Кость, Я. Я.Макідо, О. Ю.Стецко, Р. М.Швець, О. В.Штабалюк, А. П.Шуригін, Ф. М.2012-02-232012-02-232011Термодинамічний аналіз газової фази системи Ge<In>-I2 / Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. М. Стецко, О. В. Швець, А. П. Штабалюк, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 115–120. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11544Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів германію, легованих акцепторною домішкою індію. Проведено термодинамічний аналіз складу газової фази хімічних сполук, що утворюються у результаті взаємодії напівпровідникових матеріалів Ge та In з транспортним реагентом I2. Оцінена ефективність перебігу хімічних реакцій у системі за заданих умов та визначені оптимальні температури вирощування мікрокристалів. The model of gas phase for undoped germanium microcrystals doped with indium acceptor impurity was presented. Thermodynamic analysis of chemical compounds’ gas phase formed as a result of the interaction of semiconductor materials Ge and In with the transport reagent I2 was accomplished. The effectiveness of chemical reactions running in the system under given conditions was estimated and the optimal temperatures for microcrystals growing were determined.uaгерманійіндіймікрокристалихімічні транспортні реакціїтермодинамічний аналізindiumgermaniummicrocrystalschemical transport reactionsthermodynamic analysisArticle