Електроніка. – 2000. – №397

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8444

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати широкого спектра науково-технічних досліджень з експериментально-технологічних, теоретичних та методологічних проблем напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла та рідких кристалів, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електроніки. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Державного університету «Львівська політехніка» «ЕЛЕКТРОНІКА» охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень; У віснику «ЕЛЕКТРОНІКА» публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи друку- ються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Державний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Державного університету «Львівська політехніка», 2000. – № 397 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 150 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)
    (Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Яковина, В. С.; Нікіфоров, Ю. М.; Берченко, М. М.
    Об'ємні монокристали Hg0.8Cd0.2Te n-типу обробляли лазерно-індукованими ударними хвилями (ЛУХ) без термічного впливу. Показано, що зміни концентрації носіїв заряду становлять до 120 %, а їх рухливості до 45 % від вихідної. Пропонується пояснення цих змін взаємною дією трьох механізмів взаємодії ЛУХ з дефектною підсистемою кристалів Hg1-XCdXTe. Bulk n- Hg0.8Cd0.2Te samples were treated using laser induced shock waves (LSW) without thermal effects. It is shown that the carrier density changes up to 120 % and their mobility changes up to 45 %. Three mechanisms of interaction between LSW and bulk Hg1-XCdXTe defect subsystem are given.