Kudryashov, D.Gudovskikh, A.Zelentsov, K.2012-10-102012-10-102012Kudryashov D. Indium Tin Oxide films grown at room temperature by RF-magnetron sputtering in oxygen-free environment / D. Kudryashov, A. Gudovskikh, K. Zelentsov // Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 61–62. – Bibliography: 4 titles.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/15151Indium Tin Oxide (ITO) thin films were grown at room temperature (RT) in oxygen-free environment by rfmagnetron sputtering on glass and Si(100)-substrates. The effects of argon pressure, sputtering power and film thickness on the electrical and optical properties of ITO films were investigated. For a 100 nm thick ITO films grown at RT in argon pressure 1.95·10-3 mbar and sputtering power of 50 W, the transmittance was near 90% at 500 nm and sheet resistance was 50 Ohm/sq. It has been shown that the sputtering power plays an important role in electric properties of ITO films. SEM images of these samples show smooth surface with sharp substrate/ITO interface.enrf-magnetron sputteringIndium Tin Oxide (ITO)Oxygen-freetransmittanceSEMArticle