Іжнін, І. І.2012-02-092012-02-092000Іжнін І. І. Легкі дірки в CdxHg1-xTe / І. І. Іжнін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 121–126. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11426У роботі експериментально визначено параметри важких та легких дірок (концентрацію та рухливість) в однорідних зразках р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) на основі дослідження польових залежностей коефіцієнта Холла та порівняно з результатами теоретичних розрахунків концентрацій на основі сучасних уявлень про параметри матеріалу. Отримані дані про параметри легких дірок дають можливість врахувати вплив цих носіїв на явища переносу в багатошарових структурах на основі CdxHg1-xTe. The parameters of heavy and light holes (concentration and mobility) for homogeneous samples of р-CdxHg1-xTe (х=0,2-0,23) were determined from investigation of the Hall coefficient field dependencies. These data have been compared with results of theoretical computations based on the modern knowledge of the material’s parameters.uaArticle