Cиротюк, С. В.Швед, В. М.2014-03-242014-03-242010Cиротюк С. В. Електронні властивості алмазу з домішкою нікелю / С. В. Cиротюк, В. М. Швед // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 184–190. – Бібліографія: 6 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24060Розраховані густини електронних станів кристала алмазу та кристала алмазу з домішкою нікелю. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого нікелем кристала алмазу показує, що завдяки домішці нікелю вище від стелі валентної зони з’являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Алмаз з домішкою нікелю стає напівпровідником з рівнями акцепторного типу. The densities of states of diamond crystal with nickel impurity have been evaluated. The comparison of the state densities for pure crystal and for crystal with impurity shows that the hybridized states of p- and d-symmetry appear above the top of the valence band. Diamond with nickel impurity becomes the semiconductor with impurity levels of acceptor type.uaпарціальна густина електронних станівповна густина електронних станівгібридизовані енергетичні станиpartial density of statestotal density of stateshybridized statesArticle