Сльотов, М. М.Герман, І. І.Сльотов, О. М.2014-03-202014-03-202013Сльотов М. М. Вплив ізовалентної домішки Са на властивості ІІ-VI сполук / М. М. Сльотов, І. І. Герман, О. М. Сльотов // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 92–94. – Бібліографія: 3 назви.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24002Досліджено вплив ізовалентної домішки кальцію на електричні та оптичні властивості шарів CdTe, ZnSe. Показано, що домішка Ca спричиняє інверсію електронної провідності та утворення фоточутливих p-n-переходів. Оптичні та люмінесцентні властивості свідчать про формування генераційно-рекомбінаційних процесів у крайовій області. The effect of Ca isovalent impurity on electrical and optical properties of CdTe, ZnSe layers is studied. It is shown that Ca impurity causes an inversion in electronic conductivity and formation of photosensitive p-n-junctions. Optical and luminescence properties show the presence of generation-recombination processes in near band range.uaселенід цинкутелурид кадміюізовалентна домішкаінверсія провідностікрайова люмінесценціяzinc selenidecadmium tellurideisovalent impurityconductivity inversionnear band luminescenceArticle