Електроніка. – 2002. – №459

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42669

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

Вісник присвячений 40-річному ювілею кафедри напівпровідникової електроніки Націо­нального університету “Львівська політехніка”. Опубліковані оглядові роботи, які відображають основні напрямки наукових досліджень кафедри-ювіляра та досягнуті у цих напрямах результатах. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Національного університету “Львівська політехніка” “ЕЛЕКТРОНІКА” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “ЕЛЕКТРОНІКА” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких йнших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2002. – № 459 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 208 с. : іл.

Browse

Filters

20021

Settings

Author: search.filters.author.Матковський, А.

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Радіаційно-індуктовані дефекти в лазерних кристалах на основі Gd3Ga5O12
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Матковський, А.; Сугак, Д.; Убізський, С.; Потера, П.; Сольський, І.; Григорьева, Л.; Міллер, Д.; Панкратов, В.; Сухоцький, А.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут матеріалів НВП “Карат”; Інститут фізики Жешувського університету; Інститут фізики твердого тіла Латвійського університету; Інститут фізики ПАН
    Досліджено стабільні центри забарвлення (ЦЗ), що виникають у кристалах ГГГ під впливом опромінення гамма-квантами (? = 1,25 Мев, поглинуті дози до 2*10 Гр), та короткоживучі ЦЗ, створені імпульсним електронним пучком (? =12 2= 250 КеВ, тривалість імпульсу 10 нс, флюенс 10 см"). Показано, що при даних режимах опромінення зміни оптичних властивостей ГГГ зумовлені радіаційним перезарядженням генетичних дефектів кристалів. На основі вивчення спектрів поглинання неопромінених та опромінених зразків ГГГ встановлено залежність між станом дефектної підсистеми свіжовирощених кристалів та типами центрів забарвлення, що індуковані радіацією. Запропоновано моделі стабільних та короткоживучих ЦЗ в кристалах ГГГ. Оцінено вплив індукованих радіацією ЦЗ на зміну генераційних властивостей монокристалів ГГГ :Nd. Stable color centers (CC), which appear in the GGG-crystals under the influence of the gamma-quanta irradiation (? = 1,25 MeV, absorbed dose less then 2*10 Gy), and transient CC, created by the impulse beam of electrons (?=250 KeV, duration of 12 2 the pulse 10 ns, fluence 10 cm ) were investigated in this work. It is shown, that the changes of the GGG optical properties at those irradiation conditions are connected with the recharge of the genetic defects of crystals. The radiation induced CC types depend on the state of the defect subsystem of as-grown crystals as it was established on the base of the absorption spectra studying. The models of the stable and transient CC in GGG crystals were proposed. The influence of the radiation induced CC on the GGG: Nd crystal lasing properties was estimated.