Малик, О. П.Кеньо, Г. В.2011-10-132011-10-132011Малик О. П. Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN / О. П. Малик, Г. В. Кеньо // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2011. – № 696 : Фізико-математичні науки. – С. 136–140. – Бібліографія: 26 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/10298Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated.uaявища переносурозсіяння носіїв зарядунітрид галіюtransport phenomenacharge carrier scatteringgallium nitrideявление переносарассеяние носителей заряданитрид галияArticle