Ваків, М. М.Круковський, Р. С.2014-03-202014-03-202013Ваків М. М. Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 98–101. – Бібліографія: 7 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24024Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.uaарсенід індіювісмутструктурні дефектилегуюча домішкаindium arsenidebismuthstructural defectsdopantArticle