Особливості двостороннього хіміко-механічного полірування (ХМП) пластин кремнію - Завербний, І. Р.; Кузьо, Г. Д.; Чегіль, І. І.; Гринь, Г. В.; Лаушник, Г. Ф. (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001)
У роботі наведені результати експериментальних досліджень впливу факторів технологічного процесу двостороннього ХМП пластин кремнію орієнтації (111) і (100) n і p-типу на якість поверхні. Показано, що режимом глибокого окислення та пониженого тиску декорується дефектна структура пластин. Some results of experimental investigetion how quality of silicon plates of n and p-type with (111) and (100) orientation depends from CMP technology parameters. It was demonstrated that the deep oxydition and low pressure region decorates the defect structure of the plates.
Aspects of two side chemical-mecanical polishing (CMP) for silicon plates
Keywords: 621.3.049.77.002.5-187.4