide. Opposite effect takes place if these vectors do not coincide.Item Процеси термоелектричних явищ у квазідвовимірних електронних системах на основі квантових ям(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Венгрин, Б. Я.; Костробій, П. П.; Петров, П. П.Наведено результати розрахунків залежності питомої електропровідності і теплопровідності від концентрації розсіювальних центрів у напівпровідниковій квантовій ямі. Показано, що електропровідність і теплопровідність системи квазідвовимірних електронів монотонно зменшуються зі зростанням концентрації розсіювальних центрів. The results of calculations of dependences specific electroconductivity and thermoconductivity on concentration of scattering centers in quantum well are presented. It was shown, that the electroconductivity and the thermoconductivity of system of quasi two-dimensional electrons decrease monotonously with the increase of concentration of scattering centers.Item Ефект п’єзо-зеєбека в кремнії р-типу(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.Представлені результати експериментальних досліджень ефекту Зеєбека під впливом деформації в кремнії р-типу. Леговані бором кремнієві мікрокристали вирощені з газової фази в поздовжньому [111] напрямку були використані для вимірювань як модельний матеріал. Отримане значення 40...50 поздовжнього коефіцієнта еласто-Зеєбека для кристалів кремнію р-типу з питомим опором ρ≈ 0,02 Ω×cm добре узгоджується з теоретичними оцінками. Порівняно ефект п’єзо-Зеєбека і п’єзорезистивний ефект для цих кристалів. Значення коефiцiєнта п'єзо-Зеєбека (еласто-Зеєбека) є в два рази меншим, нiж поздовжнiй коефіцієнт п'єзоопору (еластоопору) в цих кристалах. The results of experimental investigation of Seebeck effect under strain in p-type silicon are presented. Boron doped silicon microcrystals grown from the vapour phase with the longitudinal [111] crystallographic axes were used for measurements as a model material. The obtained value 40...50 of the longitudinal elasto-Seebeck coefficient for p-type Si crystals with ρ≈ 0,02 Ω×cm is in a good agreement with theoretical estimation. The comparison of piezo-Seebeck effect and piezoresistance effect in these crystals is carried out. The value of longitudinal piezo-Seebeck (elasto-Seebeck) coefficient is approximetely two times smaller,than the longitudinal piezoresistance coefficient (elastoresistance) in these crystals.Item Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Яковина, В. С.; Нікіфоров, Ю. М.; Берченко, М. М.Об'ємні монокристали Hg0.8Cd0.2Te n-типу обробляли лазерно-індукованими ударними хвилями (ЛУХ) без термічного впливу. Показано, що зміни концентрації носіїв заряду становлять до 120 %, а їх рухливості до 45 % від вихідної. Пропонується пояснення цих змін взаємною дією трьох механізмів взаємодії ЛУХ з дефектною підсистемою кристалів Hg1-XCdXTe. Bulk n- Hg0.8Cd0.2Te samples were treated using laser induced shock waves (LSW) without thermal effects. It is shown that the carrier density changes up to 120 % and their mobility changes up to 45 %. Three mechanisms of interaction between LSW and bulk Hg1-XCdXTe defect subsystem are given.Item Елементи теорії термодинамічних та кінетичних властивостей матеріалів(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Буджак, Я. С.; Готра, О. З.; Лопатинський, І. Є.У роботі обґрунтовані розрахункові алгоритми важливих термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів з довільними законами дисперсії та довільними механізмами розсіювання носіїв заряду в омічній області провідності і в неквантуючому магнітному полі. The calculating algorithms of important thermodynamic and kinetic properties of crystals with arbitrary dispersion laws and arbitrary mechanisms of scattering of charge carriers in ohmic conductivity range and in non-quantumed magnetic field are considered in this paper.Item Термодинамічні величини сильновиродженого електронного газу у шаруватих напівпровідниках(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Товстюк, К. К.