Курило, І. В.Рудий, І. О.Лопатинський, І. Є.Фружинський, М. С.Вірт, І. С.Шкумбатюк, Т. П.2010-06-172010-06-172007Структура та електричні властивості тонких плівок Bi2Te3, Sb2Te3 та надструктур Bi2Te3 / Sb2Te3, отриманих імпульсним лазерним осадженням / І. В. Курило, І. О. Рудий, І. Є. Лопатинський, М. С. Фружинський, І. С. Вірт, Т. П. Шкумбатюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 592 : Електроніка. – С. 115–121. – Бібліографія: 10 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/5352Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та надрешітки Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм. рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Досліджено структуру об’ємного матеріалу мішеней за допомогою методу рентгенівської дифрактометрії. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and superlattices structures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5 Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of bulk materials of target was investigated by X-ray diffraction method. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K.uaструктураелектричні властивостіімпульсне лазерне осадженнятонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3Article