Завербний, І. Р.Кузьо, Г. Д.Чегіль, І. І.Гринь, Г. В.Лаушник, Г. Ф.2018-09-192018-09-192001Особливості двостороннього хіміко-механічного полірування (ХМП) пластин кремнію / І. Р. Завербний, Г. Д. Кузьо, І. І. Чегіль, Г. В. Гринь, Г. Ф. Лаушник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 68–72. – Бібліографія: 7 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42657У роботі наведені результати експериментальних досліджень впливу факторів технологічного процесу двостороннього ХМП пластин кремнію орієнтації (111) і (100) n і p-типу на якість поверхні. Показано, що режимом глибокого окислення та пониженого тиску декорується дефектна структура пластин. Some results of experimental investigetion how quality of silicon plates of n and p-type with (111) and (100) orientation depends from CMP technology parameters. It was demonstrated that the deep oxydition and low pressure region decorates the defect structure of the plates.ukArticle© Завербний І. Р., Кузьо Г. Д., Чегіль І. І., Гринь Г. В., Лаушник Г. Ф., 200168–72621.3.049.77.002.5-187.4