Розраховано термодинамічні величини сильновиродженого електронного газу в шаруватих кристалах (ШК) із врахуванням особливостей одночастинкового спектра. Отримано залежності термодинамічного потенціалу, ентропії, рівняння для визначення хімпотенціалу, які порівнюються з аналогічними виразами у кристалах з параболічною дисперсією. Показано, що температурна залежність розрахованих величин у ШК узгоджується із відомими для кристалів із парабоолічною дисперсією, в той час як параметри одночастинкового спектра та хімпотенціал визначаються зовсім іншими функціональними залежностями. The thermodynamic functions are calculated for the quantum electron gas in layered crystals, using the specification features of a one-partiсal spectrum there. The dependence of the rmodynamic potential, entropy, as well as the equation for Fermi level definition are found out and compared to similar expressions in isotropic crystals. Shown, that the temperature dependence of the designed expressions in LC are in agreement with the same ones for isotropic crystals, while parameters of an onepartical spectrum and Fermi level are defined by other functional dependence.Item Розсіювання світла на конфокальних доменах в індукованих холестериках(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Микитюк, З. М.; Сушинський, О. Є.; Черпак, В. В.; Іваницький, В. Г.Досліджено розсіювання світла на конфокальних доменах індукованих холестериків під час холестерико-нематичного переходу. Представлена фізична модель зразка індукованого холестерика при накладанні електричного поля. Показано характер зміни доменної структури та вплив розмірів доменів на інтенсивність розсіювання. Експериментальні результати добре узгоджуються з математичною моделлю на основі теорії Релея-Ганса. The light scattering on confocal domains of induced cholesterics in process of cholestreric-nematic transition was investigated. The physical model of induced cholesterics under the action of electric field was proposed. The transformations of domain structure and influence of domain size on scattering intensity was shown. The experimental results are in a good agreement with mathematical model based on theory Reley-Gans.Item Полімерні плоско-опуклі мікролінзи(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Бобицький, Я. В.; Лаба, Г. П.Розглянуто чинники, які впливають на форму полімерних плоско-опуклих мікролінз, виготовлених за допомогою полімеризації краплини рідкої фоточутливої композиції, яка лежить на твердій горизонтальній підкладці. Встановлено відхилення від сферичності кривизни контуру двовимірних проекцій мікролінз. Представлено схему обробки растрових файлів із зображеннями мікролінз в пакеті Mathcad. Factors having influence on shape of polymer plane-convex microlenses created by polymerization of drops of liquid photosensitive composition, laying on solid horizontal substrate are considered. Deviations from spherical curvature of profile of two-dimensional of projection microlenses are stipulated. Scheme of raster files proceeding with microlenses image using Mathcad is shown.Item Підвищення якості зображень в радіолокаційних системах з синтезованою апертурою(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Клепфер, Є.; Прудиус, І.; Синявський, А.У статті запропоновано підхід до реконструкції радіолокаційних зображень, отриманих радіолокаційною системою з синтезованою апертурою. На основі розробленої моделі процесів формування зображення в таких системах, задачу реконструкції коректно представлено розв'язком двовимірного інтегрального рівняння. Охарактеризовано причину спотворень на радіолокаційних зображеннях. Досліджено залежність характеру цих спотворень від координат. На підставі введеного припущення про локальну інваріантність функції розсіювання точки представлено можливість ефективної реконструкції функції розсіюючої здатності за отриманим радіолокаційним зображенням. The approach for reconstruction of radar images obtained by the synthetic aperture radar system is proposed in the paper. On basis of our elaborated model of image formation processes in the systems the reconstruction problem was correctly established as two-dimensional integral equation solving. The cause of distortions on the radar images was specified. The coordinate dependence of the distortions was investigated. The efficient restoration possibility of scattered ability from obtained radar image was presented taking into account of the assumption about local invariance of point spread function.Item Зміст до до Вісника "Електроніка"(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000)Item Дослідження та аналіз стабільності інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Максимів, І. В.