Невзоров, В. В.Смеркло, Л. М.Дорош, Н. В.2018-03-122018-03-122002Невзоров В. В.Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло, Н. В. Дорош // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 87–90. – Бібліографія: 5 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39592Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.ukArticleНевзоров В. В., Смеркло Л. М., Дорош Н. В., 200287-90621.382.323