Розглянуто результати розробки інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги на принципі формування напруги, яка числово дорівнює ширині забороненої зони кремнію. Проведено дослідження та аналіз стабільності дже- рела при зміні температури та напруги живлення. Results of development are discussed concerning the low-level reference voltage source based on the principle of forming a potential equivalent to the silicon bandgap width. Investigations are performed and analysis is carried out at changing temperature and supply voltage.Item Експериментальне дослідження і моделювання струмових імпульсів від’ємної корони у потоці аргону та азоту із електровід’ємними домішками(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Чигінь, В. І.Експериментально досліджені особливості пульсуючої від'ємної корони в потоках аргону та азоту із домішкою кисню в області об’ємних концентрацій від 2⋅10-3 до 21%. Виміряно залежності основних параметрів імпульсів від концентрації і швидкості газу при атмосферному тиску. Проведенo детальне моделювання нерівноважних процесів у розряді на основі розв'язання рівнянь неперервності для зарядів і рівняння Пуассона для електричного поля. Вперше отримано числово вторинні осциляції струму корони, пояснено їх природу і двоякий характер залежностей частоти основних імпульсів від концентрації електровід’ємних домішок. Experimental investigation and modeling of negative corona current pulses in flow of argon and nytrogen with electronegative admixtures, by Chyhin V. The experimental investigations of the negative pulsing corona features in flow of argon and nitrogen with oxygen admixture (2⋅10-3…21 %) have been carried out. There were measured the dependences of the main pulse parameters on the concentration and gas velocity at an ambient pressure. The detailed simulations of the unequilibrium processes in the corona discharge using the solutions of continuity equations for charges and the Poisson’s equation for electric field have been performed. For the first time the numerical model of the current pulse secondary oscillations has been obtained, their nature and the double character of main corona pulse frequence dependences on the electronegative admixture concentration has been explained.Item Особливості вирощування мікрокристалів GaAs під впливом домішки гадолінію(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Заячук, Д. М.; Рибак, В. М.; Рибак, О. В.Досліджена взаємодія трийодиду гадолінію з As і GaAs, яка значною мірою визначає процеси зростання мікрокристалів GaAs методом хімічних транспортних реакцій в йодидних системах під впливом домішки гадолінію. Показано, що масоперенос GdI3 з зони джерела в зону кристалізації носить активаційний характер. Визначена енергія активації процесу, яка виявилась такою, що дорівнює (0,60 ± 0,015) еВ. Показано, що до температури 1 100 оС GdI3 не взаємодіє з еле- ментарним As, але взаємодіє з GaAs. Така взаємодія стимулює зростання мікро-кристалів GaAs і впливає на стан їх поверхні. Виявлено, що збільшення концентрації домішки Gd в джерелі для вирощування мікрокристалів GaAs спричиняє зростання концентрації вільних електронів у них. Експериментально визначено діапазон концентрацій домішки Gd, оптимальних для вирощування мікро-кристалів GaAs у вигляді прямокутних пластин і стрічок. The interaction of GdI3 with As and GaAs that determines to a considerable extent the growth processes of GaAs by chemical transport reaction method under influence of gadolinium impurity is investigated. It is shown that the GdI3 mass carry from source zone to crystallization one has activation character. The energy of the activation process is determined. It is equal to (0.60 ± 0.015) eV. It is shown that GdI3 does not interact with elementary As to temperature 1 100 oC, but it interacts with GaAs. Such interaction stimulates the GaAs microcrystals growth and influences on the state of their surface. It is found out that increasing of Gd impurity concentration in source for CaAs microcrystals growing causes increasing of free electron concentration. The range of Gd impurity concentration, which is optimal for CaAs microcrystals growing as right-angled plate or tape, is determined by experiment.Item Товстоплiвковi конденсатори на iзоляцiйних пастах(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Смеркло, Л.; Дячок, Д.; Кучмій, Г.Розглянуто дослідження та виготовлення товстоплівкових конденсаторів на ізоляційних пастах взамін конденсаторних паст з метою підвищення робочої напруги. The problem of investigation and production of thick-film capacitors on isolative pastes instead of capacitive pastes was considerend with the aim of operational voltage increase.